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傾佳電子c技術(shù)深度分析:拓?fù)?、原理與應(yīng)用

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-11-13 21:48 ? 次閱讀
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傾佳電子高壓級(jí)聯(lián)技術(shù)深度分析:拓?fù)?、原理與應(yīng)用

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傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

第一部分:高壓工程中的級(jí)聯(lián)原理導(dǎo)論

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A. 將“級(jí)聯(lián)”定義為一種設(shè)計(jì)范式

在中文語境中,“高壓級(jí)聯(lián)技術(shù)”是一個(gè)涵蓋性術(shù)語,而非指代單一的特定技術(shù)。其核心“級(jí)聯(lián)”(Cascade)是一種工程設(shè)計(jì)范式,其根本目的是通過將多個(gè)低電壓?jiǎn)卧?lián)起來,以構(gòu)建一個(gè)能夠承受和控制更高總電壓的系統(tǒng)。這一原理是高壓工程的基石,因?yàn)樗试S工程師繞過單個(gè)半導(dǎo)體器件或組件的固有電壓限制。通過級(jí)聯(lián),系統(tǒng)得以實(shí)現(xiàn)模塊化擴(kuò)展、精確的電壓分級(jí)以及在某些配置下的電壓倍增。

B. 三個(gè)主要級(jí)聯(lián)技術(shù)域的區(qū)分

對(duì)“高壓級(jí)聯(lián)”這一術(shù)語的深度研究必須首先厘清其在不同工程領(lǐng)域中的三種截然不同但均合法合理的實(shí)現(xiàn)方式。這三種方式在目標(biāo)、拓?fù)浜?a href="http://m.brongaenegriffin.com/v/tag/773/" target="_blank">工作原理上有著本質(zhì)區(qū)別:

域1:多電平功率變換(級(jí)聯(lián)H橋, CHB) 此域主要關(guān)注中壓(MV)功率變換,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電網(wǎng)接口。其目的是利用多個(gè)級(jí)聯(lián)的功率單元(通常是H橋)來合成一個(gè)高質(zhì)量、低諧波、高電壓的交流(AC)波形。其核心是功率流控制和諧波抑制 。

域2:高壓直流倍壓(Cockcroft-Walton, CW) 此域關(guān)注高壓直流(DC)的產(chǎn)生。它使用二極管電容器組成的級(jí)聯(lián)“梯形”網(wǎng)絡(luò),將一個(gè)低壓AC輸入“泵”升至極高的穩(wěn)定DC電壓輸出。其核心是電壓倍增 。

域3:高壓脈沖產(chǎn)生(Marx發(fā)生器) 此域關(guān)注高功率瞬態(tài)脈沖的生成。它采用“并聯(lián)充電,串聯(lián)放電”的級(jí)聯(lián)原理,在納秒或微秒級(jí)別內(nèi)將多個(gè)電容器的儲(chǔ)能疊加,以創(chuàng)造一個(gè)瞬時(shí)的高壓巨脈沖。其核心是能量的瞬時(shí)疊加 。

C. 報(bào)告結(jié)構(gòu)與目標(biāo)

本報(bào)告旨在為具備專業(yè)背景的讀者提供一份詳盡的技術(shù)評(píng)估。報(bào)告將分為獨(dú)立的部分,依次深入剖析上述三個(gè)技術(shù)域。我們將解構(gòu)每種技術(shù)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、核心工作原理、先進(jìn)控制策略、關(guān)鍵應(yīng)用以及最新的技術(shù)進(jìn)展。最后,報(bào)告將對(duì)這些技術(shù)進(jìn)行橫向比較,揭示它們之間的協(xié)同關(guān)系,并對(duì)高壓級(jí)聯(lián)技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行展望。

第二部分:用于中壓功率變換的級(jí)聯(lián)H橋(CHB)多電平逆變器

級(jí)聯(lián)H橋(Cascaded H-Bridge, CHB)多電平逆變器是中壓功率變換領(lǐng)域的主流拓?fù)渲弧?/p>

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A. 基本原理與拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

1. 構(gòu)件:H橋“功率單元” CHB拓?fù)涞幕緲?gòu)件是標(biāo)準(zhǔn)的單相全橋(或H橋)逆變器,它通常被稱為“功率單元”(Power Cell)。每個(gè)功率單元由一個(gè)獨(dú)立的直流電壓源供電。通過控制其內(nèi)部的四個(gè)開關(guān),每個(gè)單元可以產(chǎn)生三個(gè)離散的輸出電壓電平:+Vdc?(直流源電壓)、0(通過短路上下橋臂實(shí)現(xiàn))和$-V_{dc}$ 。

2. 串聯(lián)擴(kuò)展與電壓合成原理 CHB拓?fù)渫ㄟ^將 N 個(gè)這樣的H橋功率單元在交流側(cè)串聯(lián)而構(gòu)成 。該相的總輸出電壓(例如A相的相電壓)是其串聯(lián)的所有 N 個(gè)單元輸出電壓的代數(shù)和 。

通過對(duì)每個(gè)單元的輸出(+Vdc?, 0, ?Vdc?)進(jìn)行組合,系統(tǒng)能夠合成一個(gè)多電平的階梯狀波形 。對(duì)于一個(gè)由 N 個(gè)單元組成的CHB逆變器,其輸出電壓電平數(shù) m 為 m=2N+1 。例如,一個(gè)由2個(gè)H橋級(jí)聯(lián)的系統(tǒng)(N=2)可以產(chǎn)生 2×2+1=5 個(gè)電平:?2Vdc?、?Vdc?、0、+Vdc?、+2Vdc? 。

3. 關(guān)鍵特性與設(shè)計(jì)約束

模塊化 (Modularity): 該拓?fù)渚哂懈叨鹊哪K化特性,因?yàn)樗赏耆嗤墓β蕟卧貜?fù)堆疊而成 。

高電能質(zhì)量: 輸出的“階梯波”極大地逼近了理想的正弦波,從而顯著降低了總諧波失真(THD)和開關(guān)應(yīng)力(dv/dt)。

關(guān)鍵約束:隔離直流源 (SDCSs): CHB拓?fù)渥罡镜脑O(shè)計(jì)約束是,每一個(gè) H橋功率單元都必須由一個(gè)與其他單元相互電隔離的直流電源供電 。

B. 工程合理性分析

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CHB拓?fù)湓谥袎海∕V)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,其根本驅(qū)動(dòng)力并不僅僅是低THD,而是它巧妙地解決了一個(gè)高壓電力電子的根本難題。

在高壓應(yīng)用中(例如 4.16 kV 至 13.8 kV),直接使用高壓半導(dǎo)體器件(如高壓IGBT)面臨巨大挑戰(zhàn)。若將這些高壓器件直接串聯(lián),則必須解決復(fù)雜的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均壓?jiǎn)栴},這會(huì)顯著增加控制復(fù)雜性和成本,并降低系統(tǒng)可靠性。

CHB拓?fù)鋭t提供了一種截然不同的思路 。它避免了器件的直接串聯(lián),轉(zhuǎn)而采用完整功率單元的串聯(lián)。系統(tǒng)總電壓被分配到 N 個(gè)單元上,每個(gè)單元僅承受總電壓的一小部分(例如,在一個(gè) 6.6 kV 的系統(tǒng)中,每個(gè)單元可能僅處理 900V 電壓)。

這種設(shè)計(jì)使得整個(gè)中壓系統(tǒng)可以使用成熟、廉價(jià)、高可靠性的低壓半導(dǎo)體器件(如標(biāo)準(zhǔn)的 1700V IGBT)來構(gòu)建 。因此,CHB的模塊化 不僅是為了擴(kuò)展性,更是一種核心的工程策略,旨在利用低壓器件的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)和高可靠性,來規(guī)避高壓器件串聯(lián)的固有難題。

C. 多電平拓?fù)涞臋M向比較

CHB是三種“經(jīng)典”多電平逆變器(MLI)拓?fù)渲?,另兩種是中點(diǎn)鉗位型(NPC)和飛跨電容型(FC)。理解CHB的優(yōu)勢(shì)必須通過對(duì)比:

直流源需求: NPC和FC拓?fù)鋬H需一個(gè)單一的主直流母線 。而CHB需要 N 個(gè)相互隔離的直流源,這是其主要的應(yīng)用門檻 。

無源元件: NPC需要大量的鉗位二極管;FC需要大量的“飛跨”電容器。CHB拓?fù)浔旧韯t不需要這兩種元件 。

電壓平衡問題: NPC面臨二極管損耗問題;FC則面臨一個(gè)極其復(fù)雜的主動(dòng)電容電壓平衡問題(需要復(fù)雜的控制算法來維持所有飛跨電容的電壓)。CHB沒有這種主動(dòng)平衡問題,其直流側(cè)電容僅作為能量緩沖(被動(dòng)),而非電平生成的關(guān)鍵 。

升壓能力: CHB具備天然的電壓提升能力,而NPC和FC不具備 。

為了量化這些設(shè)計(jì)權(quán)衡,下表(基于 中的數(shù)據(jù))對(duì)一個(gè)示例性系統(tǒng)進(jìn)行了比較:

對(duì)比指標(biāo) NPC FC CHB
直流源數(shù)量 1 1 N (例如 4)
主功率開關(guān)數(shù) 16 16 16
電容數(shù)量 8 9 0 (僅直流環(huán)節(jié))
二極管數(shù)量 14 (鉗位) 0 0
升壓能力
電容電壓平衡 主動(dòng) 主動(dòng) 被動(dòng)

此表的分析清晰地表明了工程上的權(quán)衡:選擇CHB的“代價(jià)”是必須提供 N 個(gè)隔離電源。而其“回報(bào)”是極簡(jiǎn)的功率電路(沒有鉗位二極管或飛跨電容)和簡(jiǎn)化的控制(沒有復(fù)雜的主動(dòng)電容平衡算法)。這解釋了為何在能夠低成本提供隔離電源(如使用多繞組變壓器)或隔離電源天然存在(如光伏)的場(chǎng)合,CHB成為首選。

D. 先進(jìn)控制與調(diào)制策略

CHB系統(tǒng)的控制是一個(gè)多輸入多輸出(MIMO)的復(fù)雜問題,其控制架構(gòu)通常是分層的。

1. 調(diào)制策略 (波形生成) 調(diào)制策略負(fù)責(zé)產(chǎn)生高頻開關(guān)信號(hào)以合成所需的低頻(如 50/60 Hz)正弦波。

載波相移PWM (PS-PWM): 這是CHB最主流的調(diào)制方法 。它為 N 個(gè)單元中的每一個(gè)都分配一個(gè)相同頻率和相同幅度的三角載波 。關(guān)鍵在于,這 N 個(gè)載波在時(shí)間上相互相位平移,通常相移角度為 N180°?。

PS-PWM的優(yōu)勢(shì):

諧波對(duì)消: 它使得CHB總輸出的等效開關(guān)頻率變?yōu)閱蝹€(gè)單元開關(guān)頻率的 N 倍(N×fsw?)。這能有效地將主要諧波推高到極高頻率,使得輸出濾波器非常小或甚至不需要 。

損耗均衡: 該策略天然地將開關(guān)損耗均勻分布到所有 N 個(gè)功率單元上,這對(duì)于系統(tǒng)的熱管理、延長(zhǎng)器件壽命至關(guān)重要 。

其他策略: 還包括電平移位PWM (LS-PWM) 和特定諧波消除 (SHE),后者通過優(yōu)化開關(guān)角度來消除特定的低次諧波 。

2. 控制策略 (系統(tǒng)調(diào)節(jié)): 直流側(cè)電壓均衡 盡管CHB沒有FC拓?fù)淠菢拥摹帮w跨電容”平衡問題,但它仍必須確保每個(gè)單元的直流側(cè)電容電壓保持穩(wěn)定和一致,以防止能量不平衡 。一套先進(jìn)的控制方案 將此問題分解為兩個(gè)層面:

“垂直均衡” (Vertical Balancing): 調(diào)節(jié)同一相內(nèi)各個(gè)單元之間的電壓均衡。這通常通過一個(gè)快速的內(nèi)環(huán)PI控制器 實(shí)現(xiàn),該控制器輕微調(diào)整該單元的調(diào)制波(或相移),以控制流入或流出該單元的微小有功功率,從而精確控制其直流側(cè)電容電壓 。

“水平均衡” (Horizontal Balancing): 調(diào)節(jié)三相之間的平均能量均衡。在負(fù)載不平衡或三相電源不對(duì)稱的情況下,需要一個(gè)較慢的外環(huán)控制器。該控制器通過注入一個(gè)零序(共模)電壓,在三相之間主動(dòng)轉(zhuǎn)移有功功率,以確保三相的平均直流電壓保持一致 。

綜上所述,CHB的控制系統(tǒng)是一個(gè)精巧的層級(jí)結(jié)構(gòu):PS-PWM(第一層)作為執(zhí)行器,負(fù)責(zé)瞬時(shí)波形合成;垂直均衡(第二層)作為快速內(nèi)環(huán),確保相內(nèi)單元的健康;水平均衡(第三層)作為慢速外環(huán),確保整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定。

E. 關(guān)鍵設(shè)計(jì)與可靠性考量

CHB拓?fù)涞目煽啃栽诤艽蟪潭壬先Q于其絕緣設(shè)計(jì),因?yàn)樵撏負(fù)涞谋举|(zhì)是讓大量功率單元“浮動(dòng)”在不同的高電位上。

1. 核心挑戰(zhàn):絕緣 系統(tǒng)必須在三個(gè)層面實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛的電隔離 :

功率隔離: N 個(gè)獨(dú)立的直流電源 。

控制隔離: 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)必須從地電位安全地傳輸?shù)矫總€(gè)浮動(dòng)的H橋 。

傳感隔離: 必須從每個(gè)浮動(dòng)的單元上精確采回電壓和電流信號(hào) 。

2. 物理絕緣設(shè)計(jì) 絕緣失效是CHB系統(tǒng)的主要故障模式。因此,物理布局設(shè)計(jì)至關(guān)重要,必須嚴(yán)格遵守爬電距離(Creepage,沿絕緣表面的最短距離)和電氣間隙(Clearance,通過空氣的最短距離)的標(biāo)準(zhǔn) 。不當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致局部電場(chǎng)強(qiáng)度過高,引發(fā)離子遷移和電暈放電,最終導(dǎo)致絕緣過早擊穿 。

3. 高級(jí)解決方案:全光纖隔離 在MV環(huán)境中,存在極強(qiáng)的電磁干擾(EMI)和共模瞬態(tài)(CMTI)。傳統(tǒng)的隔離方式(如脈沖變壓器或光耦)可能難以應(yīng)對(duì)。

一種更優(yōu)越且更魯棒的解決方案是采用全光纖隔離 。這涉及使用非導(dǎo)電的光纖來傳輸所有信號(hào):

柵極驅(qū)動(dòng): 通過光纖發(fā)送PWM控制命令。

傳感反饋: 采用光纖電流傳感器(FOCS)等技術(shù),在光學(xué)域進(jìn)行測(cè)量。

這種“全光”方案提供了近乎完美的電氣隔離,完全免疫EMI,極大地提高了系統(tǒng)可靠性,并降低了人員操作的危險(xiǎn) 。

F. 核心應(yīng)用領(lǐng)域

1. 中壓(MV)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(VFDs) 這是CHB拓?fù)渥钪饕?、最成熟的商業(yè)應(yīng)用 。其近乎正弦波的輸出質(zhì)量(低THD和低dv/dt)對(duì)電機(jī)極為友好,可減少電機(jī)絕緣層和軸承的電應(yīng)力,且通常不需要額外的輸出濾波器 。

此外,CHB的冗余性是其在關(guān)鍵工業(yè)流程中(如石化、采礦)的巨大優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)可以被設(shè)計(jì)為在某個(gè)功率單元發(fā)生故障時(shí),自動(dòng)將其旁路(Bypass),并在降額模式下繼續(xù)運(yùn)行,避免了代價(jià)高昂的非計(jì)劃停機(jī) 。

2. 商業(yè)實(shí)例:西門子 (Innomotics) PERFECT HARMONY (Robicon) 西門子的PERFECT HARMONY系列驅(qū)動(dòng)器(現(xiàn)屬Innomotics)是CHB拓?fù)渖虡I(yè)化的典范 。

隔離電源的實(shí)現(xiàn): 它們通過一個(gè)大型的移相多繞組輸入變壓器來完美解決隔離直流源(SDCSs)的需求 。

輸入諧波: 該變壓器的多繞組(例如24脈沖或更多)和移相特性,還額外帶來了極低輸入電流諧波的優(yōu)點(diǎn),對(duì)電網(wǎng)非常友好 。

規(guī)格: 該系列產(chǎn)品覆蓋了極寬的功率范圍(高達(dá) 25 MW)和電壓等級(jí)(高達(dá) 11 kV 甚至 13.8 kV)。

3. 可再生能源并網(wǎng)(光伏) 如果說MV驅(qū)動(dòng)是CHB的強(qiáng)制應(yīng)用(依賴變壓器),那么光伏(PV)應(yīng)用則是CHB的天作之合。

CHB拓?fù)涞闹饕秉c(diǎn)是需要 N 個(gè)隔離直流源 。然而,一個(gè)大型光伏電站天然就是由 N 個(gè)相互獨(dú)立的光伏組串構(gòu)成的 。

這種拓?fù)鋮f(xié)同性帶來了巨大優(yōu)勢(shì):

消除變壓器: 根本不需要MV驅(qū)動(dòng)中那種笨重、昂貴、低頻的移相變壓器 。

分布式MPPT: 每個(gè)H橋單元可以為其所連接的單個(gè)光伏組串執(zhí)行獨(dú)立的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)。這完美解決了光伏電站中常見的“部分遮擋”問題——傳統(tǒng)集中式逆變器中,一個(gè)被遮擋的組串會(huì)拉低整個(gè)陣列的效率,而CHB-PV系統(tǒng)則不會(huì) 。

此外,CHB的快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)使其非常適合用于構(gòu)網(wǎng)型(Grid-Forming)逆變器,能夠?yàn)槿蹼娋W(wǎng)提供慣量和電壓支撐 。

4. 固態(tài)變壓器(SST)/ 電力電子變壓器(PET) CHB架構(gòu)是實(shí)現(xiàn)固態(tài)變壓器的關(guān)鍵技術(shù)之一 。在SST中,CHB用于在高壓側(cè)接口,將直流環(huán)節(jié)電壓轉(zhuǎn)換為中壓交流。一種設(shè)計(jì)采用高頻鏈(HF Link)變壓器來產(chǎn)生隔離直流源,以替代工頻變壓器,大幅縮小體積 。美國(guó)ARPA-E的一個(gè)項(xiàng)目()展示了一臺(tái)基于多電平逆變器(很可能是CHB)和寬禁帶器件的 100-kW、12.47 kV SST,實(shí)現(xiàn)了 99% 的驚人效率。

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G. 技術(shù)前沿:寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體的影響

碳化硅(SiC)寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體正深刻地重塑CHB拓?fù)涞奈磥?。它們提供比傳統(tǒng)硅(Si)器件更低的開關(guān)損耗、更高的工作頻率和更高的溫度耐受性。

德州儀器(TI)的一項(xiàng)分析 量化了這種優(yōu)勢(shì):

器件類型 開關(guān)頻率 功率密度 效率
IGBT (Si) 20 kHz 73 W/in3 98.3%
SiC 100 kHz 170 W/in3 98.9%

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WBG對(duì)CHB的影響是微妙且雙向的:

SiC(挑戰(zhàn)者): SiC器件可在高得多的阻斷電壓(如 3.3 kV, 6.5 kV)下商用。這挑戰(zhàn)了CHB的傳統(tǒng)邏輯。工程師現(xiàn)在可以考慮使用更少的電平(例如3電平NPC)和更高電壓的SiC器件來構(gòu)建MV系統(tǒng),而不是使用更多電平的低壓Si-CHB。

結(jié)論是,SiC技術(shù)可能導(dǎo)致CHB的電平數(shù)減少,電平性能更優(yōu)(更高效率、更高密度)。

第三部分:級(jí)聯(lián)型高壓脈沖功率發(fā)生器(Marx發(fā)生器)

Marx發(fā)生器是高壓脈沖功率領(lǐng)域最經(jīng)典的級(jí)聯(lián)拓?fù)洹?/p>

A. 工作原理與電路分析

Marx發(fā)生器的核心原理是“并聯(lián)充電,串聯(lián)放電” (parallel charging, series discharging) 。

充電階段: N 個(gè)電容器(C)通過高阻值的充電電阻(RC)并聯(lián)連接到一個(gè)直流高壓源上,被緩慢充電至電壓 VC?。在此階段,作為開關(guān)的火花間隙(Spark Gaps)處于斷開狀態(tài),彼此隔離 。

放電階段 (Erection): 當(dāng)?shù)谝粋€(gè)火花間隙被觸發(fā)(擊穿)時(shí),它會(huì)引起電位突變,導(dǎo)致后續(xù)所有火花間隙幾乎同時(shí)發(fā)生雪崩式擊穿(閉合)。這一動(dòng)作在瞬時(shí)(通常是納秒級(jí))重新配置了電路,使所有 N 個(gè)電容器串聯(lián)起來 。

脈沖輸出: 負(fù)載被連接在串聯(lián)電容鏈的總兩端。因此,負(fù)載上會(huì)承受一個(gè)理論峰值電壓為 N×VC? 的極高電壓脈沖 。

Marx發(fā)生器的目的是從一個(gè)相對(duì)低壓的直流電源,產(chǎn)生一個(gè)電壓高達(dá)數(shù)兆伏(MV)的瞬時(shí)脈沖 。

B. 拓?fù)溲葸M(jìn):從火花間隙到固態(tài)

經(jīng)典Marx發(fā)生器: 使用火花間隙作為開關(guān) 。優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、極其魯棒,能承受巨大瞬時(shí)電流和電壓。缺點(diǎn)是“一次性”或低重復(fù)頻率(≤1Hz),電極腐蝕導(dǎo)致維護(hù)量大,且脈沖波形質(zhì)量差 。

固態(tài)Marx發(fā)生器 (SSMG): 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,火花間隙被固態(tài)開關(guān)(如IGBT、MOSFET或晶閘管)所取代 。SSMG的優(yōu)勢(shì)是革命性的:可實(shí)現(xiàn)極高的脈沖重復(fù)頻率(kHz級(jí)別)、靈活可控的脈沖寬度和幅度、極長(zhǎng)的使用壽命和高緊湊性 。

C. 應(yīng)用與操作考量

科學(xué)研究:

粒子加速器: 作為高功率速調(diào)管(Klystron)的脈沖電源,或作為注入/引出系統(tǒng)的“沖擊器”(Kicker)。美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的Z機(jī)器(Z Machine)使用36個(gè)Marx發(fā)生器陣列進(jìn)行慣性約束聚變研究 。

高壓測(cè)試: 模擬雷電沖擊,用于測(cè)試大型電力變壓器、絕緣子等電力設(shè)備的絕緣性能 。

軍事與民用:

軍事: 用于驅(qū)動(dòng)高功率微波(HPM)武器和模擬核電磁脈沖(EMP)環(huán)境 。

民用: 脈沖電場(chǎng)(PEF)技術(shù)。利用高壓脈沖對(duì)細(xì)胞進(jìn)行電穿孔,廣泛用于食品殺菌和加工(例如土豆切割前的預(yù)處理)。

D. 深度辨析:Marx vs. CHB (時(shí)域級(jí)聯(lián) vs. 空間級(jí)聯(lián))

Marx和CHB雖然都用了“級(jí)聯(lián)”一詞,但其物理含義截然不同。CHB的級(jí)聯(lián)是空間域的,而Marx的級(jí)聯(lián)是時(shí)域的。

CHB的 N 個(gè)單元串聯(lián)是永久性的,在電路物理布局上固定不變 。其目的是連續(xù)地合成一個(gè)AC波形。

Marx的 N 個(gè)電容串聯(lián)是瞬時(shí)性的,僅在放電的微秒內(nèi)存在 。其目的是在瞬時(shí)釋放總儲(chǔ)能 (N×21?CV2)。

混淆這二者是常見的概念錯(cuò)誤。CHB是功率變換器,關(guān)注穩(wěn)態(tài)的功率流控制;Marx是脈沖發(fā)生器,關(guān)注瞬態(tài)的能量釋放。

第四部分:級(jí)聯(lián)型直流高壓倍壓器(Cockcroft-Walton)

Cockcroft-Walton(CW)發(fā)生器,或稱CW倍壓器,是高壓直流生成的經(jīng)典級(jí)聯(lián)電路。

A. 工作原理與電路分析

核心拓?fù)? CW電路是一種由二極管和電容器交錯(cuò)排列組成的“梯形”級(jí)聯(lián)倍壓器 。

組件: 僅需二極管和電容器兩種無源器件 。

工作原理:“電荷泵” (Charge Pump) 。

CW電路由一個(gè)低壓AC(或脈動(dòng)DC)源驅(qū)動(dòng) 。

其工作可視為一個(gè)多級(jí)“泵”送電荷的過程:

在AC輸入的負(fù)半周期,D1導(dǎo)通,C1被充電至AC峰值電壓 Vpeak? 。

在AC輸入的正半周期,輸入電壓 Vpeak? 與C1上的電壓 Vpeak? 疊加,這個(gè) 2Vpeak? 的電壓通過D2給C2充電 。

下一個(gè)周期,C1的電壓又會(huì)給C3充電,C2的電壓會(huì)給C4充電……

電荷在梯形網(wǎng)絡(luò)中逐級(jí)被“泵”送到更高的電位 。

輸出: 在梯形網(wǎng)絡(luò)的頂端,輸出一個(gè)高壓直流。對(duì)于一個(gè) n 級(jí)(每級(jí)包含兩個(gè)二極管和兩個(gè)電容)的CW電路,其理想空載輸出電壓為 Vout?=2n×Vpeak? 。

局限性: CW電路雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉,但只能提供極低的輸出電流 。一旦帶上負(fù)載,電容器會(huì)在周期內(nèi)放電,導(dǎo)致輸出電壓顯著下降(Voltage Droop)并產(chǎn)生較大的紋波(Ripple)。

B. 應(yīng)用與系統(tǒng)集成

科學(xué)研究:

粒子加速器: 這是CW電路的原始應(yīng)用。1932年,Cockcroft和Walton正是使用該電路為其粒子加速器供電,并首次實(shí)現(xiàn)了人工核反應(yīng),并因此獲得諾貝爾獎(jiǎng) 。

商業(yè)與工業(yè)應(yīng)用:

醫(yī)用X射線發(fā)生器: 這是CW電路當(dāng)今最主要的應(yīng)用之一。X射線管(X-ray Tube)需要一個(gè)高且穩(wěn)定的直流電壓(通常在 60 kV 至 450 kV 范圍)來加速電子 。CW倍壓器是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的理想選擇。

其他: 實(shí)驗(yàn)室高壓電源、激光打印機(jī)內(nèi)的靜電鼓充電、靜電除塵等 。

C. 深度辨析:CW vs. Marx (直流電源 vs. 脈沖發(fā)生器)

CW和Marx是功能完全相反的兩種級(jí)聯(lián)電路 :

CW發(fā)生器: AC輸入 → 穩(wěn)定DC輸出。它是一個(gè)直流電源,設(shè)計(jì)用于連續(xù)工作(雖然是低電流)。

Marx發(fā)生器: DC輸入 → 脈沖輸出。它是一個(gè)脈沖發(fā)生器,設(shè)計(jì)用于瞬態(tài)工作 。

第五部分:比較分析與結(jié)論

A. 三種級(jí)聯(lián)原理的總結(jié)

本報(bào)告深入分析了“高壓級(jí)聯(lián)”概念下的三種核心技術(shù),總結(jié)如下:

CHB(級(jí)聯(lián)H橋):

原理: 功率合成。

拓?fù)? N 個(gè)隔離的DC/AC功率單元空間串聯(lián)。

目標(biāo): 合成高質(zhì)量、可控的中壓AC波形。

關(guān)鍵詞: 模塊化、功率控制、低THD、中壓。

Marx(Marx發(fā)生器):

原理: 脈沖生成。

拓?fù)? N 個(gè)電容通過開關(guān)從并聯(lián)重構(gòu)為串聯(lián)(時(shí)域級(jí)聯(lián))。

目標(biāo): 釋放總儲(chǔ)能,產(chǎn)生瞬時(shí)高壓脈沖。

關(guān)鍵詞: 瞬態(tài)、能量釋放、脈沖功率、高壓。

CW(Cockcroft-Walton):

原理: 直流倍壓。

拓?fù)? N 級(jí)二極管-電容“梯形”網(wǎng)絡(luò)。

目標(biāo): 從低壓AC源“泵”送電荷,產(chǎn)生穩(wěn)定高壓DC。

關(guān)鍵詞: 電荷泵、直流電源、低電流、高壓。

B. 協(xié)同應(yīng)用分析:CW + Marx

本報(bào)告的分析最終導(dǎo)向一個(gè)關(guān)鍵的系統(tǒng)集成協(xié)同點(diǎn):CW發(fā)生器(第四部分)和Marx發(fā)生器(第三部分)經(jīng)常被組合使用 。

這種協(xié)同應(yīng)用的邏輯鏈如下:

Marx發(fā)生器(域3)需要一個(gè)高壓直流電源來為其 N 個(gè)并聯(lián)的電容器充電 。這個(gè)充電電壓通常在 10 kV 到 100 kV 級(jí)別。

直接購(gòu)買或制造一個(gè) 100 kV 的直流電源是昂貴且笨重的 。

CW倍壓器(域2)提供了一種極其廉價(jià)、輕便且緊湊的方案,它可以從標(biāo)準(zhǔn)的市電(如 110V 或 220V AC)輸入,產(chǎn)生所需的 10-100 kV 高壓直流 。

Marx發(fā)生器的充電過程電流很?。ㄒ?yàn)樗ㄟ^高阻電阻緩慢充電),這完美契合了CW倍壓器“高電壓、低電流”的輸出特性 。

因此, 構(gòu)成了一個(gè)完整、高效且低成本的緊湊型高壓脈沖系統(tǒng) 。

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深圳市傾佳電子有限公司(簡(jiǎn)稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者:
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C. 未來趨勢(shì)與總結(jié)

CHB領(lǐng)域: 未來的發(fā)展將由寬禁帶半導(dǎo)體(特別是GaN)驅(qū)動(dòng),向 >99% 的超高效率 和更高的功率密度邁進(jìn)。它在構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng) 和固態(tài)變壓器 中的應(yīng)用將成為電網(wǎng)現(xiàn)代化的關(guān)鍵。

Marx/CW領(lǐng)域: 發(fā)展趨勢(shì)是從火花間隙向全固態(tài)(SSMG)的徹底轉(zhuǎn)變 。這使得高重復(fù)頻率的脈沖功率成為可能,從而在醫(yī)學(xué)、生物工程和先進(jìn)材料處理等領(lǐng)域開辟了全新的應(yīng)用 。

結(jié)論: “高壓級(jí)聯(lián)技術(shù)”并非單一技術(shù),而是電力電子學(xué)中一個(gè)強(qiáng)大且靈活的設(shè)計(jì)思想。這一思想通過三種不同的拓?fù)鋵?shí)現(xiàn),分別解決了三個(gè)核心的工程問題:(1)利用低壓器件實(shí)現(xiàn)對(duì)中壓功率流的精確控制(CHB);(2)利用簡(jiǎn)單器件實(shí)現(xiàn)高壓直流的穩(wěn)定生成(CW);以及(3)利用儲(chǔ)能重構(gòu)實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)高壓脈沖的極端釋放(Marx)。對(duì)這三種技術(shù)的深入理解是掌握現(xiàn)代高壓電力電子應(yīng)用的關(guān)鍵。

審核編輯 黃宇

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