電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 電力作為能源,隨著需求越來(lái)越高,各類設(shè)備的功率需求持續(xù)提高,近年來(lái)包括數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域都需要更高功率的電源需求。在更高功率的電源需求下,作為電源控制核心的MCU,也受到行業(yè)的關(guān)注。包括上海海思也在近期推出了針對(duì)數(shù)據(jù)中心高密度數(shù)字電源的MCU產(chǎn)品Hi3071。
在近期舉辦的2026特來(lái)電技術(shù)創(chuàng)新發(fā)布會(huì)上,特來(lái)電與極海聯(lián)合推出的 G32R501T 實(shí)時(shí)控制 MCU,以場(chǎng)景定義芯片的形式進(jìn)行深度聯(lián)合研發(fā),旨在解決充電設(shè)備在性能、安全性、智能化方面的瓶頸,推動(dòng)新能源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
G32R501T 搭載先進(jìn)的 Cortex-M52 雙核架構(gòu),通過(guò)內(nèi)核間 IPC 實(shí)時(shí)通信機(jī)制,實(shí)現(xiàn)電源 AI 功能模塊的靈活配置與協(xié)同運(yùn)作,為復(fù)雜場(chǎng)景下的多任務(wù)處理提供硬件基礎(chǔ)。芯片工作主頻達(dá) 250MHz,可提供澎湃實(shí)時(shí)算力,輕松滿足直流充電模塊復(fù)雜環(huán)路的微秒級(jí)計(jì)算需求,為能量調(diào)度、功率控制等核心任務(wù)提供精準(zhǔn)時(shí)序支撐。?
尤為關(guān)鍵的是,其支持 Arm Helium?矢量擴(kuò)展技術(shù),這一特性為充電模塊內(nèi)置機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用奠定基礎(chǔ),可顯著提升 AI 電源系統(tǒng)的實(shí)時(shí)智能響應(yīng)速度與能效管理精度,從底層架構(gòu)上實(shí)現(xiàn) “算力升級(jí)” 向 “智能升級(jí)” 的轉(zhuǎn)化。?
高頻化與多拓?fù)溥m配是充電模塊功率提升的核心要求,G32R501T 配備 8 對(duì)互補(bǔ)的高精度 PWM 輸出,分辨率達(dá) 150ps,可精準(zhǔn)滿足 40kW~60kW 乃至 120kW 大功率充電模塊的脈沖調(diào)制需求。該模塊支持時(shí)鐘同步、相位交錯(cuò)、死區(qū)插入及內(nèi)部比較器聯(lián)動(dòng)關(guān)波等功能,能靈活適配 Buck、Boost、LLC 等多種復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為充電模塊的功率升級(jí)提供充足控制自由度。?
針對(duì)充電設(shè)備小型化與可靠性需求,G32R501T 采用單芯片高度集成方案,內(nèi)置豐富模擬外設(shè)資源,優(yōu)化信號(hào)采集鏈路的同時(shí),大幅減少外部元件數(shù)量。這種集成化設(shè)計(jì)不僅降低了系統(tǒng)硬件成本,更通過(guò)減少接口鏈路提升了設(shè)備抗干擾能力與運(yùn)行穩(wěn)定性,完美適配充電場(chǎng)景的復(fù)雜工況要求。?
依托 Cortex-M52 內(nèi)核與 Arm Helium?矢量擴(kuò)展技術(shù)的協(xié)同,G32R501T 構(gòu)建起強(qiáng)大的 AI 算力引擎。該引擎可支撐充電模塊內(nèi)置負(fù)載預(yù)測(cè)、故障診斷、能效優(yōu)化等機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用,例如通過(guò)實(shí)時(shí)分析充電曲線實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)功率分配,或基于設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行健康狀態(tài)預(yù)判。這種 “芯片級(jí) AI 能力” 正是特來(lái)勁 2 代模塊成為全球首款全鏈條 AI 充電模塊的核心支撐,破解了行業(yè) “AI 單點(diǎn)應(yīng)用” 的局限。
充電設(shè)備的戶外運(yùn)行環(huán)境對(duì)芯片可靠性提出嚴(yán)苛要求,G32R501T 從設(shè)計(jì)源頭構(gòu)建全方位安全保障體系。其集成硬件級(jí)多重安全保護(hù)機(jī)制,具備卓越的抗電磁干擾能力,可抵御充電場(chǎng)景中頻繁的電壓波動(dòng)與電磁騷擾。?
更值得關(guān)注的是,該芯片已通過(guò) IEC 61508 SIL2 功能安全產(chǎn)品認(rèn)證與 AEC-Q100 Grade1 車規(guī)可靠性認(rèn)證,不僅滿足充電設(shè)備的工業(yè)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn),更達(dá)到車載級(jí)可靠性要求,為設(shè)備在高溫、高濕、強(qiáng)干擾等惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行筑牢防線。
G32R501T 的落地應(yīng)用已取得標(biāo)志性成果,在特來(lái)電主流 40kW~60kW 直流充電模塊中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)部署,助力 “特來(lái)勁 2 代” 模塊完成國(guó)產(chǎn)化率從 99% 到 100% 的跨越,成為中國(guó)首個(gè)具備完整自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全國(guó)產(chǎn)充電模塊。
未來(lái),隨著其在 120kW 大功率充電模塊的布局,以及向 AI 服務(wù)器電源、通訊電源等細(xì)分領(lǐng)域的延伸,G32R501T 將進(jìn)一步打破國(guó)際廠商壟斷,推動(dòng)新能源核心部件自主化進(jìn)程。
在近期舉辦的2026特來(lái)電技術(shù)創(chuàng)新發(fā)布會(huì)上,特來(lái)電與極海聯(lián)合推出的 G32R501T 實(shí)時(shí)控制 MCU,以場(chǎng)景定義芯片的形式進(jìn)行深度聯(lián)合研發(fā),旨在解決充電設(shè)備在性能、安全性、智能化方面的瓶頸,推動(dòng)新能源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
G32R501T 搭載先進(jìn)的 Cortex-M52 雙核架構(gòu),通過(guò)內(nèi)核間 IPC 實(shí)時(shí)通信機(jī)制,實(shí)現(xiàn)電源 AI 功能模塊的靈活配置與協(xié)同運(yùn)作,為復(fù)雜場(chǎng)景下的多任務(wù)處理提供硬件基礎(chǔ)。芯片工作主頻達(dá) 250MHz,可提供澎湃實(shí)時(shí)算力,輕松滿足直流充電模塊復(fù)雜環(huán)路的微秒級(jí)計(jì)算需求,為能量調(diào)度、功率控制等核心任務(wù)提供精準(zhǔn)時(shí)序支撐。?
尤為關(guān)鍵的是,其支持 Arm Helium?矢量擴(kuò)展技術(shù),這一特性為充電模塊內(nèi)置機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用奠定基礎(chǔ),可顯著提升 AI 電源系統(tǒng)的實(shí)時(shí)智能響應(yīng)速度與能效管理精度,從底層架構(gòu)上實(shí)現(xiàn) “算力升級(jí)” 向 “智能升級(jí)” 的轉(zhuǎn)化。?
高頻化與多拓?fù)溥m配是充電模塊功率提升的核心要求,G32R501T 配備 8 對(duì)互補(bǔ)的高精度 PWM 輸出,分辨率達(dá) 150ps,可精準(zhǔn)滿足 40kW~60kW 乃至 120kW 大功率充電模塊的脈沖調(diào)制需求。該模塊支持時(shí)鐘同步、相位交錯(cuò)、死區(qū)插入及內(nèi)部比較器聯(lián)動(dòng)關(guān)波等功能,能靈活適配 Buck、Boost、LLC 等多種復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為充電模塊的功率升級(jí)提供充足控制自由度。?
針對(duì)充電設(shè)備小型化與可靠性需求,G32R501T 采用單芯片高度集成方案,內(nèi)置豐富模擬外設(shè)資源,優(yōu)化信號(hào)采集鏈路的同時(shí),大幅減少外部元件數(shù)量。這種集成化設(shè)計(jì)不僅降低了系統(tǒng)硬件成本,更通過(guò)減少接口鏈路提升了設(shè)備抗干擾能力與運(yùn)行穩(wěn)定性,完美適配充電場(chǎng)景的復(fù)雜工況要求。?
依托 Cortex-M52 內(nèi)核與 Arm Helium?矢量擴(kuò)展技術(shù)的協(xié)同,G32R501T 構(gòu)建起強(qiáng)大的 AI 算力引擎。該引擎可支撐充電模塊內(nèi)置負(fù)載預(yù)測(cè)、故障診斷、能效優(yōu)化等機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用,例如通過(guò)實(shí)時(shí)分析充電曲線實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)功率分配,或基于設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行健康狀態(tài)預(yù)判。這種 “芯片級(jí) AI 能力” 正是特來(lái)勁 2 代模塊成為全球首款全鏈條 AI 充電模塊的核心支撐,破解了行業(yè) “AI 單點(diǎn)應(yīng)用” 的局限。
充電設(shè)備的戶外運(yùn)行環(huán)境對(duì)芯片可靠性提出嚴(yán)苛要求,G32R501T 從設(shè)計(jì)源頭構(gòu)建全方位安全保障體系。其集成硬件級(jí)多重安全保護(hù)機(jī)制,具備卓越的抗電磁干擾能力,可抵御充電場(chǎng)景中頻繁的電壓波動(dòng)與電磁騷擾。?
更值得關(guān)注的是,該芯片已通過(guò) IEC 61508 SIL2 功能安全產(chǎn)品認(rèn)證與 AEC-Q100 Grade1 車規(guī)可靠性認(rèn)證,不僅滿足充電設(shè)備的工業(yè)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn),更達(dá)到車載級(jí)可靠性要求,為設(shè)備在高溫、高濕、強(qiáng)干擾等惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行筑牢防線。
G32R501T 的落地應(yīng)用已取得標(biāo)志性成果,在特來(lái)電主流 40kW~60kW 直流充電模塊中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)部署,助力 “特來(lái)勁 2 代” 模塊完成國(guó)產(chǎn)化率從 99% 到 100% 的跨越,成為中國(guó)首個(gè)具備完整自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全國(guó)產(chǎn)充電模塊。
未來(lái),隨著其在 120kW 大功率充電模塊的布局,以及向 AI 服務(wù)器電源、通訊電源等細(xì)分領(lǐng)域的延伸,G32R501T 將進(jìn)一步打破國(guó)際廠商壟斷,推動(dòng)新能源核心部件自主化進(jìn)程。
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