STMicroelectronics VIPerGaN100離線高壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計用于中等功率準諧振ZVS(開關(guān)接通時零電壓開關(guān))反激式轉(zhuǎn)換器。它可提供寬范圍的輸出功率,可高達75W,在歐盟可高達100W,還可以在前端加PFC。該器件集成一整套功能讓芯片極其靈活且易于使用,能幫助設(shè)計出高效的離線電源。ZVS準諧振運行具有動態(tài)消隱時間特性和谷值同步功能,始終在漏極諧振谷底開啟電源開關(guān)。在任何輸入線路和負載條件下,它都可以最大化整體效率并降低開關(guān)損耗。具有低靜態(tài)電流的高級電源管理可實現(xiàn)低待機功耗。前饋補償盡量減少了最大輸出峰值功率隨輸入電壓范圍的變化。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:STMicroelectronics VIPerGaN100離線高壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊.pdf
STMicroelectronics VIPerGaN100還具有保護特性,可顯著提高最終產(chǎn)品的安全性和可靠性。其中包括輸出過壓保護、過熱保護 (OTP)、過載保護 (OLP)、上電/掉電保護。這些將輸入電壓電平設(shè)置為轉(zhuǎn)換器上電和斷電。輸入過壓保護 (iOVP) 可在輸入線路異常增加的情況下保護系統(tǒng)。所有保護功能都在自啟動模式下。
特性
- 準諧振 (QR) 反激式控制器
- 650V E-mode功率GaN晶體管
- 嵌入式感應(yīng)FET
- 動態(tài)消隱時間和可調(diào)節(jié)谷值同步延遲功能,可最大限度地提高任何輸入線路和負載條件下的效率
- 先進的電源管理,具有自適應(yīng)突發(fā)模式,待機功耗低于30mW
- 谷值鎖定,確保恒定谷值跳躍
- 輸出OVP保護
- 輸入電壓前饋補償,用于獨立于主電源的OPP穩(wěn)壓
- 上電和掉電保護
- 輸入OVP保護
- 嵌入式熱關(guān)斷
- 頻率抖動器,可抑制EMI輻射
典型應(yīng)用

VIPERGAN100離線高壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?
?一、核心架構(gòu)與技術(shù)創(chuàng)新?
VIPERGAN100是STMicroelectronics推出的集成了650V E-mode GaN HEMT的準諧振反激式控制器,通過多項專利技術(shù)實現(xiàn)高頻高效轉(zhuǎn)換:
?1. 零電壓開關(guān)技術(shù)?
- 采用ZVS準諧振拓撲,在開關(guān)管導(dǎo)通時實現(xiàn)零電壓切換
- 動態(tài)消隱時間與谷底同步功能結(jié)合,確保開關(guān)始終在漏極諧振谷底導(dǎo)通
- 谷底鎖定技術(shù)避免負載波動時的"谷底跳躍"現(xiàn)象
?2. 多模式智能調(diào)控?
- ?QR模式?(重載):工作于DCM/CCM邊界,頻率隨負載自適應(yīng)
- ?谷底跳過模式?(中載):通過跳過1/2/3個諧振周期限制最高頻率
- ?頻率折返模式?(輕載):在VFB電壓下降時線性降低頻率
- ?突發(fā)模式?(極輕載):開關(guān)頻率可降至數(shù)百赫茲,待機功耗<30mW
?二、關(guān)鍵引腳配置與功能實現(xiàn)?
? 核心控制引腳組: ?
- ?TB引腳?:動態(tài)消隱時間調(diào)整與谷底同步
- 動態(tài)消隱時間公式:TBLANK_dyn = TBLANK + KBLANK × ITB
- 同步延遲設(shè)置:RDELAY = RTB / (NAUX/NSEC × VOUT/VTB - 1)
- ?ZCD引腳?:變壓器退磁檢測
- 正沿>110mV觸發(fā)準備狀態(tài)
- 負沿<60mV觸發(fā)GaN導(dǎo)通
? 保護功能引腳: ?
- ?BR引腳?:輸入電壓跌落保護
- 接入阻抗:10-30MΩ優(yōu)化功耗
- 啟停閾值:VBR-IN=0.5V,VBR-OUT=0.4V
- ?iOVP引腳?:輸入過壓保護
- 保護延遲:TiOVP=250μs
?三、電氣特性與功率設(shè)計?
? GaN功率器件性能: ?
- 漏源擊穿電壓:650V(瞬態(tài)850V/1μs)
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=100mΩ@25℃
- 輸出功率能力:
- 寬范圍輸入(85-265VAC):75W
- 歐洲范圍輸入(185-265VAC):100W
- 工作頻率范圍:最高240kHz限制
? 熱管理設(shè)計參數(shù): ?
- 結(jié)到環(huán)境熱阻:RTH-JA=32℃/W
- 熱關(guān)斷閾值:TSD=140℃
- 重啟時間:TSD-REST=2s
?四、先進保護機制詳解?
?1. 智能過載保護系統(tǒng)?
- OLP計數(shù)器機制:故障持續(xù)超過TOVL=50ms觸發(fā)保護
- 內(nèi)部軟啟動時間:TSS=8ms
?2. 多重保護協(xié)調(diào)工作?
- 輸入OVP、輸出OVP、過溫保護三合一
- 自動重啟模式避免鎖定狀態(tài)
- 數(shù)字濾波技術(shù)增強抗噪能力
?五、PCB布局關(guān)鍵要點?
? 高頻噪聲抑制策略: ?
- VDD與GND間需就近布置100nF陶瓷電容
- DRV引腳需連接1μF低ESR/ESL電容
? 功率環(huán)路最小化設(shè)計: ?
- 輸入電容-變壓器-開關(guān)管環(huán)路面積優(yōu)化
- 輔助繞組采樣路徑與主功率路徑隔離
?六、典型應(yīng)用電路配置?
? 全功能配置方案: ?
- TB引腳同時實現(xiàn)動態(tài)消隱和谷底同步
- 配置參數(shù)需滿足:RDELAY > 750Ω確保功能檢測
? 簡化配置方案: ?
- TB引腳接地可禁用動態(tài)功能
- 設(shè)計靈活度支持多種組合:
- 僅動態(tài)消隱
- 僅谷底同步
- 全功能禁用
? EMI優(yōu)化技術(shù): ?
- 頻率抖動調(diào)制:10kHz@50%占空比
- 峰值電流調(diào)制深度:5%
?七、設(shè)計驗證與測試建議?
? 關(guān)鍵參數(shù)驗證清單: ?
- 啟動電壓:VSTART=34.5-41V(RHV=10-20MΩ)
- 谷底同步精度:TD-ON范圍197ns-1.1μs
- OVP響應(yīng)時間:需連續(xù)4個振蕩周期確認
? 性能優(yōu)化路徑: ?
- 通過ROPP電阻優(yōu)化線電壓前饋補償
- 利用KBLANK增益精細調(diào)整動態(tài)消隱時間
?八、應(yīng)用場景與選擇指導(dǎo)?
? 適配功率范圍: ?
- 高效電源適配器(45-75W)
- 快速電池充電器
- 工業(yè)/家電輔助電源
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