全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，其EcoGaN Power Stage IC已應(yīng)用于包括游戲筆記本電腦在內(nèi)的MSI（微星）產(chǎn)品的AC適配器。

這款A(yù)C適配器由全球領(lǐng)先的電源制造商臺(tái)達(dá)開發(fā)，采用EcoGaN Power Stage IC “BM3G005MUV-LB”， 具備高速電源切換、低導(dǎo)通電阻等特色，結(jié)合臺(tái)達(dá)先進(jìn)的電源管理技術(shù)，與以往適配器相比，大幅縮減體積同時(shí)提升能效。

通過搭載EcoGaN Power Stage IC，臺(tái)達(dá)為 MSI 設(shè)計(jì)的適配器不僅提高供電瓦數(shù)，還可在峰值狀態(tài)下維持一小段時(shí)間的高輸出功率，即使在要求高性能的電競(jìng)高負(fù)載環(huán)境下，也能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電力供應(yīng)。

近年來，隨著游戲筆記本處理能力的提升，其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。這使得功耗也隨之增大，要求AC適配器既要提供穩(wěn)定支撐這種高負(fù)荷運(yùn)算處理的大功率，又要滿足用戶對(duì)便攜性日益增長(zhǎng)的需求，因此在提升性能的同時(shí)縮小體積已成為當(dāng)務(wù)之急。

另一方面，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。羅姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、柵極驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)功能及外圍元器件于一體，僅需替換以往的Si MOSFET即可更大程度地激發(fā)出GaN HEMT的性能。

臺(tái)達(dá)邊際信息科技電源事業(yè)部總經(jīng)理林政毅表示：“結(jié)合臺(tái)達(dá)最先進(jìn)的電源方案和羅姆的EcoGaN Power Stage IC技術(shù)優(yōu)勢(shì)，我們成功地滿足游戲筆記本AC適配器對(duì)大功率供電、能效優(yōu)化及小型化的需求，并被全球知名的電競(jìng)品牌MSI采用。羅姆在GaN的技術(shù)領(lǐng)域擁有許多優(yōu)勢(shì)，也是我們長(zhǎng)期合作的重要伙伴。我們期待未來持續(xù)透過與其技術(shù)合作，為客戶提供更多新世代的高效電源方案?！?/p>

羅姆 LSI開發(fā)本部 功率GaN解決方案開發(fā)部統(tǒng)括課長(zhǎng)名手智表示：“臺(tái)達(dá)與羅姆在電源系統(tǒng)領(lǐng)域已合作多年。此次合作成果是臺(tái)達(dá)多年積累的電源開發(fā)技術(shù)和羅姆的功率元器件開發(fā)制造技術(shù)、模擬電源技術(shù)的深度融合，很高興能夠被MSI的產(chǎn)品采用。未來，我們不僅致力于在游戲筆記本領(lǐng)域，還將致力于在服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備、汽車等更廣泛的領(lǐng)域?yàn)殡娫吹男⌒突托侍嵘暙I(xiàn)力量?！?/p>

關(guān)于Power Stage IC

羅姆的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的各種電力電子系統(tǒng)提供理想的解決方案。該產(chǎn)品集下一代功率器件GaN HEMT和為了更大程度地激發(fā)GaN HEMT性能而優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器于一體，支持2.5V～30V的寬輸入電壓范圍，可以與各種控制器IC結(jié)合使用。這些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)使其能夠取代超級(jí)結(jié)MOSFET等傳統(tǒng)的分立功率開關(guān)。

什么是EcoGaN

EcoGaN是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的羅姆GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。