GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景,核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
發(fā)表于 10-14 15:28
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的性能、可靠性與成本,而封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)作為封裝技術(shù)落地的 “第一道關(guān)卡”,對(duì)設(shè)計(jì)軟件的依賴(lài)性極強(qiáng)。在此背景下,江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng) “江蘇拓能”)自主研發(fā)的 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)軟件 V1.0”(簡(jiǎn)稱(chēng):半
發(fā)表于 09-11 11:06
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)出發(fā),深入探討PCB多層板的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的先決條件。 一、Core和PP的簡(jiǎn)要介紹 Core是PCB多層板的核心組成部分,它的兩個(gè)表層都鋪有銅箔,可作為信號(hào)層、電源層、地層等導(dǎo)電層。Core的上、下表層之間填充的是固態(tài)材料,具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和電氣性能。而PP則是一種半固態(tài)的樹(shù)脂
發(fā)表于 06-06 15:37
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在微孔霧化驅(qū)動(dòng)集成芯片的推廣實(shí)踐中,我們發(fā)現(xiàn)除了硬件和軟件的迭代升級(jí),結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面有一個(gè)值得顯著關(guān)注的點(diǎn):微孔設(shè)備的霧化性能(頻率,霧化量和功耗)會(huì)受到陶瓷片表面壓力的直接影響。我們強(qiáng)烈建議,在初步
發(fā)表于 05-29 10:42
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像系統(tǒng),特別是照明系統(tǒng)更為常見(jiàn)。這類(lèi)系統(tǒng)往往只需要一個(gè)單片透鏡,工藝簡(jiǎn)單可以模壓成形。在對(duì)該類(lèi)透鏡初始結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)利用 OCAD 程序也非常簡(jiǎn)單。只要在數(shù)據(jù)表格中的“表面面型”欄內(nèi)選擇“菲涅爾面”,接著
發(fā)表于 05-19 08:49
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-500S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有BK25-500S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,BK25-500S24H1N4真
發(fā)表于 03-24 18:40
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發(fā)表于 03-21 18:31
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發(fā)表于 03-20 18:50
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發(fā)表于 03-19 18:50
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發(fā)表于 03-18 18:51
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發(fā)表于 03-18 18:50
、電源屏蔽、EMI 耦合、開(kāi)關(guān)電源模塊外圍電路的EMC與防護(hù)設(shè)計(jì)等方面的細(xì)節(jié),有助于電子設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)效果優(yōu)化。 ? 1 開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)電源引起電磁干擾問(wèn)題的原因是很復(fù)雜的。針對(duì)開(kāi)關(guān)電源的EMC 問(wèn)題,在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)采用以下主要措施: 1.1 軟開(kāi)關(guān)
發(fā)表于 02-17 10:20
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BP(back propagation)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種按照誤差逆向傳播算法訓(xùn)練的多層前饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),其網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原則主要基于以下幾個(gè)方面: 一、層次結(jié)構(gòu) 輸入層 :接收外部輸入信號(hào),不進(jìn)行任何計(jì)算
發(fā)表于 02-12 16:41
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評(píng)論