chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,功耗降低30%

羅欣 ? 來源:未知 ? 作者:羅欣 ? 2018-07-17 10:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉,該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB),8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。

其它基本規(guī)格還有,內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱,每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機(jī)常見的64bit bus),相當(dāng)于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。

與此同時,功耗比LPDDR4X降低高達(dá)30%,主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。

三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高,1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps,1.05V下可達(dá)5500Mbps,供手機(jī)、車載平臺自行選擇。

資料顯示,三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片,之后,就開始推進(jìn)向LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)的過渡。

新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分,后者已經(jīng)包括10nm級的16Gb GDDR6顯存芯片(2017年12月量產(chǎn))和16Gb DDR5內(nèi)存芯片(今年2月份開發(fā)完成)。

LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,三星稱,5GAI將是其主力服務(wù)的場景。

三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    183061
  • 內(nèi)存芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    128

    瀏覽量

    22989
  • LPDDR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    46

    瀏覽量

    6828
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    LPDDR5X在AI數(shù)據(jù)中心多能打?10.7Gbps速率、互連快7倍、推理吞吐高5倍、延遲低80%!

    廠商們包括三星、美光、SK海力士以及長鑫存儲等也不斷拉高LPDDR5X的規(guī)格,有望拓展繼智能終端之后AI數(shù)據(jù)中心這類新應(yīng)用。 ? 三星電子 ? 三星發(fā)布的比前代快1.25倍、
    的頭像 發(fā)表于 01-27 09:35 ?1523次閱讀
    <b class='flag-5'>LPDDR5</b>X在AI數(shù)據(jù)中心多能打?10.7Gbps速率、互連快7倍、推理吞吐高<b class='flag-5'>5</b>倍、延遲低80%!

    三星DDR5低調(diào)突破:原生速率突破7200Mbps

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末,存儲行業(yè)超級周期熱潮下,一則技術(shù)動態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄,低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
    的頭像 發(fā)表于 01-02 05:53 ?6997次閱讀

    三星發(fā)布Exynos 2600,全球2nm SoC,NPU性能提升113%

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡,它不僅是三星
    的頭像 發(fā)表于 12-25 08:56 ?8684次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>發(fā)布Exynos 2600,全球<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>2nm SoC,NPU性能提升113%

    三星電機(jī)發(fā)布全球 0402 inch X7S 100V 22nF 汽車級MLCC

    三星電機(jī)發(fā)布全球車規(guī)級MLCC0402X7S100V22nF,貞光科技作為授權(quán)代理商,提供樣品與技術(shù)支持,助力電動汽車OBC、Inverter、DC-DC等高壓小型化應(yīng)用。近日,三星
    的頭像 發(fā)表于 11-20 17:01 ?1372次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電機(jī)發(fā)布全球<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b> 0402 inch X7S 100V 22nF 汽車級MLCC

    三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

    三星公布了即將推出的代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:34 ?1216次閱讀

    全球2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600

    據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球
    的頭像 發(fā)表于 09-04 17:52 ?2412次閱讀

    三星最新消息:三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會被征收100%關(guān)稅

    蘋果稱正與三星公司在奧斯汀的半導(dǎo)體工廠合作,開發(fā)一種創(chuàng)新的新芯片制造技術(shù)。 在新聞稿中蘋果還宣布了將追加1000億美元布局美國制造,這意味著蘋果公司未來四年對美國的總投資承諾達(dá)到6000億美元。 有
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:24 ?1370次閱讀

    三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    Performance Body-bias)方案的驗(yàn)證。Exynos 2600是全球2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片
    的頭像 發(fā)表于 07-31 19:47 ?1740次閱讀

    美光科技出貨全球基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)

    開始 出貨全球采用1γ(1-gamma)制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存認(rèn)證樣品 。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機(jī)上的AI應(yīng)用而設(shè)計(jì)。美光LPDDR5
    的頭像 發(fā)表于 06-06 11:49 ?1669次閱讀

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率

    較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報(bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
    發(fā)表于 04-18 10:52

    LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動內(nèi)存

    6400 Mbps提升約33%,可處理8K視頻流、實(shí)時AI計(jì)算等密集型任務(wù)。三星近期推出的LPDDR5X-Ultra-Pro甚至將速率提升至12700 MT/s(
    的頭像 發(fā)表于 03-17 10:16 ?1w次閱讀

    LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
    發(fā)表于 02-28 00:07 ?7604次閱讀

    三星推出抗量子芯片 正在準(zhǔn)備發(fā)貨

    三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù),用
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:23 ?2562次閱讀

    三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0

    且能夠感知語境的移動AI體驗(yàn)。此外,美光已首次向市場出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存,其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng),
    的頭像 發(fā)表于 02-25 09:44 ?1306次閱讀