電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 “早知道就多囤幾根內(nèi)存條了！”——這是2025年10月電商促銷季里，無數(shù)DIY玩家與渠道商發(fā)出的共同感嘆。如今，DDR4 16GB內(nèi)存價格突破500元，一年內(nèi)漲幅超兩倍，賺錢效應堪比熱門基金，“最佳理財產(chǎn)品”的稱號徹底出圈。這一輪價格飆漲背后，是全球存儲行業(yè)正以肉眼可見的速度，狂奔進入久違的“超級周期”。
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供需失衡：超級周期的核心密碼

存儲行業(yè)的周期性波動并不新鮮，但此次“超級周期”的強度和持續(xù)性，源于供需兩端的歷史性錯位。供給側(cè)的主動收縮與需求側(cè)的爆發(fā)式增長形成的“剪刀差”，成為價格飆升的核心驅(qū)動力。

供給端的“人為降溫”早已埋下伏筆。自2024年四季度起，三星、SK海力士、美光等全球存儲巨頭相繼啟動減產(chǎn)計劃，其中三星對普通存儲芯片客戶的交貨量僅為以往的20%-25%，美光更是直接將NAND閃存產(chǎn)量削減15%。更關鍵的是，頭部廠商紛紛將產(chǎn)能向AI專用的高帶寬內(nèi)存（HBM）傾斜，導致普通DDR4、DDR5內(nèi)存的有效產(chǎn)能減少15%以上。

需求端的爆發(fā)，始于AI算力競賽的全面打響。自2022年底ChatGPT引爆生成式AI后，全球科技巨頭在服務器端瘋狂加碼GPU集群，高帶寬內(nèi)存（HBM）需求呈指數(shù)級攀升。三星、SK海力士、美光等原廠隨之將產(chǎn)能向利潤更高的HBM與DDR5傾斜，直接導致傳統(tǒng)DDR4、LPDDR4X等“中低端”顆粒供應持續(xù)壓縮。摩根士丹利統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，Alphabet、亞馬遜、Meta、微軟與CoreWeave五家公司2025年投向AI基礎設施的資本支出高達4000億美元，資金洪峰疊加技術迭代，形成對存儲產(chǎn)能的“虹吸效應”。

在AI服務器的拉動下，企業(yè)級存儲配置不斷升級，SSD容量已從64TB向96TB躍升，互聯(lián)網(wǎng)巨頭相關資本開支大幅增長。與此同時，消費電子市場同步回暖，智能手機內(nèi)存容量從8GB向12GB普及的趨勢已成定局，PC換機潮帶來的增量需求同樣不可小覷。供需兩端的劇烈變化，讓存儲市場從此前的“去庫存”狀態(tài)迅速切換至“搶貨”模式。

漲價狂歡：從芯片到終端的全面沸騰

供需失衡的影響已滲透到存儲產(chǎn)業(yè)鏈的每一個環(huán)節(jié)，不同品類產(chǎn)品價格上演“競速式”上漲，其中內(nèi)存條表現(xiàn)尤為亮眼，堪稱“理財產(chǎn)品”的代名詞。

集邦咨詢9月底數(shù)據(jù)顯示，DDR4 8Gb芯片現(xiàn)貨價從年初的1美元飆升至5.87美元，半年漲幅近5倍；DDR5 16Gb芯片漲幅達40%，價格幾乎觸及歷史高點。同時，TechInsights數(shù)據(jù)顯示，DRAM現(xiàn)貨價4月同比僅上漲4%，9月已飆升近兩倍；行業(yè)平均庫存周期從2023年初的31周驟降至2025年三季度的8周，創(chuàng)歷史新低。當價格曲線與庫存曲線出現(xiàn)“死亡交叉”，市場便進入典型的賣方市場——即便加價，熱門型號也“一貨難求”。

盡管熱度不及DRAM，NAND閃存市場價格同樣穩(wěn)步走高。企業(yè)級SSD受英偉達新平臺帶動，價格直接上漲10%；1Tb QLC晶圓均價周漲幅達17.6%，月漲幅達22.4%。即便是漲幅相對溫和的手機嵌入式存儲，價格也實現(xiàn)穩(wěn)步上揚；NOR Flash等利基存儲市場受AI數(shù)據(jù)中心和車用市場雙重驅(qū)動，四季度價格預計將實現(xiàn)雙位數(shù)增長。價格持續(xù)上漲催生市場囤貨潮，從大型模組廠商到中小經(jīng)銷商，均在盡力增加庫存以鎖定利潤，部分電商平臺甚至出現(xiàn)熱門型號內(nèi)存“售罄”的現(xiàn)象。

超級周期已讓上游原廠賺得盆滿缽滿。三星三季度標準DRAM運營利潤率約40%，HBM產(chǎn)品利潤率更高達60%；美光則預計2026財年兩類產(chǎn)品仍將保持“健康高盈利”狀態(tài)。

對國產(chǎn)存儲企業(yè)而言，此次超級周期更帶來了歷史性突破機遇。國際大廠減產(chǎn)并轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，為國產(chǎn)廠商騰出了可觀的市場空間。數(shù)據(jù)顯示，已有多家國產(chǎn)企業(yè)成功承接國際大廠讓出的訂單，在存儲芯片設計、制造等核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)關鍵突破。