兆聲波清洗通過高頻振動（通常0.8–1 MHz）在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應，對晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而，其潛在損傷風險需結合工藝參數(shù)與材料特性綜合評估：

表面微結構機械損傷

納米級劃痕與凹坑：兆聲波產(chǎn)生的微射流和聲流沖擊力可達數(shù)百MPa，若功率密度過高或作用時間過長，可能對晶圓表面造成微觀劃痕或局部腐蝕。

圖形結構變形風險：對于高深寬比的3D NAND閃存結構，高強度聲波可能導致脆性介電層開裂或金屬互連移位。

界面態(tài)退化與電荷陷阱

氧化層缺陷引入：在SiO?/Si界面處，聲波能量可能破壞原有鍵合結構，形成懸掛鍵等缺陷態(tài)，增加界面態(tài)密度。

金屬離子污染加?。喝羟逑匆杭兌炔蛔悖茁暡〞铀俳饘匐s質向硅基底的擴散，導致器件漏電增加。

材料兼容性挑戰(zhàn)

光刻膠殘留碳化：針對厚膠剝離場景，單純依賴兆聲波可能造成膠體碳化附著，需配合氧等離子灰化實現(xiàn)完全去除。

化合物半導體敏感性：GaN、SiC等第三代半導體材料雖硬度較高，但其表面外延層仍可能因聲波共振出現(xiàn)位錯增殖。

工藝不穩(wěn)定性誘因

溫度梯度應力：快速升溫過程中伴隨聲波振動，易引發(fā)多層膜結構間的熱膨脹失配，導致薄膜剝落。

化學試劑協(xié)同效應：當與DHF等腐蝕性溶液聯(lián)用時，聲波空化作用會顯著增強化學反應速率，增加過度蝕刻風險。

為降低上述損傷風險，建議采取以下優(yōu)化措施：采用脈沖式聲波輸出模式；精確控制清洗液溫度（±0.5℃）；選用低損傷型清洗劑配方；定期維護換能器振幅均勻性。實際應用中需根據(jù)具體制程節(jié)點（如28nm以下邏輯芯片或3D NAND堆疊層數(shù)）調整工藝窗口，確保清洗效率與器件可靠性之間的平衡。