Microchip Technology 2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動(dòng)器可以控制和保護(hù)大多數(shù)基于SiC MOSFET的功率系統(tǒng)。2ASC-12A2HP提供高達(dá)10A峰值電流。該高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)內(nèi)核包括隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器和低電容隔離柵，用于PWM信號(hào)和故障反饋。通過智能配置工具 (ICT)，可以根據(jù)應(yīng)用配置柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)，而不必?fù)?dān)心改變硬件。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Microchip Technology 2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• MTBF符合MIL-STD-883-1標(biāo)準(zhǔn)
• 沖擊和振動(dòng)符合IEC60068-2-6標(biāo)準(zhǔn)
• 溫度周期符合JEDS22-A104標(biāo)準(zhǔn)
• 符合UL標(biāo)準(zhǔn)- 1200V SiC MOSFET模塊
• 穩(wěn)健的高抗噪性設(shè)計(jì)
• 隔離式溫度監(jiān)控、PWM
• 隔離式高壓監(jiān)控、PWM
• 緊湊的外形尺寸：40x61mm
• 2 X 3W輸出功率
• 符合RoHS指令
• 多達(dá)7個(gè)獨(dú)特故障條件

框圖

?Microchip 2ASC-12A2HP SiC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與工程實(shí)踐?

?一、核心特性與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

1.1 專為SiC MOSFET優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

2ASC-12A2HP是Microchip AgileSwitch?系列中的雙通道1200V柵極驅(qū)動(dòng)核心，其設(shè)計(jì)針對(duì)碳化硅功率模塊的特性進(jìn)行了深度優(yōu)化：

• ?增強(qiáng)型開關(guān)技術(shù)?（Augmented Switching?）：通過專利的軟關(guān)斷算法（Turn-on/Turn-off可配置），有效抑制SiC器件開關(guān)過程中的電壓尖峰和振蕩。
• ?寬范圍柵極電壓?：支持+15V至+21V正向驅(qū)動(dòng)與-5V至0V負(fù)向關(guān)斷電壓，適應(yīng)不同SiC MOSFET的Vgs需求。
• ?7種故障保護(hù)機(jī)制?：包括去飽和檢測（DSAT）、電源欠壓/過壓鎖定（UVLO/OVLO）等，響應(yīng)時(shí)間最快僅200ns。

1.2 關(guān)鍵性能參數(shù)

• ?隔離能力?：3750Vrms初級(jí)-次級(jí)隔離電壓，100kV/μs共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）。
• ?驅(qū)動(dòng)能力?：10A峰值電流輸出，支持500kHz高頻開關(guān)（需配合外部圖騰柱電路）。
• ?溫度適應(yīng)性?：-40℃至+85℃工業(yè)級(jí)工作溫度范圍。

?二、軟件配置與調(diào)試?

2.1 智能配置工具（ICT）應(yīng)用

通過Microchip PICKit4編程器和ICT軟件可動(dòng)態(tài)調(diào)整以下參數(shù)：

• 多級(jí)關(guān)斷時(shí)序（如首次DSAT觸發(fā)1.5V軟關(guān)斷，二次DSAT觸發(fā)完全關(guān)斷）
• 故障鎖存時(shí)間（默認(rèn)5ms自動(dòng)復(fù)位）
• 溫度監(jiān)測范圍（支持NTC/PTC thermistor，β值可編程）

2.2 PWM監(jiān)控信號(hào)處理

• ?溫度/PWM轉(zhuǎn)換?：TE-F引腳輸出31.5kHz PWM波，占空比線性對(duì)應(yīng)溫度（如40%占空比=25℃+(125℃-25℃)×0.4=65℃）。
• ?低通濾波器設(shè)計(jì)?：推薦2kHz四階Sallen-Key濾波器，誤差<1%。

?三、典型應(yīng)用場景?

1. ?電動(dòng)汽車OBC模塊?：利用其1200V耐壓和快速故障響應(yīng)實(shí)現(xiàn)高可靠性充電拓?fù)洹?/li>
2. ?光伏逆變器?：雙通道獨(dú)立控制支持T型三電平拓?fù)?，搭?a target="_blank">DC Link監(jiān)測實(shí)現(xiàn)主動(dòng)保護(hù)。
3. ?工業(yè)感應(yīng)加熱?：高頻開關(guān)能力與溫度監(jiān)控延長SiC模塊壽命。

?四、設(shè)計(jì)驗(yàn)證建議?

• ?動(dòng)態(tài)測試?：使用雙脈沖測試驗(yàn)證開關(guān)損耗（推薦Lecoe DPT1800平臺(tái)）。
• ?EMC優(yōu)化?：在Gate輸出端串聯(lián)鐵氧體磁珠（如Murata BLM18PG系列）抑制高頻振蕩。

該驅(qū)動(dòng)方案已通過IEC60068-2-6振動(dòng)測試及MIL-STD-883-1可靠性認(rèn)證，為SiC功率系統(tǒng)提供完整的驅(qū)動(dòng)保護(hù)解決方案。