昨日長江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。同時(shí)，該技術(shù)可應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

目前，長江存儲(chǔ)已成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

據(jù)長江存儲(chǔ)介紹，采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。XtackingTM技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。

XtackingTM技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域的知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為，隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲(chǔ)容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會(huì)越來越困難。若要推動(dòng)SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能將是必須的。

此外，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士表示，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術(shù)有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對(duì)NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。

值得一提的是，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京近日透露，中國首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)，刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層3D NAND閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。

據(jù)悉，長江存儲(chǔ)于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(huì)(CITE2018)金獎(jiǎng)。

這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)，是中國主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)了中國存儲(chǔ)芯片“零”的突破。

此外，64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行，計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。