技術區(qū)別

TSV硅通孔（Through Silicon Via），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結構。

硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術，芯片通常通過MicroBump和中介層相連接，作為中介層的硅基板采用Bump和基板相連，硅基板表面通過RDL布線，TSV作為硅基板上下表面電氣連接的通道。

這種2.5D集成適合芯片規(guī)模比較大，引腳密度高的情況，芯片一般以FlipChip形式安裝在硅基板上。

TSV技術

TGV玻璃通孔（Through Glass Via），是通過在玻璃基板上制作垂直貫通的微小通孔，并在通孔中填充導電材料（CU），從而實現(xiàn)不同層面間的電氣連接。

TGV以高品質(zhì)硼硅玻璃、石英玻璃為基材，通過種子層濺射、電鍍填充、化學機械平坦化、RDL再布線， bump工藝引出實現(xiàn)3D互聯(lián)，被視為下一代先進封裝集成的關鍵技術。

TGV技術

形象比喻

TSV是在“實心混凝土”（硅）里鑿電梯井，而TGV則是在“透明玻璃”里鋪設地鐵隧道。玻璃本身是高度絕緣的，所以這條“隧道”天生就擁有更干凈、更高速的通行環(huán)境。

切割難點

不論是TSV還是TGV，都需要在晶圓級封裝后分離出獨立封裝單元，滿足后續(xù)組裝需求。

TSV 器件通常由硅基板、金屬填充層（銅為主）、介電絕緣層（如 SiO?）、堆疊鍵合層（如聚合物膠）組成，不同材料的物理特性差異導致切割過程易產(chǎn)生缺陷。

TGV 常用于高頻芯片、MEMS 傳感器的小型化封裝，常用厚度小于100μm 的超薄玻璃基板，基于整片玻璃晶圓的切割分離，因為其脆性、硬度及熱穩(wěn)定性直接導致切單難度顯著高于TSV。以2.5D 封裝的TGV轉(zhuǎn)接板為例，切割線與邊緣通孔的距離通常需控制在 10μm 以內(nèi)，對切割設備的定位精度和切割刀具的切割精度都有極高要求。