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左右全球DRAM產(chǎn)業(yè)的大案,聯(lián)電有機會藉此擴大影響力

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-20 09:32 ? 次閱讀
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聯(lián)電是全球第 3 大晶圓代工廠,過去 1 年,做晶圓代工的聯(lián)電,卻跨界和專做 DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的美國美光公司打起全球訴訟。 去年,美光在***和美國控告聯(lián)電侵害美光營業(yè)秘密,在***已遭起訴;今年初,聯(lián)電在中國福州,控告美光侵害聯(lián)電專利,7 月時,中國福州中級法院發(fā)出訴中禁令,禁止美光部分產(chǎn)品在中國販賣。 你來我往,互不相讓。

真正的導(dǎo)火線,是 2016 年聯(lián)電和中國內(nèi)存新廠──福建省晉華集成電路公司的一紙文件,指出聯(lián)電和晉華協(xié)議,是由晉華提供 3 億美元,替聯(lián)電采購研發(fā)設(shè)備,再按 DRAM 技術(shù)的開發(fā)進度支付聯(lián)電 4 億美元,但聯(lián)電必須開發(fā)出 32 奈米的 DR AM 相關(guān)制程技術(shù)。

▲ 福建省晉華集成電路是目前中國 3 個發(fā)展 DRAM 技術(shù)的團隊之一,整個投資案規(guī)模超過臺幣 1,500 億元。

左右全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的大案 聯(lián)電有機會藉此擴大影響力

事實上,2016 年 4 月,經(jīng)濟部投審會就通過了聯(lián)電和晉華的合作案,由聯(lián)電在南科研發(fā),再移轉(zhuǎn)到晉華生產(chǎn);聯(lián)電如果成功,中國和***將首度擁有自制 DRAM 的能力,全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的格局將因此改變, 聯(lián)電也能藉此擴大在利基型內(nèi)存市場的影響力,此役可謂非常關(guān)鍵。

但是現(xiàn)在,與美光的訴訟讓這起合作案變得極為敏感。 中國急于取得 DRAM 的制造能力,合肥睿力、清華紫光和福建晉華三股勢力,都爭相開發(fā) DRAM 技術(shù)。 我們好奇,聯(lián)電在這場大戰(zhàn)里,扮演什么樣的角色?

8 月 1 日,《財訊》采訪團隊赴福建晉江,直擊正在大興土木的晉華公司,一探聯(lián)電機密 DRAM 生產(chǎn)計劃的虛實。

車子進入晉江,迎面而來的是大批香蕉園,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)才是這里的主流,轉(zhuǎn)入一條小路后,右邊赫然出現(xiàn)一棟巨大的晶圓廠;《財訊》造訪時,晉華的主建筑物剛剛完成,警衛(wèi)室的鐵門都還沒裝上,就連一旁的旗桿都是前幾天裝的。

從外部觀察,晉華已經(jīng)進入裝機階段,因為,門口不時可看到***啟德的搬運車,這家公司正是專為***晶圓廠搬運設(shè)備的搬運商;這代表,這座廠不是空殼子,已經(jīng)在為生產(chǎn)做準備。

另一跡象是,硅品在晉華對面,也圈下一塊 44,000 坪的土地,趕工興建封測廠,很明顯的,硅品要趕在晉華一開始生產(chǎn)內(nèi)存時,就拿下相關(guān)的內(nèi)存封測商機。

▲ 硅品在福建晉華總部對面正拿下 4 萬坪土地,趕工興建封測廠,急著布局晉華未來的內(nèi)存封測商機。

問題是,聯(lián)電真能設(shè)計出 DRAM 技術(shù)嗎? 《財訊》記者多次要透過聯(lián)電約訪關(guān)鍵人物,聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤,但被拒絕,他也是現(xiàn)在福建晉華的總經(jīng)理。

這天中午,《財訊》在晉華門口「堵」到了陳正坤。

陳正坤是***瑞晶前總經(jīng)理,他經(jīng)營***瑞晶時,這家公司是***最賺錢的 DRAM 廠,當(dāng)時,每天下午 5 點,他就帶著年輕的工程師在廠區(qū)里跑步,這是他激勵團隊的方式。

關(guān)鍵人物陳正坤現(xiàn)身

晉華準備試產(chǎn),趕工布建產(chǎn)能

「陳總,來這里還跑嗎? 」《財訊》記者問陳正坤,跟著他走進晉華的大樓門廳,「快要開始了」,陳正坤笑,我們走進晉華的大門,門廳里晉華的標(biāo)志才剛剛貼上,陳正坤說,「這里的規(guī)模應(yīng)該有瑞晶的 3 到 5 倍」。 規(guī)畫是,要讓產(chǎn)能先到位,只要試產(chǎn)沒問題,隨時就能進入量產(chǎn)! 但,聯(lián)電做 DRAM 良率如何? 陳正坤低調(diào)回應(yīng),「我們已經(jīng)有良率」,意思是,已經(jīng)能成功制造產(chǎn)品,只待進一步修正,提高良率。 聯(lián)電 DRAM 量產(chǎn),在技術(shù)上已有重大突破。

陳正坤透露,聯(lián)電研發(fā) DRAM 的研發(fā)生產(chǎn)線早已在***南科運轉(zhuǎn),聯(lián)電調(diào)集 200-300 名研發(fā)工程師進行實驗,「我們做研發(fā),兢兢業(yè)業(yè),不敢松懈! 」他自信地說。

外傳聯(lián)電擁有晉華股份,問到這里,陳正坤急忙否認,「這里都是福建的」,陳正坤雖然掛晉華總經(jīng)理,但他其實是從聯(lián)電借調(diào)到晉華,提供晶圓廠設(shè)計服務(wù),讓聯(lián)電設(shè)計出的 DRAM 技術(shù),能搭配適當(dāng)?shù)纳a(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)。 而且,蓋廠要負擔(dān)沉重的成本,根據(jù)《紐約時報》報導(dǎo),這座廠要價 57 億美元。 只設(shè)計,不投資,對聯(lián)電目前的財務(wù)狀況來說,負擔(dān)才不會太沉重。

福建有可能成為中國第一個量產(chǎn) DRAM 的地方,問題是,***過去也從沒在 DRAM 上取得自主開發(fā)的技術(shù),怎么突然在 1 年半時間,研發(fā)出自主的量產(chǎn)技術(shù)?

《財訊》采訪多位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士,得到的結(jié)論是,內(nèi)存設(shè)計和制造其實不像外界想得那么困難,「但繞過 3 家大廠的專利保護網(wǎng)才困難」。 過去,DRAM 生產(chǎn)比的是速度,誰能用半導(dǎo)體微縮技術(shù),開發(fā)出新一代的內(nèi)存,就能在同樣一片晶圓上,生產(chǎn)出更多、成本更低的內(nèi)存,而且更省電,因此,在制程競賽中落后的廠商,就會因為缺乏成本競爭力被迫退出賽局。 但近幾年,由于半導(dǎo)體微縮制程已近物理極限,內(nèi)存線路微縮的速度也在放緩,這一點對新加入競爭的廠商有利。

試圖繞過 3 家大廠專利保護網(wǎng)

晉華給聯(lián)電極大優(yōu)惠,雙方各擁技術(shù)權(quán)

根據(jù)《財訊》調(diào)查,目前聯(lián)電高層認為,DRAM 技術(shù)里,device(器件)的設(shè)計,相當(dāng)于邏輯制程的 65 奈米,「這對我們很簡單」,真正難的是 module(模塊)的設(shè)計,「大約是 14 奈米制程,比較難,關(guān)卡在 module 技術(shù)」。

聯(lián)電已建立起 DRAM 研發(fā)能力,并規(guī)劃出不只一個世代的產(chǎn)品,雖然第一代從較成熟的 35 奈米開始,但未來有能力自己研發(fā)出使用 1X 制程的產(chǎn)品。 「DRAM 微縮的速度在放慢,」一位業(yè)界人士觀察,聯(lián)電如果能從 25 奈米切入,就能做出各式各樣的嵌入式產(chǎn)品,擁有巨大的商業(yè)價值,「但聯(lián)電對做一般 DRAM 沒有興趣,是為了發(fā)展代工用的嵌入式內(nèi)存技術(shù)才加入合作案」。

關(guān)鍵在于,聯(lián)電現(xiàn)在改變策略,要專注發(fā)展與臺積電不一樣的制程和服務(wù),嵌入式系統(tǒng)用的內(nèi)存技術(shù)對聯(lián)電未來發(fā)展十分重要,這項技術(shù)可以用在數(shù)據(jù)中心、高速運算物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,臺積電也積極投入研發(fā)。

投入 DRAM 的另一個關(guān)鍵是,晉華給了聯(lián)電極為優(yōu)惠的條件。

福建晉華拿出 3 億美元資金,替聯(lián)電買專用設(shè)備,放在南科聯(lián)電 12A 廠做研發(fā),如果做出這項技術(shù),晉華還會再按進度,拿出 4 億美元給聯(lián)電,最重要的是,聯(lián)電將和晉華共同擁有這項技術(shù)的所有權(quán)。 為了把技術(shù)留在***,聯(lián)電因此把研發(fā)基地設(shè)在南科。 這項技術(shù)合作案也通過投審會審查。

其中最重要的限制條件則是,「不能授權(quán)中國其他省分使用這項技術(shù);但中國之外,聯(lián)電能自由使用這項技術(shù)。 」聯(lián)電等于不用付錢,就有機會取得內(nèi)存技術(shù)。

這項計劃早已布局多年,在馬政府時代,曾有兩岸共同研發(fā) DRAM 技術(shù)的構(gòu)想,中國方面也一直積極在全世界找合作對象。 當(dāng)初福建省有意與爾必達前執(zhí)行長阪本幸雄合作,聯(lián)電原本只是想在阪本幸雄的旁邊蓋廠,共同采購設(shè)備,降低成本。

阪本幸雄最后「劈腿」,改與合肥合作,「新娘」跑了,福建官方就找上「媒人」,與聯(lián)電商議,「不如由聯(lián)電來做」,整個計劃前后布局至少 4、5 年。 聯(lián)電是意外參與這個計劃。

過去幾年,大部分人只注意到晶圓代工之王──臺積電的動向,卻沒注意,聯(lián)電開始把過去累積的半導(dǎo)體技術(shù)實力,拿到新的市場上「變現(xiàn)」。 聯(lián)電如果成功,中國和***將有自制 DRAM 的能力,惟聯(lián)電的新策略能否成功,除了攻克技術(shù)難關(guān),能不能打贏法律戰(zhàn),才是接下來最重要的關(guān)鍵。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:打造32納米DRAM,聯(lián)電400天奇襲密謀

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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