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?DRV8262 電機驅(qū)動器技術(shù)手冊總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-13 10:06 ? 次閱讀
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該DRV8262是一款寬電壓、高功率、H橋電機驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應用。該器件集成了兩個 H 橋,用于驅(qū)動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。該DRV8262在雙 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流,在單 H 橋模式下支持高達 32A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調(diào)節(jié)、電流檢測輸出和保護電路。

高側(cè) MOSFET 上的集成電流檢測允許驅(qū)動器在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機電流。電流限制可以通過可調(diào)節(jié)的外部基準電壓源進行設(shè)置。該器件還為每個 H 橋提供與電機電流成正比的輸出電流。集成傳感消除了對分流電阻器的需求,從而減少了電路板面積和系統(tǒng)成本。

提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護功能。
*附件:drv8262.pdf

特性

    • 單或雙 H 橋電機驅(qū)動器
    • 驅(qū)動一個或兩個有刷直流電機
    • 一個步進電機
    • 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
  • 低 RDS(ON):
    • 100mΩ HS + LS(雙 H 橋)
    • 50mΩ HS + LS(單 H 橋)
  • 高輸出電流能力:
    • 雙 H 橋(24V,25 °C):
      • 8A 峰值,采用 DDW 封裝
      • 16A 峰值,采用 DDV 封裝
    • 單 H 橋(24V,25 °C):
      • 16A 峰值,采用 DDW 封裝
      • 32A 峰值,采用 DDV 封裝
  • 編程接口 -
    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM(輸入/輸入)
  • 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
    • 用于高側(cè)MOSFET的電流檢測
    • 每個 H 橋的檢測輸出 (IPROPI
    • ± 最大電流下 4% 的檢測精度
  • 獨立邏輯電源電壓 (VCC)
  • 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
    • 7、16、24 或 32μs
  • 可編程故障恢復方法
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
  • 低電流睡眠模式 (3μA)
  • 保護功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護 (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (OTSD)
    • 故障條件輸出 (nFAULT)

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號?:DRV8262,60V單/雙H橋電機驅(qū)動器,集成電流檢測輸出。
  • ?版本?:SLVSFV5C(2023年7月發(fā)布,2025年7月修訂)。
  • ?應用領(lǐng)域?:
    • 有刷直流電機、步進電機、熱電制冷器(TEC)。
    • 工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備、ATM機、機器人等。

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?電壓范圍?:4.5V至60V工作電壓。
  • ?輸出電流能力?:
    • ?雙H橋模式?:8A(DDW封裝)/16A(DDV封裝)峰值電流。
    • ?單H橋模式?:16A(DDW)/32A(DDV)峰值電流。
  • ?低導通電阻?:
    • 雙H橋:100mΩ(高邊+低邊);單H橋:50mΩ。
  • ?集成電流檢測?:
    • 高邊MOSFET電流鏡像輸出(IPROPI引腳),精度±4%。
  • ?保護功能?:
    • 欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)、故障輸出(nFAULT)。
  • ?低功耗模式?:睡眠模式電流僅3μA。

?3. 功能描述?

  • ?工作模式?:
    • ?雙H橋?:驅(qū)動2個有刷電機或1個步進電機。
    • ?單H橋?:并聯(lián)輸出,支持更高電流負載。
  • ?控制接口?:
    • 支持PWM(IN/IN)或相位/使能(PH/EN)模式,通過MODE1/MODE2引腳配置。
  • ?電流調(diào)節(jié)?:
    • 通過VREF引腳和外部電阻(RIPROPI)設(shè)置電流斬波閾值(ITRIP)。
  • ?衰減模式?:
    • 支持慢衰減、混合衰減(30%快衰減)、智能動態(tài)衰減(自動優(yōu)化)。

?4. 封裝與熱管理?

  • ?封裝選項?:
    • ?DDW?:底部散熱焊盤HTSSOP-44(14mm×6.1mm)。
    • ?DDV?:頂部散熱焊盤HTSSOP-44(支持外接散熱器)。
  • ?熱性能?:
    • DDW封裝RθJA為22.2°C/W(4層PCB),需優(yōu)化布局以降低溫升。

?5. 典型應用?

  • ?有刷電機驅(qū)動?:支持雙向控制,集成電流反饋。
  • ?步進電機驅(qū)動?:雙H橋模式,支持微步進和動態(tài)衰減。
  • ?TEC驅(qū)動?:LC濾波降低紋波,IPROPI實現(xiàn)閉環(huán)控制。

?6. 設(shè)計注意事項?

  • ?布局建議?:
    • VM引腳就近放置0.01μF陶瓷電容和 bulk電容。
    • 散熱焊盤需充分連接至地平面(多via設(shè)計)。
  • ?功率損耗計算?:
    • 傳導損耗(RDS(ON))、開關(guān)損耗(tRF)、靜態(tài)損耗(IVM)需綜合評估。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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