chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅動設計要求

TI視頻 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-02 01:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

概述了碳化硅(SiC)材料的特點以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描敘了一些SiC MOSFET的應用領域包括太陽能和電動汽車。 詳細討論了SiC MOSFET的驅動設計要求,以及簡單介紹了幾款TI SiC MOSFET驅動產品。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    10694

    瀏覽量

    234810
  • ti
    ti
    +關注

    關注

    114

    文章

    8080

    瀏覽量

    219961
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3846

    瀏覽量

    70050
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiC MOSFET 米勒平臺震蕩的根源分析與 Layout 優(yōu)化策略

    SiC MOSFET 米勒平臺震蕩的根源分析與 Layout 優(yōu)化策略 寬禁帶(Wide Bandgap, WBG)半導體材料的突破性進展,尤其是碳化硅(SiC)技術的成熟與商業(yè)化,正
    的頭像 發(fā)表于 03-30 07:28 ?534次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 米勒平臺震蕩的根源分析與 Layout 優(yōu)化策略

    SiC MOSFET架構的類型及其區(qū)別

    SiC MOSFET滿足了電力電子行業(yè)對更高效率、更高功率密度以及在極端溫度下運行的要求,其應用領域涵蓋電動汽車(EV)牽引逆變器、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電源。本文將深入討論不同的SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?224次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>架構的類型及其區(qū)別

    用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅動IC

    用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅動IC 作為電子工程師,在功率電子設計中,碳化硅(SiCMOSFET的應用
    的頭像 發(fā)表于 12-19 15:00 ?460次閱讀

    半導體“碳化硅(SiCMOSFET柵極驅動”詳解

    和開關損耗均有明顯減小。SiC MOSFET器件的使用,給實際系統(tǒng)效率的進一步提高,以及系統(tǒng)體積的進一步減小帶來了希望。尤其在光伏逆變與電池充電等對效率和體積均有較高要求的應用場合,SiCMOSFET的工程使用已成為炙手可熱的話
    的頭像 發(fā)表于 11-05 08:22 ?9509次閱讀
    半導體“碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>柵極<b class='flag-5'>驅動</b>”詳解

    BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅動方案介紹

    BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅動方案介紹
    發(fā)表于 09-01 15:23 ?0次下載

    SiC碳化硅MOSFET時代的驅動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSF
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?1686次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>時代的<b class='flag-5'>驅動</b>供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    SiC MOSFET計算損耗的方法

    本文將介紹如何根據(jù)開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進行分割,并使用近似公式計算功率損耗的方法。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2722次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>計算損耗的方法

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅動逆變器設計的關鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅動逆變器設計的關鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?3408次閱讀
    Si-IGBT+<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>并聯(lián)混合<b class='flag-5'>驅動</b>逆變器設計的關鍵要素

    SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題

    在電力電子領域,當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:33 ?2814次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題

    SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項

    通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:52 ?2111次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本<b class='flag-5'>要求</b>和注意事項

    國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSF
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1231次閱讀
    國產<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應用

    SiC MOSFET驅動電路設計的關鍵點

    柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵,設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解柵極驅動電壓的
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:54 ?1803次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅動</b>電路設計的關鍵點

    2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能

    2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:54 ?921次閱讀
    2CD0210T12x0 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅動</b>板:解鎖<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅功率模塊的極限<b class='flag-5'>性能</b>

    SiC MOSFET驅動電路設計注意事項

    柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵,設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-24 17:00 ?2763次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅動</b>電路設計注意事項

    SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設計

    0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
    發(fā)表于 04-23 11:25