Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型導(dǎo)通電阻（10V時(shí)）和低至42nC的超低柵極電荷，從而降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，因此可在電源系統(tǒng) >2kW中節(jié)約能源并提高效率。該封裝還提供開(kāi)爾文連接，以提高開(kāi)關(guān)效率。Vishay/Siliconix SiHR080N60E 設(shè)計(jì)用于承受雪崩模式下的過(guò)壓瞬變，保證限值通過(guò)100% UIS測(cè)試。

數(shù)據(jù)手冊(cè)；*附件：Vishay ， Siliconix SiHR080N60E N溝道功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 第四代E系列技術(shù)
• 低品質(zhì)因數(shù)（FOM）Ron x Qg
• 低有效電容（C o(er) ）
• 減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗
• 頂部冷卻
• 雪崩能量等級(jí) (UIS)
• 翼形引線(xiàn)具有出色的溫度循環(huán)能力
• 無(wú)鉛、無(wú)鹵、符合RoHS指令

尺寸

?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

Vishay Siliconix推出的SiHR080N60E N溝道功率MOSFET，代表了第4代E系列技術(shù)的重要突破。該器件采用PowerPAK? 8×8LR封裝，集成了高性能與緊湊設(shè)計(jì)的雙重優(yōu)勢(shì)。以下從關(guān)鍵特性、技術(shù)參數(shù)到應(yīng)用實(shí)踐展開(kāi)深度解析。

?一、核心特性解析?

1. ?先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)?
   • 第四代E系列技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷的優(yōu)化平衡
   • 典型FOM值僅為0.074（計(jì)算方式：RDS(on) × Qg）
   • 低有效輸出電容顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，支持高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
2. ?可靠性與魯棒性?
   • 額定雪崩能量耐受（UIS），單脈沖能力達(dá)4.0 mJ
   • 集成Kelvin連接（Pin 3），精確控制柵極驅(qū)動(dòng)，抑制寄生電感影響

?二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)詳解?

?電氣特性?

• ?耐壓能力?：漏源電壓VDS達(dá)600 V，滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)高壓場(chǎng)景需求
• ?導(dǎo)通性能?：
  RDS(on)典型值0.074 Ω（VGS=10 V, ID=17 A）
  柵極電荷Qg最大值63 nC，實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)控制
• ?溫度特性?：
  工作結(jié)溫范圍-55°C至+150°C
  RDS(on)溫度系數(shù)呈正特性（圖4），需在熱設(shè)計(jì)中重點(diǎn)考量

?動(dòng)態(tài)特性?

• ?開(kāi)關(guān)速度?（VDD=480 V, ID=17 A）：
  開(kāi)啟延遲td(on)=31 ns，上升時(shí)間tr=96 ns
  關(guān)斷延遲td(off)=37 ns，下降時(shí)間tf=31 ns
• ?電容參數(shù)?：
  輸入電容Ciss=2557 pF，輸出電容Coss=499 pF
  反向傳輸電容Crss=42 pF，直接影響米勒效應(yīng)抑制能力

?體二極管特性?

• 正向壓降VSD典型值1.2 V（IS=17 A）
  反向恢復(fù)時(shí)間trr=441 ns（IF=17 A, di/dt=80 A/μs）

?三、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

?1. 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)?

• ?服務(wù)器/通信電源?：利用低FOM值優(yōu)化能效，支持80 PLUS鈦金標(biāo)準(zhǔn)
• ?PFC電路?：高耐壓與快速開(kāi)關(guān)特性，適配升壓拓?fù)湫枨?/li>
• ?開(kāi)關(guān)電源?：結(jié)合Kelvin連接降低振鈴，提升電磁兼容性

?2. 工業(yè)功率控制?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：支持17 A連續(xù)電流，配合散熱設(shè)計(jì)可擴(kuò)展至更高功率
• ?焊接/感應(yīng)加熱?：雪崩能量耐受保障瞬態(tài)過(guò)壓安全

?3. 熱設(shè)計(jì)與布局建議?

• ?封裝散熱?：
  結(jié)到環(huán)境熱阻RthJA=42°C/W
  結(jié)到外殼熱阻RthJC=0.25°C/W
• ?PCB布局?：
  參考土地模式（圖20）確保低電感回路
  推薦焊膏厚度200 μm，關(guān)鍵區(qū)域預(yù)留無(wú)阻焊層

?四、設(shè)計(jì)驗(yàn)證與測(cè)試方法?

?開(kāi)關(guān)性能驗(yàn)證?

• 采用圖14測(cè)試電路，關(guān)注td(on)/tr與td(off)/tf的平衡
• 柵極電阻Rg=9.1 Ω時(shí)獲得最佳開(kāi)關(guān)性能

?雪崩耐量測(cè)試?

• 依據(jù)圖16電路配置，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖寬度tp驗(yàn)證UIS能力
• 初始條件VDD=120 V, L=28.2 mH, IAS=3.5 A

?五、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?

該器件通過(guò)優(yōu)化柵電荷與導(dǎo)通電阻的折衷，代表了功率MOSFET的高密度集成方向。未來(lái)技術(shù)演進(jìn)將聚焦于：

• 封裝熱阻的進(jìn)一步降低
• 集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)功能的智能功率模塊