核心導(dǎo)讀

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲能、高密度電源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。10月14日，正值第56個世界標(biāo)準(zhǔn)日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會、廣電計量主辦，無錫廣電計量承辦的半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會在無錫順利舉行，匯聚行業(yè)權(quán)威專家，分享前沿技術(shù)議題，以標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新，質(zhì)量護(hù)航“中國芯”崛起。

標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)

標(biāo)準(zhǔn)成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略的重要部分

活動以“創(chuàng)‘芯’賦能 標(biāo)準(zhǔn)筑基”為主題，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原副所長楊富華，廣電計量黨委副書記、總經(jīng)理明志茂出席活動并致辭，無錫市新吳區(qū)科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席張少波，來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的技術(shù)專家、高校學(xué)者、企業(yè)代表約150人參會。廣電計量總經(jīng)理助理、無錫廣電計量總經(jīng)理儲程晨作開場主持。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原副所長楊富華致辭中強(qiáng)調(diào)，標(biāo)準(zhǔn)已從傳統(tǒng)意義上的產(chǎn)品互換和質(zhì)量評判的依據(jù)，上升為產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分，成為事關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性和戰(zhàn)略性工作。希望以標(biāo)準(zhǔn)為引領(lǐng)，以創(chuàng)新為驅(qū)動，共同構(gòu)建開放、共享、可持續(xù)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。

廣電計量黨委副書記、總經(jīng)理明志茂在致辭中表示，廣電計量將積極推動新技術(shù)、新方法、新工具、新標(biāo)準(zhǔn)和新體系的“五新”能力構(gòu)建，加強(qiáng)半導(dǎo)體全鏈條標(biāo)準(zhǔn)化體系建設(shè)，同時推動“AI+檢測”深度融合，構(gòu)建覆蓋半導(dǎo)體全生命周期的數(shù)字化質(zhì)量保障服務(wù)平臺，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從材料創(chuàng)新到終端產(chǎn)品升級全程保駕護(hù)航。

干貨滿滿

大咖匯聚為行業(yè)發(fā)展建言獻(xiàn)策

研討會主題緊扣半導(dǎo)體國家戰(zhàn)略，匯聚復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、西安交通大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、華北電力大學(xué)、中電科五十五所、廣電計量、忱芯科技、飛仕得等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游權(quán)威專家，分享SiC、GaN功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測等技術(shù)議題，為促進(jìn)功率電子的規(guī)模應(yīng)用，服務(wù)新興市場開拓注入“智慧力量”。其中，廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部副總經(jīng)理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系布局與應(yīng)用實(shí)施》主題分享。

東南大學(xué)副教授魏家行作《碳化硅功率MOS器件及可靠性研究進(jìn)展》主題分享

中電科五十五所高級工程師張國斌作《面向模塊應(yīng)用的SiC MOSFET芯片測試篩選技術(shù)》主題分享

杭州飛仕得設(shè)備事業(yè)部首席技術(shù)官劉偉作《SiC MOSFET功率器件可靠性篩選方法與解決方案》主題分享

華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶作《碳化硅器件芯片級電流測量方法及應(yīng)用》主題分享

上海交通大學(xué)副教授王亞林作《T/CASAS 061 SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法》主題分享

廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部副總經(jīng)理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系布局與應(yīng)用實(shí)施》主題分享

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長兼標(biāo)準(zhǔn)化委員會秘書長高偉擔(dān)任上午場主持人

忱芯科技總經(jīng)理毛賽君作《碳化硅功率器件 dv/dt 魯棒性評估指南》IEC CDV 63672 ED1 解讀&SiC MOSFET HTFB測試挑戰(zhàn)與解決方案》主題分享

復(fù)旦大學(xué)研究生項(xiàng)載滿作《SiC MOSFET浪涌可靠性及失效分析研究》主題分享

復(fù)旦大學(xué)研究生羅濤作《SiC MOSFET雪崩失效機(jī)理分析和仿真研究》主題分享

電子科技大學(xué)教授陳萬軍作《p-GaN柵HEMT器件柵極過壓可靠性研究》主題分享

西安交通大學(xué)副教授周翔作《GaN器件電源模塊的管理芯片發(fā)展趨勢》主題分享

廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠(yuǎn)作《P-GaN HEMT動態(tài)閾值電壓測試方法》主題分享

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室工程師王小明作《P-GaN HEMT功率器件短路試驗(yàn)方法》主題分享

無錫廣電計量副總經(jīng)理陳振擔(dān)任下午場主持人

此外，與會嘉賓分批參觀了無錫廣電計量實(shí)驗(yàn)室，深入了解廣電計量在集成電路與失效分析等領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和服務(wù)能力。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，廣電計量是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體質(zhì)量評價與可靠性解決方案提供商，公司聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體及超大規(guī)模集成電路國產(chǎn)自主可控需求，構(gòu)建性能功能測試、可靠性及失效機(jī)理分析評估、芯片設(shè)計與制程分析、質(zhì)量等級認(rèn)證、功能安全評估和量產(chǎn)與批產(chǎn)測試篩選等全棧式檢測與技術(shù)咨詢服務(wù)能力。

未來，廣電計量將持續(xù)深耕半導(dǎo)體材料及器件領(lǐng)域，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同合作，著力構(gòu)建“產(chǎn)學(xué)研檢用”深度融合的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，以技術(shù)之力為產(chǎn)業(yè)鏈賦能，加速推動我國第三代半導(dǎo)體自主可控和國產(chǎn)化進(jìn)程。