該DRV8262是一款寬電壓、高功率、H橋電機驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應用。該器件集成了兩個 H 橋,用于驅(qū)動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。該DRV8262在雙 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流,在單 H 橋模式下支持高達 32A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調(diào)節(jié)、電流檢測輸出和保護電路。
高側(cè) MOSFET 上的集成電流檢測允許驅(qū)動器在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機電流。電流限制可以通過可調(diào)節(jié)的外部基準電壓源進行設(shè)置。該器件還為每個 H 橋提供與電機電流成正比的輸出電流。集成傳感消除了對分流電阻器的需求,從而減少了電路板面積和系統(tǒng)成本。
提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護功能。
*附件:drv8262.pdf
特性
- 單或雙 H 橋電機驅(qū)動器
- 驅(qū)動一個或兩個有刷直流電機
- 一個步進電機
- 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
- 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
- 低 RDS(ON):
- 100mΩ HS + LS(雙 H 橋)
- 50mΩ HS + LS(單 H 橋)
- 高輸出電流能力:
- 雙 H 橋(24V,25 °C):
- 8A 峰值,采用 DDW 封裝
- 16A 峰值,采用 DDV 封裝
- 單 H 橋(24V,25 °C):
- 16A 峰值,采用 DDW 封裝
- 32A 峰值,采用 DDV 封裝
- 雙 H 橋(24V,25 °C):
- 可編程作接口 -
- 相位/使能 (PH/EN)
- PWM(輸入/輸入)
- 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
- 用于高側(cè)MOSFET的電流檢測
- 每個 H 橋的檢測輸出 (IPROPI)
- ± 最大電流下 4% 的檢測精度
- 獨立邏輯電源電壓 (VCC)
- 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
- 7、16、24 或 32μs
- 可編程故障恢復方法
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
- 低電流睡眠模式 (3μA)
- 保護功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- 過流保護 (OCP)
- 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 故障條件輸出 (nFAULT)
參數(shù)

方框圖
?1. 產(chǎn)品概述?
- ?型號?:DRV8262,60V單/雙H橋電機驅(qū)動器,集成電流檢測輸出。
- ?版本?:SLVSFV5C(2023年7月發(fā)布,2025年7月修訂)。
- ?應用領(lǐng)域?:
?2. 關(guān)鍵特性?
- ?電壓范圍?:4.5V至60V工作電壓。
- ?輸出電流能力?:
- ?雙H橋模式?:8A(DDW封裝)/16A(DDV封裝)峰值電流。
- ?單H橋模式?:16A(DDW)/32A(DDV)峰值電流。
- ?低導通電阻?:
- 雙H橋:100mΩ(高邊+低邊);單H橋:50mΩ。
- ?集成電流檢測?:
- 高邊MOSFET電流鏡像輸出(IPROPI引腳),精度±4%。
- ?保護功能?:
- 欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)、故障輸出(nFAULT)。
- ?低功耗模式?:睡眠模式電流僅3μA。
?3. 功能描述?
- ?工作模式?:
- ?雙H橋?:驅(qū)動2個有刷電機或1個步進電機。
- ?單H橋?:并聯(lián)輸出,支持更高電流負載。
- ?控制接口?:
- 支持PWM(IN/IN)或相位/使能(PH/EN)模式,通過MODE1/MODE2引腳配置。
- ?電流調(diào)節(jié)?:
- ?衰減模式?:
- 支持慢衰減、混合衰減(30%快衰減)、智能動態(tài)衰減(自動優(yōu)化)。
?4. 封裝與熱管理?
- ?封裝選項?:
- ?DDW?:底部散熱焊盤HTSSOP-44(14mm×6.1mm)。
- ?DDV?:頂部散熱焊盤HTSSOP-44(支持外接散熱器)。
- ?熱性能?:
- DDW封裝RθJA為22.2°C/W(4層PCB),需優(yōu)化布局以降低溫升。
?5. 典型應用?
- ?有刷電機驅(qū)動?:支持雙向控制,集成電流反饋。
- ?步進電機驅(qū)動?:雙H橋模式,支持微步進和動態(tài)衰減。
- ?TEC驅(qū)動?:LC濾波降低紋波,IPROPI實現(xiàn)閉環(huán)控制。
?6. 設(shè)計注意事項?
- ?布局建議?:
- VM引腳就近放置0.01μF陶瓷電容和 bulk電容。
- 散熱焊盤需充分連接至地平面(多via設(shè)計)。
- ?功率損耗計算?:
- 傳導損耗(RDS(ON))、開關(guān)損耗(tRF)、靜態(tài)損耗(IVM)需綜合評估。
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