仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向 650V 高壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及 RoHS 合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT4N65F 為N 溝道功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值2.4Ω，平衡高壓場景下的導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：4A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達16A，滿足負載瞬時功率需求；
• 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值15nC，降低驅(qū)動電路功耗，提升開關(guān)頻率適配性。

二、核心特性

• 低導(dǎo)通電阻與高輸入電阻：在 650V 耐壓下保持較低的導(dǎo)通損耗，高輸入電阻特性簡化柵極驅(qū)動設(shè)計；
• RoHS 合規(guī)：采用無鹵工藝，符合環(huán)保制造要求，適配綠色電子產(chǎn)業(yè)需求；
• 高壓開關(guān)適配性：650V 耐壓與穩(wěn)定的開關(guān)特性，適合電子鎮(zhèn)流器、變壓器等高頻高壓開關(guān)場景。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 雪崩能量：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達260mJ，重復(fù)雪崩能量10.6mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強；
• 功耗（\(P_D\)）：30W，實際應(yīng)用需搭配散熱措施（如散熱片、PCB 敷銅）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：采用TO-220F 直插封裝，包裝規(guī)格為 50 片 / 管，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路，實現(xiàn)高頻開關(guān)與功率控制；
  • 電子變壓器：在低壓轉(zhuǎn)高壓的變壓器回路中作為開關(guān)管，保障能量高效轉(zhuǎn)換；
  • 開關(guān)模式電源：適配反激、正激等拓撲的高壓開關(guān)電源，實現(xiàn) 650V 級的功率轉(zhuǎn)換。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）