STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard? K6功率MOSFET具有出色的RDS(on) x 面積和低總柵極電荷（Q g ），可實現(xiàn)高開關(guān)速度和低損耗。集成ESD保護二極管提高了STD80N240K6 MOSFET的整體耐用性，高達2類人體模型（HBM）。與上一代的MDmesh K5相比，MDmesh K6 MOSFET具有更低的閾值電壓，可實現(xiàn)更低的驅(qū)動電壓，從而降低功耗并提高效率，主要用于零瓦待機應(yīng)用。STD80N240K6優(yōu)化用于基于反激式拓撲的照明應(yīng)用，例如LED驅(qū)動器和HID燈。該器件還非常適用于平板顯示器的適配器和電源。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET采用緊湊DPAK（TO-252）A2型封裝。

特性

• 漏極-源極電壓（V DS ）：800V
• 柵極-源極電壓（V GS ）：±30V
• 漏極-源極導(dǎo)通電阻（R DS(ON) )：197m?（典型值）
• 總柵極電荷（Q g ）：25.9nC
• 連續(xù)漏極電流（I D ）
  • 16A（TC = 25°C時）
  • 10A（TC = 100°C時）
• 零柵極電壓漏極電流（I DSS ）：1μA
• 柵極體漏電流（I GSS ）：±1μA
• 柵極閾值電壓（V GS (th) ）：3.5V
• 脈沖漏極電流（I DM ）：35A
• 總功耗（P TOT ）：105W（TC = 25°C時）
• 100% 經(jīng)雪崩測試
• 齊納保護
• 工作結(jié)溫范圍（T j ）：-55°C至150°C
• DPAK（TO-252）A2型封裝

內(nèi)部電路

測試電路

包裝外形

STD80N240K6功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、器件概述

?STD80N240K6?是意法半導(dǎo)體采用第六代MDmesh超級結(jié)技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET，具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)：

• ?額定電壓?：800V VDS
• ?導(dǎo)通電阻?：典型值197mΩ，最大值220mΩ（VGS=10V，ID=7A）
• ?持續(xù)電流?：16A（TC=25℃）
• ?封裝形式?：DPAK（TO-252）表貼封裝

二、核心電氣特性

2.1 極限參數(shù)

• ?柵源電壓?：±30V（VGS）
• ?峰值漏電流?：35A（IDM）
• ?最大功耗?：105W（TC=25℃）
• ?工作結(jié)溫?：-55℃至150℃

2.2 靜態(tài)特性

• ?閾值電壓?：3-4V（VGS(th)，ID=100μA）
• ?輸入電容?：1350pF（Ciss，VDS=400V）
• ?輸出電容?：20pF（Coss，VDS=400V）

2.3 動態(tài)性能

• ?開關(guān)速度?：
  • 開啟延遲時間：16ns（典型值）
  • 上升時間：5.3ns（典型值）
    176
• ?柵極電荷?：
  • 總柵極電荷（Qg）：25.9nC
  • 柵源電荷（Qgs）：6.9nC
  • 柵漏電荷（Qgd）：8.4nC

三、技術(shù)優(yōu)勢分析

3.1 MDmesh K6技術(shù)亮點

• ?最佳FOM指標(biāo)?：RDS(on)×Qg達到業(yè)界領(lǐng)先水平
• ?超低柵極電荷?：優(yōu)化開關(guān)損耗，提升效率
• ?齊納保護?：內(nèi)置柵極保護二極管
• ?100%雪崩測試?：確保器件可靠性

3.2 熱管理特性

• ?結(jié)殼熱阻?：1.19℃/W
• ?結(jié)板熱阻?：50℃/W（安裝于1英寸2 FR-4板）

四、關(guān)鍵應(yīng)用設(shè)計要點

4.1 適配器應(yīng)用

• ?推薦工作條件?：
  • 柵極驅(qū)動電壓：10-12V
  • 開關(guān)頻率：65-100kHz
• ?布局建議?：
  • 減小柵極回路寄生電感
  • 提供足夠的散熱面積

4.2 LED照明驅(qū)動

• ?優(yōu)勢特性?：
  • 高耐壓適合高功率LED串
  • 低Qg適合高頻PWM調(diào)光

4.3 反激變換器

• ?關(guān)鍵參數(shù)?：
  • 雪崩能量：200mJ（25℃）
  • 反向恢復(fù)時間：335ns（典型值）

五、設(shè)計注意事項

5.1 驅(qū)動電路設(shè)計

• ?柵極電阻選擇?：基于開關(guān)速度與EMI平衡
• ?驅(qū)動能力需求?：考慮Qg與開關(guān)頻率關(guān)系

5.2 熱設(shè)計計算

• ?結(jié)溫估算公式?：
  TJ = TC + RthJC × PD
  其中PD = RDS(on) × ID2 + 開關(guān)損耗

5.3 保護電路

• ?過壓保護?：利用雪崩能力設(shè)計箝位電路
• ?過流保護?：結(jié)合RDS(on)溫度特性設(shè)計電流檢測

六、可靠性保障

6.1 工作邊界定義

• ?安全工作區(qū)?：
  • 考慮瞬時功率與熱限制
  • 避免二次擊穿風(fēng)險

6.2 測試驗證

• ?開關(guān)波形驗證?：確保VDS尖峰在安全范圍內(nèi)
• ?溫度監(jiān)控?：實際應(yīng)用中進行熱測試