電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 電力作為能源,隨著需求越來越高,各類設(shè)備的功率需求持續(xù)提高,近年來包括數(shù)據(jù)中心、電動汽車等領(lǐng)域都需要更高功率的電源需求。在更高功率的電源需求下,作為電源控制核心的MCU,也受到行業(yè)的關(guān)注。包括上海海思也在近期推出了針對數(shù)據(jù)中心高密度數(shù)字電源的MCU產(chǎn)品Hi3071。
在近期舉辦的2026特來電技術(shù)創(chuàng)新發(fā)布會上,特來電與極海聯(lián)合推出的 G32R501T 實時控制 MCU,以場景定義芯片的形式進行深度聯(lián)合研發(fā),旨在解決充電設(shè)備在性能、安全性、智能化方面的瓶頸,推動新能源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
G32R501T 搭載先進的 Cortex-M52 雙核架構(gòu),通過內(nèi)核間 IPC 實時通信機制,實現(xiàn)電源 AI 功能模塊的靈活配置與協(xié)同運作,為復(fù)雜場景下的多任務(wù)處理提供硬件基礎(chǔ)。芯片工作主頻達 250MHz,可提供澎湃實時算力,輕松滿足直流充電模塊復(fù)雜環(huán)路的微秒級計算需求,為能量調(diào)度、功率控制等核心任務(wù)提供精準時序支撐。?
尤為關(guān)鍵的是,其支持 Arm Helium?矢量擴展技術(shù),這一特性為充電模塊內(nèi)置機器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用奠定基礎(chǔ),可顯著提升 AI 電源系統(tǒng)的實時智能響應(yīng)速度與能效管理精度,從底層架構(gòu)上實現(xiàn) “算力升級” 向 “智能升級” 的轉(zhuǎn)化。?
高頻化與多拓撲適配是充電模塊功率提升的核心要求,G32R501T 配備 8 對互補的高精度 PWM 輸出,分辨率達 150ps,可精準滿足 40kW~60kW 乃至 120kW 大功率充電模塊的脈沖調(diào)制需求。該模塊支持時鐘同步、相位交錯、死區(qū)插入及內(nèi)部比較器聯(lián)動關(guān)波等功能,能靈活適配 Buck、Boost、LLC 等多種復(fù)雜拓撲結(jié)構(gòu),為充電模塊的功率升級提供充足控制自由度。?
針對充電設(shè)備小型化與可靠性需求,G32R501T 采用單芯片高度集成方案,內(nèi)置豐富模擬外設(shè)資源,優(yōu)化信號采集鏈路的同時,大幅減少外部元件數(shù)量。這種集成化設(shè)計不僅降低了系統(tǒng)硬件成本,更通過減少接口鏈路提升了設(shè)備抗干擾能力與運行穩(wěn)定性,完美適配充電場景的復(fù)雜工況要求。?
依托 Cortex-M52 內(nèi)核與 Arm Helium?矢量擴展技術(shù)的協(xié)同,G32R501T 構(gòu)建起強大的 AI 算力引擎。該引擎可支撐充電模塊內(nèi)置負載預(yù)測、故障診斷、能效優(yōu)化等機器學(xué)習(xí)應(yīng)用,例如通過實時分析充電曲線實現(xiàn)動態(tài)功率分配,或基于設(shè)備運行數(shù)據(jù)進行健康狀態(tài)預(yù)判。這種 “芯片級 AI 能力” 正是特來勁 2 代模塊成為全球首款全鏈條 AI 充電模塊的核心支撐,破解了行業(yè) “AI 單點應(yīng)用” 的局限。
充電設(shè)備的戶外運行環(huán)境對芯片可靠性提出嚴苛要求,G32R501T 從設(shè)計源頭構(gòu)建全方位安全保障體系。其集成硬件級多重安全保護機制,具備卓越的抗電磁干擾能力,可抵御充電場景中頻繁的電壓波動與電磁騷擾。?
更值得關(guān)注的是,該芯片已通過 IEC 61508 SIL2 功能安全產(chǎn)品認證與 AEC-Q100 Grade1 車規(guī)可靠性認證,不僅滿足充電設(shè)備的工業(yè)級安全標準,更達到車載級可靠性要求,為設(shè)備在高溫、高濕、強干擾等惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運行筑牢防線。
G32R501T 的落地應(yīng)用已取得標志性成果,在特來電主流 40kW~60kW 直流充電模塊中實現(xiàn)量產(chǎn)部署,助力 “特來勁 2 代” 模塊完成國產(chǎn)化率從 99% 到 100% 的跨越,成為中國首個具備完整自主知識產(chǎn)權(quán)的全國產(chǎn)充電模塊。
未來,隨著其在 120kW 大功率充電模塊的布局,以及向 AI 服務(wù)器電源、通訊電源等細分領(lǐng)域的延伸,G32R501T 將進一步打破國際廠商壟斷,推動新能源核心部件自主化進程。
在近期舉辦的2026特來電技術(shù)創(chuàng)新發(fā)布會上,特來電與極海聯(lián)合推出的 G32R501T 實時控制 MCU,以場景定義芯片的形式進行深度聯(lián)合研發(fā),旨在解決充電設(shè)備在性能、安全性、智能化方面的瓶頸,推動新能源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
G32R501T 搭載先進的 Cortex-M52 雙核架構(gòu),通過內(nèi)核間 IPC 實時通信機制,實現(xiàn)電源 AI 功能模塊的靈活配置與協(xié)同運作,為復(fù)雜場景下的多任務(wù)處理提供硬件基礎(chǔ)。芯片工作主頻達 250MHz,可提供澎湃實時算力,輕松滿足直流充電模塊復(fù)雜環(huán)路的微秒級計算需求,為能量調(diào)度、功率控制等核心任務(wù)提供精準時序支撐。?
尤為關(guān)鍵的是,其支持 Arm Helium?矢量擴展技術(shù),這一特性為充電模塊內(nèi)置機器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用奠定基礎(chǔ),可顯著提升 AI 電源系統(tǒng)的實時智能響應(yīng)速度與能效管理精度,從底層架構(gòu)上實現(xiàn) “算力升級” 向 “智能升級” 的轉(zhuǎn)化。?
高頻化與多拓撲適配是充電模塊功率提升的核心要求,G32R501T 配備 8 對互補的高精度 PWM 輸出,分辨率達 150ps,可精準滿足 40kW~60kW 乃至 120kW 大功率充電模塊的脈沖調(diào)制需求。該模塊支持時鐘同步、相位交錯、死區(qū)插入及內(nèi)部比較器聯(lián)動關(guān)波等功能,能靈活適配 Buck、Boost、LLC 等多種復(fù)雜拓撲結(jié)構(gòu),為充電模塊的功率升級提供充足控制自由度。?
針對充電設(shè)備小型化與可靠性需求,G32R501T 采用單芯片高度集成方案,內(nèi)置豐富模擬外設(shè)資源,優(yōu)化信號采集鏈路的同時,大幅減少外部元件數(shù)量。這種集成化設(shè)計不僅降低了系統(tǒng)硬件成本,更通過減少接口鏈路提升了設(shè)備抗干擾能力與運行穩(wěn)定性,完美適配充電場景的復(fù)雜工況要求。?
依托 Cortex-M52 內(nèi)核與 Arm Helium?矢量擴展技術(shù)的協(xié)同,G32R501T 構(gòu)建起強大的 AI 算力引擎。該引擎可支撐充電模塊內(nèi)置負載預(yù)測、故障診斷、能效優(yōu)化等機器學(xué)習(xí)應(yīng)用,例如通過實時分析充電曲線實現(xiàn)動態(tài)功率分配,或基于設(shè)備運行數(shù)據(jù)進行健康狀態(tài)預(yù)判。這種 “芯片級 AI 能力” 正是特來勁 2 代模塊成為全球首款全鏈條 AI 充電模塊的核心支撐,破解了行業(yè) “AI 單點應(yīng)用” 的局限。
充電設(shè)備的戶外運行環(huán)境對芯片可靠性提出嚴苛要求,G32R501T 從設(shè)計源頭構(gòu)建全方位安全保障體系。其集成硬件級多重安全保護機制,具備卓越的抗電磁干擾能力,可抵御充電場景中頻繁的電壓波動與電磁騷擾。?
更值得關(guān)注的是,該芯片已通過 IEC 61508 SIL2 功能安全產(chǎn)品認證與 AEC-Q100 Grade1 車規(guī)可靠性認證,不僅滿足充電設(shè)備的工業(yè)級安全標準,更達到車載級可靠性要求,為設(shè)備在高溫、高濕、強干擾等惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運行筑牢防線。
G32R501T 的落地應(yīng)用已取得標志性成果,在特來電主流 40kW~60kW 直流充電模塊中實現(xiàn)量產(chǎn)部署,助力 “特來勁 2 代” 模塊完成國產(chǎn)化率從 99% 到 100% 的跨越,成為中國首個具備完整自主知識產(chǎn)權(quán)的全國產(chǎn)充電模塊。
未來,隨著其在 120kW 大功率充電模塊的布局,以及向 AI 服務(wù)器電源、通訊電源等細分領(lǐng)域的延伸,G32R501T 將進一步打破國際廠商壟斷,推動新能源核心部件自主化進程。
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