DRV814x-Q1 系列器件是一款完全集成的半橋驅(qū)動器，適用于各種汽車應(yīng)用。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點設(shè)計，采用電源封裝，具有出色的功率處理和熱能力，同時提供緊湊的封裝尺寸、易于布局、EMI控制、精確的電流檢測、穩(wěn)健性和診斷功能。該系列提供相同的引腳功能，具有可擴展的 RON（電流能力），以支持不同的負載。
*附件：drv8145-q1.pdf

這些器件集成了N溝道半橋、電荷泵穩(wěn)壓器、帶穩(wěn)壓功能的高側(cè)電流檢測、電流比例輸出和保護電路。提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件提供電壓監(jiān)控和負載診斷，以及針對過流和過溫的保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。DRV8143和DRV8145提供三種變體 - 硬連線接口：硬件 （H） 和兩種 SPI 接口變體：SPI（P） 和 SPI（S），其中 SPI （P） 用于外部供電邏輯電源，SPI （S） 用于內(nèi)部生成的邏輯電源。DRV8144僅提供兩種型號：SPI（S） 和 HW（H）。SPI 接口變體在器件配置和故障可觀察性方面提供了更大的靈活性。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準，適用于汽車應(yīng)用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
• 功能安全功能
  • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
• 4.5V 至 35V （40V abs. max） 工作范圍
• 采用VQFN-HR封裝的SPI（S）或HW（H）型號：RON_LS + RON_HS：16mΩ
• 采用 HTSSOP 封裝的 SPI（P） 型號：RON_LS + RON_HS：19mΩ
• IOUT 最大值 = 46A
• PWM 頻率作高達 125KHz，具有自動死區(qū)時間斷言
• 可配置的壓擺率和擴頻時鐘，實現(xiàn)低電磁干擾 （EMI）
• 集成電流檢測（消除分流電阻）
• IPROPI 引腳上的比例負載電流輸出
• 可配置的電流調(diào)節(jié)
• 具有可配置故障反應(yīng)（鎖存或重試）的保護和診斷功能
  • 關(guān)斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)下的負載診斷，以檢測開路負載和短路
  • 電源 （VM） 和電荷泵 （VCP） 上的電壓監(jiān)控
  • 過流保護
  • 過溫保護
  • nFAULT引腳上的故障指示
• 支持 3.3V、5V 邏輯輸入
• 低睡眠電流 - 25°C 時典型值 1μA
• 器件系列對比表

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8145-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級半橋驅(qū)動器，屬于DRV814x-Q1系列，具有集成電流檢測與診斷功能，適用于4.5V至35V（最大40V）工作電壓范圍，支持46A最大輸出電流。其核心特性包括：

• ?AEC-Q100認證?：滿足車規(guī)級溫度要求（-40°C至125°C）。
• ?高集成度?：內(nèi)置電荷泵、高低邊MOSFET（總導(dǎo)通電阻16mΩ）、電流檢測（IPROPI比例輸出）及多種保護功能。
• ?接口選項?：提供SPI（S/P）和HW（H）兩種配置變體，支持靈活控制與診斷反饋。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電流檢測?：通過IPROPI引腳輸出與負載電流成比例的模擬信號，支持外部ADC讀取。
• ?可編程參數(shù)?：
  • PWM頻率最高125kHz，自動死區(qū)時間控制。
  • 8級壓擺率控制（SPI變體）以優(yōu)化EMI性能。
  • 電流調(diào)節(jié)（ITRIP）閾值與關(guān)斷時間可配置。
• ?保護與診斷?：
  • 過流（OCP）、過溫（TSD）、負載診斷（開/短路檢測）、電壓監(jiān)控（VM/VCP）。
  • 故障指示通過nFAULT引腳或SPI寄存器（SPI變體）。

?3. 應(yīng)用場景?

• 汽車有刷電機、電磁閥（如車門模塊、雨刮器、座椅控制）。
• 燃油/水泵、車載充電器等車身控制模塊（BCM）。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝?：VQFN-HR（16引腳，3.5mm×5.5mm）或HTSSOP（28引腳，4.4mm×9.7mm）。
• ?型號差異?：DRV8145-Q1家族包含不同導(dǎo)通電阻（RON）和封裝選項，詳見設(shè)備對比表。

?5. 保護機制?

• ?故障反應(yīng)模式?：支持鎖存（Latch）或自動重試（Retry），可通過寄存器或引腳配置。
• ?電壓監(jiān)控?：VM過壓/欠壓、電荷泵欠壓（CPUV）觸發(fā)保護。

?6. 設(shè)計支持?

• ?典型電路?：需外接VM去耦電容（0.1μF+10μF）、VCP電容（1μF）及IPROPI電阻（500-5kΩ）。
• ?布局建議?：優(yōu)先縮短高電流路徑，優(yōu)化散熱設(shè)計（參考熱阻參數(shù)RθJA=41.3°C/W）。

?7. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊包含詳細電氣特性、時序圖、寄存器映射（SPI變體）及典型應(yīng)用電路，支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計。