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【產(chǎn)品介紹】L-Edit IC和L-Edit Advanced:模擬/混合信號(hào) (AMS) 版圖

深圳市和??萍加邢薰?/a> ? 2025-11-11 11:22 ? 次閱讀
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優(yōu)勢(shì)

支持FinFET及傳統(tǒng)工藝,低至12nm

完整的層次化物理版圖,包括任意角度和曲線多邊形

支持多用戶并行讀寫(xiě)OpenAccess數(shù)據(jù)庫(kù)

原理圖驅(qū)動(dòng)版圖(SDL)和工程變更單(ECO)保持版圖設(shè)計(jì)時(shí)的連續(xù)性

交互式跟隨指針布線

從其他設(shè)計(jì)環(huán)境導(dǎo)入工藝及顯示文件

與Calibre和Calibre RealTime軟件集成

可在原理圖、版圖和LVS報(bào)告之間實(shí)現(xiàn)交互顯示,以高亮顯示走線或器件

高亮顯示節(jié)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)連接可視化

自動(dòng)抓取特征點(diǎn)可快速、準(zhǔn)確的完成版圖

通過(guò)參數(shù)化單元的自動(dòng)實(shí)例化、實(shí)時(shí)網(wǎng)絡(luò)飛線、布線完成度追蹤、按節(jié)點(diǎn)和ECO追蹤的圖形標(biāo)記/高亮顯示來(lái)提高布線效率

完整的IC物理實(shí)現(xiàn)環(huán)境

Tanner L-Edit IC是一個(gè)模擬/混合信號(hào)(AMS)IC物理實(shí)現(xiàn)環(huán)境,提供快速、高效地完成設(shè)計(jì)版圖所需的全部功能,包括:

原理圖驅(qū)動(dòng)版圖(SDL)功能讓用戶一開(kāi)始就能創(chuàng)建與原理圖匹配的版圖

高亮顯示節(jié)點(diǎn),實(shí)現(xiàn)連接可視化

輸入/輸出Pad坐標(biāo)及版圖的提取,可輕松生成焊接報(bào)告

通過(guò)直接讀寫(xiě)OpenAccess數(shù)據(jù)庫(kù),L-Edit使用戶能夠與第三方工具共享設(shè)計(jì),從而提高您的工作效率。在團(tuán)隊(duì)中工作時(shí),可借助多用戶支持在開(kāi)始編輯時(shí)隱式鎖定單元,然后在關(guān)閉窗口時(shí)解鎖。直接使用代工廠提供的文件,無(wú)需手動(dòng)設(shè)置工藝信息,從而節(jié)省時(shí)間。利用L-Edit的物理設(shè)計(jì)功能最大限度地提高效率,減輕CAD經(jīng)理的支持負(fù)擔(dān),憑借平臺(tái)獨(dú)立性和靈活的許可管理輕松啟動(dòng)并運(yùn)行。

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L-Edit IC芯片視圖;該版圖工具是一個(gè)全面的模擬/混合信號(hào)(AMS)IC物理設(shè)計(jì)環(huán)境。

精確創(chuàng)建版圖

L-Edit支持對(duì)任意形狀、任意曲線的多邊形執(zhí)行復(fù)雜的布爾運(yùn)算和派生層操作,提供了更高的精度??舍槍?duì)對(duì)象組執(zhí)行與、或、異或、減法、擴(kuò)展和收縮等運(yùn)算和操作。以任意工藝單位顯示坐標(biāo)和距離值,并自動(dòng)在任意形狀周?chē)砑颖Wo(hù)環(huán)。通過(guò)將多個(gè)版圖功能映射到單個(gè)按鍵,進(jìn)一步提高用戶的工作效率。

L-Edit還支持:

在任意圖層上,使用任意角度和曲線多邊形執(zhí)行完整層次化物理版圖

使用正交、45°、任意角度和曲線繪制模式

以最快的渲染速度查看設(shè)計(jì)

命令行界面實(shí)時(shí)顯示操作記錄

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L-Edit交互式DRC可在用戶編輯版圖時(shí)實(shí)時(shí)顯示違規(guī),讓用戶第一次就能創(chuàng)建緊湊、無(wú)錯(cuò)誤的版圖。

L-Edit支持參數(shù)化單元??梢圆捎眯袠I(yè)標(biāo)準(zhǔn)iPDK(可互操作工藝設(shè)計(jì)套件)格式或內(nèi)置的T-Cell格式創(chuàng)建參數(shù)化單元。

其他有助于簡(jiǎn)化編輯的功能包括:

使用虛擬Layer Palette直接在版圖中更改當(dāng)前繪制圖層

執(zhí)行無(wú)限次撤消和重做操作

執(zhí)行任意角度旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)、合并、挖孔和切割操作

通過(guò)將指針捕捉到對(duì)象的頂點(diǎn)、邊緣、中點(diǎn)、中心點(diǎn)、交點(diǎn)和實(shí)例來(lái)加速繪制和編輯

一鍵執(zhí)行水平或垂直對(duì)象對(duì)齊、對(duì)象等距,或水平、垂直或以二維陣列方式平鋪對(duì)象

使用基點(diǎn)功能指定編輯操作(例如對(duì)象旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)、移動(dòng)或?qū)嵗季郑┑膮⒖键c(diǎn)

高分辨率繪圖引擎支持L-Edit中的各種顯示渲染,包括圖例、標(biāo)尺、標(biāo)題等

使用WaferTools在晶圓上填充最大數(shù)量的裸片,并給每一個(gè)裸片做標(biāo)記

CurveTools可以快速在版圖中生成倒角和圓角。該工具在處理已轉(zhuǎn)換為任意角度的曲線對(duì)象時(shí),會(huì)為走線添加等寬的圓角,

并將多個(gè)邊緣處理為一條邊緣

MaskBias可逐層輕松調(diào)整掩模大小

FinFET特定功能

這種技術(shù)需要改變方法論,新產(chǎn)品L-Edit Advanced可以在16nm和12nm上實(shí)現(xiàn)這些改變。Fin格點(diǎn)可以基于晶圓代工廠規(guī)則來(lái)定義。版圖中每個(gè)模塊都定義了走線(寬度、間距)模式。還可以從先前的設(shè)計(jì)中導(dǎo)入走線模式或?qū)⑵鋵?dǎo)出以供未來(lái)的設(shè)計(jì)使用。定義了走線模式后,就會(huì)在版圖中定義一個(gè)區(qū)域并將其與一組走線模式相關(guān)聯(lián)。

使用PDK中晶圓代工廠提供的程序可支持自動(dòng)對(duì)接。并可生成符合DRC要求的自動(dòng)對(duì)接實(shí)例。還可以放置保護(hù)環(huán),保護(hù)環(huán)可根據(jù)晶圓代工廠工藝進(jìn)行參數(shù)化和定制。這些保護(hù)環(huán)可以被打斷和修復(fù)。L-Edit支持用戶指定掩膜層的著色顯示。

適用于多樣化環(huán)境

利用L-Edit的易用性優(yōu)勢(shì)節(jié)省時(shí)間和成本:

利用經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、可定制且易于管理的工具提供強(qiáng)大的功能

可快速上手

使用戶能夠?qū)牒蛯?dǎo)出GDS、OASIS(來(lái)自SEMI)、DXF、Gerber和CIF文件格式

提供多語(yǔ)言菜單(英語(yǔ)、日語(yǔ)、簡(jiǎn)體中文、繁體中文、德語(yǔ)、意大利語(yǔ)和俄語(yǔ))

自定義和過(guò)濾Layer Palette,僅顯示文件、當(dāng)前單元或單元及其層次結(jié)構(gòu)中使用的圖層,讓用戶更快地完成版圖

讓用戶能夠輕松地將版圖復(fù)制并粘貼到文檔流程中

其他生產(chǎn)力功能:

面積計(jì)算器

支持高分辨率MEMS掩膜文件輸出

輸入/輸出Pad坐標(biāo)及版圖的提取,可輕松生成焊接報(bào)告

創(chuàng)建自動(dòng)化宏

L-Edit功能強(qiáng)大的UPI允許用戶創(chuàng)建宏,以自動(dòng)執(zhí)行版圖操作、圖形處理、批量驗(yàn)證和高級(jí)分析。用戶可以通過(guò)將多個(gè)版圖功能映射到單個(gè)按鍵,進(jìn)一步提高工作效率。UPI宏采用Python、TCL、C和C++語(yǔ)言編寫(xiě),可以直接在L-Edit中執(zhí)行或編譯為DLL。

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L-Edit節(jié)點(diǎn)高亮顯示提供連接可視化,以便用戶快速找到/修復(fù)LVS問(wèn)題。

使用交互式DRC隨時(shí)修正版圖

L-Edit交互式DRC可在您編輯版圖時(shí)實(shí)時(shí)顯示違規(guī),讓用戶第一次就能創(chuàng)建緊湊、無(wú)錯(cuò)誤的版圖。交互式DRC可同時(shí)檢查同一單元中的對(duì)象之間以及整個(gè)單元層次結(jié)構(gòu)中的對(duì)象之間的違規(guī)。在編輯過(guò)程中顯示相鄰邊之間的距離,并讓交互式DRC不允許繪制或編輯會(huì)導(dǎo)致違規(guī)的形狀,從而防止違規(guī)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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