2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎？

首先我們先來(lái)回顧下SLC、MLC及TLC。

SLC：全稱Single-Level Cell，每個(gè)Cell單元存儲(chǔ)1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電壓控制也快速，反映出來(lái)的特點(diǎn)就是壽命長(zhǎng)，性能強(qiáng)，P/E壽命在1萬(wàn)到10萬(wàn)次之間，但缺點(diǎn)就是容量低，成本高，畢竟一個(gè)Cell單元只能存儲(chǔ)1bit信息。

MLC：全稱是Multi-Level Cell，它實(shí)際上是跟SLC對(duì)應(yīng)的，SLC之外的NAND閃存都是MLC類型，而我們常說(shuō)的MLC是指2bit MLC，每個(gè)cell單元存儲(chǔ)2bit信息，電壓有000,01,10,11四種變化，所以它比SLC需要更復(fù)雜的電壓控制，加壓過(guò)程用時(shí)也變長(zhǎng)，意味著寫入性能降低了，同時(shí)可靠性也下降了，P/E壽命根據(jù)不同制程在3000-5000次不等，有的還更低。

TLC：也就是Trinary-Level Cell了，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)是3bit MLC，每個(gè)cell單元存儲(chǔ)3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構(gòu)更復(fù)雜，P/E編程時(shí)間長(zhǎng)，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會(huì)更低。

最新上市的QLC則是Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，電壓從0000到1111有16種變化，容量增加了33%，但是寫入性能、P/E壽命會(huì)再次減少。

QLC相對(duì)于其他三個(gè)閃存類型

性能進(jìn)一步下降

可為什么各大廠家還紛紛推出呢？

技術(shù)的進(jìn)步促使QLC被廣泛接受

正如TLC閃存剛問(wèn)世時(shí)一樣，QLC同樣面臨性能、可靠性下降的缺點(diǎn)，按理說(shuō)應(yīng)該對(duì)此技術(shù)感到擔(dān)憂甚至排斥，但幸運(yùn)的是NAND閃存已進(jìn)去3D NAND時(shí)代，并非2D NAND時(shí)代，所以3D NAND時(shí)代的QLC與2D NAND的TLC存在著很大的不同。

2D NAND閃存時(shí)代，為了NAND容量的提升，需要不斷提升NAND制程工藝，從而提高晶體管密度，提升NAND容量，降低成本，但NAND工藝提升導(dǎo)致可靠性變差。而3D NAND時(shí)代，提升NAND容量通過(guò)堆棧的層數(shù)，在工藝不變的情況下，可以擁有更大容量，并使可靠性得到維持。

而且最初的TLC閃存P/E壽命只有100-150次，而QLC直接使用了3DNAND技術(shù)，P/E壽命就達(dá)到了1000次，完全不輸于現(xiàn)在的3D TLC閃存,滿足日常用戶的需求。

超大容量SSD需求促使QLC成為主流

隨著市場(chǎng)的需求，超大容量的SSD已成為主要需求，TB級(jí)的SSD將成為起步水平，縱然超大容量的SSD性能無(wú)法勝過(guò)現(xiàn)有的MLC/TLC閃存硬盤，但作為代替HDD硬盤并非不可能。QLC閃存硬盤寫入速度大概在200-300MB/s左右，寫入性能已遠(yuǎn)高于HDD硬盤，同時(shí)容量可達(dá)10-100TB，不管是性能還是容量，都已高于現(xiàn)有的HDD硬盤。

QLC時(shí)代已經(jīng)到來(lái)，也許在性能上比MLC、TLC要差，但3D NAND 時(shí)代的QLC閃存解決了市場(chǎng)大容量的需求，同時(shí)克服HDD硬盤的缺點(diǎn)，因此QLC將有很大的可能成為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)的主流。