成熟的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，360N4s拆解
在本次拆解中我們共卸去360N4s手機(jī)20顆螺絲，發(fā)現(xiàn)該機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)較為成熟，防滾架以及金屬屏蔽罩的使用保證了電子元件的安全，充分的散熱設(shè)計(jì)則保證使用的性能穩(wěn)定，對(duì)于該機(jī)的售價(jià)來(lái)說(shuō)，這樣中規(guī)中矩的做工算是對(duì)消費(fèi)者交出了一份令人滿意的結(jié)果。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
360
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
417瀏覽量
30930
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
OCAD應(yīng)用：打入式斷續(xù)變焦光學(xué)系統(tǒng)初始結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
組鏡頭。選擇后界面自動(dòng)出現(xiàn)“透鏡單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)”窗口進(jìn)行設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)完畢在表格內(nèi)點(diǎn)擊“保存”，將會(huì)自動(dòng)完成該組設(shè)計(jì)。
圖5.會(huì)聚光路中打入式自動(dòng)設(shè)計(jì)程序界面
按以上方法依次操作即可完成所有組元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
發(fā)表于 04-10 08:18
深入解析 onsemi NVD360N65S3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
深入解析 onsemi NVD360N65S3 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在功率電子領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 溝道 SUPERFET III MOSFET
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 溝道 SUPERFET III MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)電路系統(tǒng)的效率
探索 onsemi NTP360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET
探索 onsemi NTP360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)電路中。今天，我們將深入探討
深入剖析NTD360N65S3H：高性能650V N溝道MOSFET
深入剖析NTD360N65S3H：高性能650V N溝道MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi
探索 onsemi NTD360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET 的卓越性能
探索 onsemi NTD360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET 的卓越性能 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，其性能直接影響到整個(gè)電路的效率、穩(wěn)定性和可靠性
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著各類(lèi)電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討
ePTFE防水透氣膜與塑料零件焊接的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)指南
ePTFE（膨體聚四氟乙烯）防水透氣膜與塑料零件焊接時(shí)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)問(wèn)題。一般采用熱熔焊接和超聲波焊接兩種工藝，而超聲波焊接往往需要設(shè)計(jì)特殊的焊接結(jié)構(gòu)，這是一個(gè)非常專(zhuān)業(yè)且關(guān)鍵的工藝環(huán)節(jié)，直接決定了產(chǎn)品
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，核心包含聯(lián)筋（Dambar）與假腳（False leads）兩大關(guān)鍵部分，以下將針對(duì)各設(shè)計(jì)要素及技術(shù)要求展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。
解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
自主創(chuàng)新賦能半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)——江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司與 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)軟件” 的突破之路
的性能、可靠性與成本，而封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)作為封裝技術(shù)落地的 “第一道關(guān)卡”，對(duì)設(shè)計(jì)軟件的依賴性極強(qiáng)。在此背景下，江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “江蘇拓能”）自主研發(fā)的 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)軟件 V1.0”（簡(jiǎn)稱：半
PCB層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的先決條件
)出發(fā),深入探討PCB多層板的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的先決條件。 一、Core和PP的簡(jiǎn)要介紹 Core是PCB多層板的核心組成部分,它的兩個(gè)表層都鋪有銅箔,可作為信號(hào)層、電源層、地層等導(dǎo)電層。Core的上、下表層之間填充的是固態(tài)材料,具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和電氣性能。而PP則是一種半固態(tài)的樹(shù)脂
微孔霧化設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要點(diǎn) – 陶瓷片固定&受力分析
在微孔霧化驅(qū)動(dòng)集成芯片的推廣實(shí)踐中，我們發(fā)現(xiàn)除了硬件和軟件的迭代升級(jí)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面有一個(gè)值得顯著關(guān)注的點(diǎn)：微孔設(shè)備的霧化性能（頻率，霧化量和功耗）會(huì)受到陶瓷片表面壓力的直接影響。我們強(qiáng)烈建議，在初步
OCAD應(yīng)用：菲涅爾透鏡初始結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
像系統(tǒng)，特別是照明系統(tǒng)更為常見(jiàn)。這類(lèi)系統(tǒng)往往只需要一個(gè)單片透鏡，工藝簡(jiǎn)單可以模壓成形。在對(duì)該類(lèi)透鏡初始結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)利用 OCAD 程序也非常簡(jiǎn)單。只要在數(shù)據(jù)表格中的“表面面型”欄內(nèi)選擇“菲涅爾面”，接著
發(fā)表于 05-19 08:49
評(píng)論