BASiC基本半導(dǎo)體代理商SiC碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)推廣與銷售賦能綜合報(bào)告

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

I. 戰(zhàn)略定位：為何選擇基本半導(dǎo)體 (BASiC Semiconductor)？—— 構(gòu)建客戶信任的基石

作為基本半導(dǎo)體的授權(quán)代理商，在向客戶（尤其是大型工業(yè)和汽車客戶）推廣產(chǎn)品時(shí)，面臨的首要挑戰(zhàn)是建立品牌信任?？蛻舻暮诵囊蓱]往往是：“這家新興企業(yè)是否可靠？”。傾佳電子旨在提供一個(gè)強(qiáng)有力的“信任狀” (Credentials Deck)，從公司血統(tǒng)、團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)、資本實(shí)力和制造模式四個(gè)維度，系統(tǒng)性地解決客戶的信任問題。

A. 公司背景與技術(shù)傳承：源自劍橋與清華的頂尖團(tuán)隊(duì)

基本半導(dǎo)體的技術(shù)基底 (Technology DNA) 是世界一流的。公司的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)均擁有頂尖的國(guó)際學(xué)術(shù)背景。董事長(zhǎng)汪之涵博士（清華大學(xué)學(xué)士、劍橋大學(xué)電力電子博士）和總經(jīng)理和巍巍博士（清華大學(xué)學(xué)士、劍橋大學(xué)電力電子博士）均為國(guó)家重大人才計(jì)劃專家 。

在推廣中，應(yīng)主動(dòng)強(qiáng)調(diào)這一背景。這表明基本半導(dǎo)體的技術(shù)源頭與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭在同一水平線，是基于電力電子的第一性原理（First Principles）來進(jìn)行SiC器件的底層創(chuàng)新設(shè)計(jì)，而非簡(jiǎn)單的逆向工程或模仿。

B. 核心團(tuán)隊(duì)的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)：深諳客戶需求的“內(nèi)行”團(tuán)隊(duì)

如果說創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)決定了公司的技術(shù)高度，那么核心執(zhí)行團(tuán)隊(duì)則決定了產(chǎn)品的工程落地能力和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)?；景雽?dǎo)體在技術(shù)研發(fā)、營(yíng)銷運(yùn)營(yíng)和生產(chǎn)制造三大板塊的核心團(tuán)隊(duì)成員，均來自客戶所推崇的國(guó)際標(biāo)桿企業(yè) ：

技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)： 曾就職于國(guó)際功率半導(dǎo)體TOP5的企業(yè)等。

營(yíng)銷運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)： 曾就職于國(guó)際功率半導(dǎo)體TOP5的企業(yè)等。

生產(chǎn)制造團(tuán)隊(duì)： 曾就職于國(guó)際功率半導(dǎo)體TOP5的企業(yè)等。

這一團(tuán)隊(duì)構(gòu)成傳遞出一個(gè)明確信號(hào)：基本半導(dǎo)體從成立之初，就是按照車規(guī)級(jí) (IATF 16949) 和頭部工業(yè)級(jí) (VDA 6.3) 的標(biāo)準(zhǔn)來建立其研發(fā)、制造和品控流程的。團(tuán)隊(duì)深諳客戶的設(shè)計(jì)痛點(diǎn)和質(zhì)量紅線。

C. 戰(zhàn)略聯(lián)盟與資本實(shí)力：巨頭加持的產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)

客戶（特別是汽車和大型工業(yè)客戶）對(duì)供應(yīng)鏈安全和長(zhǎng)期合作穩(wěn)定性的考量，優(yōu)先于單一的產(chǎn)品性能?；景雽?dǎo)體的戰(zhàn)略股東背景是打消客戶疑慮的最有力工具 ：全球汽車技術(shù)供應(yīng)商 (Tier 1)。全球規(guī)模領(lǐng)先的軌道交通裝備企業(yè)。頭部汽車主機(jī)廠（OEM）。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體。

這些不僅是財(cái)務(wù)投資，更是深度綁定的產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略聯(lián)盟。既是投資者，也是基本半導(dǎo)體產(chǎn)品最嚴(yán)苛的應(yīng)用驗(yàn)證者和核心客戶。向客戶推廣時(shí)應(yīng)明確指出：選擇基本半導(dǎo)體，意味著享受與博世、中車同等級(jí)別的供應(yīng)鏈保障和經(jīng)過最嚴(yán)苛系統(tǒng)驗(yàn)證的產(chǎn)品。

D. 垂直整合 (IDM) 優(yōu)勢(shì)：自主可控的供應(yīng)鏈

經(jīng)歷了全球芯片短缺后，客戶對(duì)供應(yīng)鏈的自主可控能力變得極為敏感。與大多數(shù)依賴代工的Fabless（無晶圓廠）設(shè)計(jì)公司不同，基本半導(dǎo)體是一家垂直整合制造商 (IDM)，其業(yè)務(wù)范圍覆蓋碳化硅外延生長(zhǎng)、前段工藝（晶圓制造）和后段工藝（模塊封裝）。

公司在中國(guó)市場(chǎng)穩(wěn)居“第一梯隊(duì)” ，并已建成關(guān)鍵的制造基地：

深圳碳化硅晶圓制造基地（深圳光明）： 具備6英寸碳化硅MOSFET晶圓的制造能力 。

車規(guī)級(jí)模塊封裝基地（深圳、無錫）： 采用先進(jìn)的SiC專用封裝工藝，已通過ISO 9001與IATF 16949體系認(rèn)證 。

在推廣中，IDM模式是交付保障的核心賣點(diǎn)?；景雽?dǎo)體不完全依賴第三方代工廠的產(chǎn)能分配，在未來的供應(yīng)波動(dòng)中能為客戶提供最穩(wěn)定、最可靠的交付。

II. 核心產(chǎn)品組合：分立器件 (Discrete Devices)

本章節(jié)旨在全面展示基本半導(dǎo)體在分立器件領(lǐng)域的產(chǎn)品廣度與技術(shù)深度，為銷售團(tuán)隊(duì)提供完整的“彈藥庫(kù)”。

A. SiC MOSFET 產(chǎn)品線

基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品線基于6英寸晶圓平臺(tái)開發(fā) 1，覆蓋了從650V到1700V的主流電壓段，為不同應(yīng)用提供了豐富的選擇。

電壓覆蓋：

650V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 低至 25mΩ25 mOmega25mΩ (B3M025065L) 和 40mΩ40 mOmega40mΩ (B3M040065Z)。主要應(yīng)用于PFC（功率因數(shù)校正）、通信電源、AI服務(wù)器電源和戶儲(chǔ)逆變器 。

750V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 低至 10mΩ10 mOmega10mΩ (B3M010C075H)。

1200V: 覆蓋 11mΩ11 mOmega11mΩ 至 160mΩ160 mOmega160mΩ 的寬范圍。主力產(chǎn)品包括 40mΩ40 mOmega40mΩ (B3M040120Z) 和 80mΩ80 mOmega80mΩ (B2M080120H)，廣泛用于光伏逆變器、充電樁電源模塊和儲(chǔ)能變流器PCS 。

1400V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 低至 10mΩ10 mOmega10mΩ (B3M010140Y) 和 20mΩ20 mOmega20mΩ (B3M020140H)。這一電壓等級(jí)專為 1000VDC1000 V_{DC}1000VDC? 系統(tǒng)（如光伏逆變器）設(shè)計(jì)，提供了更高的安全裕量和系統(tǒng)可靠性 。

1700V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 為 600mΩ600 mOmega600mΩ (B2M600170H)，適用于工業(yè)輔助電源等高壓應(yīng)用。

封裝形式：

提供全系列插件式和貼片式封裝，包括TO-247-3, TO-247-4 (四腳開爾文源極，優(yōu)化開關(guān)性能), TO-263-7, T2PAK-7, SOT-227, 以及高散熱效率的TOLL和TOLT封裝 。

第三代 (B3M) 技術(shù)的關(guān)鍵特性：

低開關(guān)損耗： B3M技術(shù)將品質(zhì)因數(shù) (FOM) 降低了30%，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低，更適合高頻使用。

高抗干擾性： 提高了 Ciss/CrssC_{iss}/C_{rss}Ciss?/Crss? 比值，顯著降低器件在串?dāng)_行為下的誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。

高一致性 (關(guān)鍵賣點(diǎn))： B3M產(chǎn)品的 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)? 和 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 偏差非常小，可不經(jīng)分選直接并聯(lián)使用。

推廣洞察： “可不經(jīng)分選直接并聯(lián)”是針對(duì)大功率客戶（如儲(chǔ)能變流器PCS）的巨大賣點(diǎn)。傳統(tǒng)上，客戶需要花費(fèi)大量測(cè)試和篩選成本來匹配并聯(lián)的MOSFET，以避免均流問題和熱點(diǎn)。基本半導(dǎo)體的B3M技術(shù)為客戶節(jié)省了這一成本，并顯著提高了大功率設(shè)計(jì)的可靠性和良率。

B. SiC SBD（肖特基二極管）產(chǎn)品線

SiC SBD是替代傳統(tǒng)硅基FRD（快恢復(fù)二極管）的理想選擇，其核心優(yōu)勢(shì)在于零反向恢復(fù)特性。

產(chǎn)品型譜：

650V: 覆蓋 4A 至 80A，并提供 60A×260A times 260A×2 等共陰/共陽(yáng)配置。

1200V: 覆蓋 3A 至 100A，并提供 60A×260A times 260A×2 / 80A×280A times 280A×2 / 100A×2100A times 2100A×2 等多芯片配置。

2000V: 提供 40A 產(chǎn)品。

封裝形式：

覆蓋TO-220, TO-220F, TO-247, TO-252, TO-263, SOT-227等全系列封裝 1。

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

替代硅基FRD，消除反向恢復(fù)損耗 (QrrQ_{rr}Qrr?)，從而顯著降低與之串聯(lián)的開關(guān)管（IGBT或MOSFET）的開通損耗 (EonE_{on}Eon?)。

支持系統(tǒng)工作在更高頻率，從而縮小磁性元件（電感、變壓器）的體積和成本。

降低EMI（電磁干擾）和散熱器需求。

III. 分立器件的性能實(shí)證：與競(jìng)品的深度對(duì)標(biāo)分析

本章節(jié)為FAE（現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師）和銷售團(tuán)隊(duì)提供精確打擊競(jìng)品的“數(shù)據(jù)子彈”。核心策略是：用實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)證明基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品在客戶最關(guān)心的工況下（即高溫、高壓、動(dòng)態(tài)開關(guān)）表現(xiàn)優(yōu)異。

A. [關(guān)鍵賣點(diǎn) 1] 1200V 40mΩ (B3M040120Z) - 工業(yè)與光伏主力

1200V 40mΩ 是光伏逆變器、充電樁模塊等應(yīng)用中的“黃金規(guī)格”?；景雽?dǎo)體的B3M040120Z在此規(guī)格上展現(xiàn)了卓越的綜合性能。

靜態(tài)參數(shù)對(duì)標(biāo) (Tj=25°C & 175°C) 1

品牌	型號(hào)	工藝技術(shù)	RDS(ON)?@25°C (mΩ)	RDS(ON)?@175°C (mΩ)	VGS(th)?@175°C (V)	Crss? (pF)	QG? (nC)	FOM (RDS(ON)??QG?)
BASIC	B3M040120Z	平面柵 G3	40	75	1.9	6	85	3400
C***	C3M0040120K	平面柵 G3	40	68	2.2	5	99	3960
I***	IMZA120R040M1H	溝槽柵 M1H	39	77	3.6	11	39	1521
O***	NTH4L040N120M3S	平面柵 M3S	40	80	/	7	75	3000
S***	SCT040W120G3-4	平面柵 G3	40	70	2.2	10	56	2240
R***	SCT3040KR	溝槽柵 G4	40	78	3.3	27	107	4280
數(shù)據(jù)來源：1, p. 9

動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試對(duì)標(biāo) (VDS=800V,ID=40A,Rg=8.2ΩV_{DS}=800V, I_{D}=40A, R_g=8.2OmegaVDS?=800V,ID?=40A,Rg?=8.2Ω) 1

測(cè)試項(xiàng)目	B3M040120Z (BASIC)	C3M0040120K (C*)**	IMZA120R040M1H (I*)**	單位
Tj=125°CT_{j}=125^{circ}CTj?=125°C
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	767	765	820	μJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	151	231	180	μJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	918	996	1000	μJ
QrrQ_{rr}Qrr? (反向恢復(fù)電荷)	0.54	0.50	0.57	μC
數(shù)據(jù)來源：1, p. 13

“對(duì)于您的1200V應(yīng)用（如光伏逆變器或充電樁），我們的B3M040120Z是綜合性能的贏家。請(qǐng)看這份雙脈沖對(duì)比數(shù)據(jù) 1：在125°C的實(shí)際工作結(jié)溫下，我們的器件總開關(guān)損耗 (EtotalE_{total}Etotal?) 僅為918 μJ，分別優(yōu)于C的996 μJ和I的1000 μJ。

我們實(shí)現(xiàn)這一優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵在于關(guān)斷損耗 (EoffE_{off}Eoff?) ，我們的151 μJ是三款中最低的，比C***低了34%。更低的總損耗意味著您的系統(tǒng)效率更高，發(fā)熱更少，散熱器可以設(shè)計(jì)得更小。

同時(shí)，我們的靜態(tài)米勒電容 (CrssC_{rss}Crss?) 僅為6 pF ，確保了極快的開關(guān)速度和高可靠性?！?/p>

B. [關(guān)鍵賣點(diǎn) 2] 650V 40mΩ (B3M040065Z) - PFC 與服務(wù)器電源主力

650V是PFC、通信電源和AI服務(wù)器電源的主力戰(zhàn)場(chǎng)。B3M040065Z在此表現(xiàn)出卓越的高溫能效。

靜態(tài)參數(shù)對(duì)標(biāo) (Tj=25°C & 175°C) 1

品牌	型號(hào)	工藝	RDS(ON)?@25°C (mΩ)	RDS(ON)?@175°C (mΩ)	Ciss?/Crss?	QG? (nC)	VGS? (V)
BASIC	B3M040065Z	G3	40	55	220	60	-4/18
Infineon	IMZA65R039M1H	G1	39	55	93	41	0/18
Infineon	IMZA65R040M2H	G2	40	65	172	28	0/18
CREE	C3M0045065K	G3	45	61	203	63	-4/15
ST	SCT040W65G3-4	G3	40	61	66	37.5	-5/18
數(shù)據(jù)來源：1, p. 19

動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試對(duì)標(biāo) (VDS=400V,ID=20AV_{DS}=400V, I_{D}=20AVDS?=400V,ID?=20A) 1

測(cè)試項(xiàng)目	B3M040065Z (BASIC)	C3M0045065K (CREE)	SCT040W65G3-4 (ST)	單位
Tj=125°CT_{j}=125^{circ}CTj?=125°C
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	132	136	124	μJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	34	55	57	μJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	166	191	181	μJ
數(shù)據(jù)來源：1, p. 23

“對(duì)于您的650V應(yīng)用（如服務(wù)器電源PFC、戶儲(chǔ)逆變器），我們的B3M040065Z在兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)上完勝競(jìng)品：

第一，請(qǐng)看高溫靜態(tài)數(shù)據(jù) ：在175°C時(shí)，我們的 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 僅為 55mΩ55 mOmega55mΩ，顯著低于 Infineon G2、CREE G3 和 ST G3（均為 61mΩ61 mOmega61mΩ - 65mΩ65 mOmega65mΩ）。這意味著您的導(dǎo)通損耗更低。

第二，請(qǐng)看高溫動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù) ：在125°C時(shí)，我們的總開關(guān)損耗 (EtotalE_{total}Etotal?) 僅為166 μJ，是所有對(duì)比產(chǎn)品中最低的，比CREE (191 μJ) 低13%，比ST (181 μJ) 低8%。這主要?dú)w功于我們 34μJ34 mu J34μJ 的超低關(guān)斷損耗 (EoffE_{off}Eoff?) ，比競(jìng)品低近40%。

第三，我們的 Ciss/CrssC_{iss}/C_{rss}Ciss?/Crss? 比值高達(dá)220 ，遠(yuǎn)超所有對(duì)手（ST僅為66）。這提供了業(yè)內(nèi)最佳的抗米勒干擾能力，使您的半橋設(shè)計(jì)極其穩(wěn)健，杜絕誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)?！?/p>

IV. 核心產(chǎn)品組合：工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)功率模塊 (Power Modules)

針對(duì)大功率客戶（如儲(chǔ)能PCS、大功率充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)），模塊是主戰(zhàn)場(chǎng)。推廣邏輯不僅在于芯片性能，更在于先進(jìn)的封裝技術(shù)和經(jīng)過驗(yàn)證的系統(tǒng)級(jí)可靠性。

A. 工業(yè)模塊技術(shù)亮點(diǎn)

高可靠性封裝技術(shù)：Si3N4Si_3N_4Si3?N4? AMB 基板

基本半導(dǎo)體的工業(yè)模塊（如Pcore? E1B/E2B, 62mm系列）普遍引入了高性能 Si3N4Si_3N_4Si3?N4?（氮化硅）AMB（活性金屬釬焊）陶瓷基板和高溫焊料 。

性能對(duì)比：

Al2O3Al_2O_3Al2?O3? (氧化鋁)：導(dǎo)熱率低 (24 W/mK)，抗彎強(qiáng)度中等 (450 N/mm2N/mm^2N/mm2)。

AIN (氮化鋁)：導(dǎo)熱率高 (170 W/mK)，但機(jī)械性能差，易碎（抗彎強(qiáng)度350 N/mm2N/mm^2N/mm2）。

Si3N4Si_3N_4Si3?N4? (氮化硅)： 實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)熱與可靠性的最佳平衡。導(dǎo)熱率高 (90 W/mK)，且抗彎強(qiáng)度極高 (700 N/mm2N/mm^2N/mm2)，熱膨脹系數(shù) (2.5 ppm/K) 與SiC芯片更匹配。

推廣價(jià)值： SiC芯片功率密度高，熱沖擊大。Si3N4Si_3N_4Si3?N4? 基板憑借其出色的機(jī)械強(qiáng)度和抗熱沖擊能力，在1000次溫度沖擊試驗(yàn)后仍保持良好的結(jié)合強(qiáng)度，而 Al2O3Al_2O_3Al2?O3? / AIN 則可能出現(xiàn)分層1。這是模塊長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的保證。

內(nèi)置SiC SBD的性能優(yōu)勢(shì)

這是一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)差異點(diǎn)。SiC MOSFET的體二極管 (Body Diode) 性能較差（VFV_FVF? 高，且長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通存在雙極性退化風(fēng)險(xiǎn)）?；景雽?dǎo)體的Pcore?模塊（如E1B, E2B）內(nèi)置了SiC SBD作為續(xù)流二極管 。

帶來的三大優(yōu)勢(shì)：

更低續(xù)流損耗： SBD的管壓降 (VSD) 遠(yuǎn)低于體二極管。例如BMF240R12E2G3 (E2B) 在200A下的 VSDV_{SD}VSD? 僅為 1.91V1.91V1.91V，而競(jìng)品W***的體二極管壓降高達(dá) 5.45V5.45V5.45V 。這能大幅降低系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間內(nèi)的續(xù)流損耗。

消除雙極性退化 (Bipolar Degradation)： 避免了體二極管導(dǎo)通，從根本上消除了因堆垛層錯(cuò) (Stacking Fault) 擴(kuò)展導(dǎo)致的 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 上升和器件失效風(fēng)險(xiǎn) 。

更高可靠性： 實(shí)測(cè)證明，在普通SiC MOSFET體二極管導(dǎo)通運(yùn)行1000小時(shí)后，RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 波動(dòng)高達(dá)42%，而內(nèi)置SBD的本產(chǎn)品，RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 變化率在3%以內(nèi) 。

B. 工業(yè)模塊產(chǎn)品系列概覽

Pcore?2 E1B/E2B 系列： 采用行業(yè)通用封裝，內(nèi)置SBD，高性能 Si3N4Si_3N_4Si3?N4? AMB基板。適用于大功率充電樁、APF、PCS、高端焊機(jī) 。

Pcore?2 34mm 系列： 采用BASiC第三代芯片，高性能DCB和高溫焊料。適用于高端工業(yè)焊機(jī)、感應(yīng)加熱、工業(yè)變頻器 。

Pcore?2 62mm 系列： 采用BASiC第三代芯片，高性能 Si3N4Si_3N_4Si3?N4? AMB基板，低雜散電感 (<14nH< 14nH<14nH)，帶Cu基板。適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率焊機(jī)、輔助牽引 。

其他系列： 包括Pcore? E3B (ANPC三電平), Pcore? 12 EP2 (雙三相橋) 等 。

C. 車規(guī)級(jí)模塊與應(yīng)用：終極的可靠性證明

車規(guī)級(jí)市場(chǎng)是半導(dǎo)體行業(yè)要求最嚴(yán)苛的金字塔尖。基本半導(dǎo)體在車規(guī)市場(chǎng)的成功是其產(chǎn)品可靠性的最強(qiáng)背書。

車規(guī)級(jí)產(chǎn)品系列：

Pcore? M6 (HPD): 三相全橋模塊，750V/1.9mΩ750V/1.9mOmega750V/1.9mΩ (700A) / 1200V/2.2mΩ1200V/2.2mOmega1200V/2.2mΩ (600A)。

Pcore? 2 (DCM): 半橋模塊，750V/1.4mΩ750V/1.4mOmega750V/1.4mΩ (920A) / 1200V/1.6mΩ1200V/1.6mOmega1200V/1.6mΩ (720A)。

Pcore? M1 (TPAK): 單開關(guān)模塊。

先進(jìn)封裝技術(shù)：

采用銀燒結(jié) (Silver Sintering) 工藝，PinFin（針鰭）散熱基板，實(shí)現(xiàn)高散熱效率和高電流密度。

極低的雜散電感（DCM封裝 < 5.5nH5.5 nH5.5nH），為高速開關(guān)提供保障 。

量產(chǎn)應(yīng)用案例：

H品牌： G/H車型，800V平臺(tái)，250kW峰值功率，2023年已上市。

A品牌： V/R車型，400V平臺(tái)，165kW峰值功率，2024年已上市。

Z品牌： A/B車型，準(zhǔn)900V平臺(tái)，峰值功率 579kW579kW579kW - 600kW600kW600kW，2024-2025年上市。

“我們知道您在工業(yè)/光伏/儲(chǔ)能應(yīng)用中對(duì)可靠性要求極高。我們的車規(guī)級(jí)模塊已經(jīng)大批量搭載在H品牌、A品牌、Z品牌等頭部車企的800V和準(zhǔn)900V平臺(tái)上 ，峰值功率高達(dá)600kW，這些車型都在路上跑。汽車主驅(qū)電控是地球上對(duì)功率半導(dǎo)體要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用，遠(yuǎn)超工業(yè)和光伏。我們的SiC經(jīng)受住了車規(guī)的考驗(yàn)，用在您的儲(chǔ)能PCS或充電樁上，可靠性是降維打擊?！?/p>

V. 功率模塊的性能實(shí)證：與競(jìng)品的深度對(duì)標(biāo)分析

本章節(jié)為大功率模塊客戶提供精確的對(duì)標(biāo)數(shù)據(jù)，重點(diǎn)突出基本半導(dǎo)體在高溫、大電流工況下的開關(guān)性能和可靠性優(yōu)勢(shì)。

A. [關(guān)鍵賣點(diǎn) 3] BMF240R12E2G3 (E2B封裝) - 充電樁與PCS主力

靜態(tài)參數(shù)對(duì)標(biāo) (Tj=25°CT_j=25^{circ}CTj?=25°C)

項(xiàng)目	測(cè)試條件	BMF240R12E2G3 (BASIC)	CAB006M12GM3 (W*)**	FF6MR12W2M1H (I*)**	單位
VSDV_{SD}VSD? (續(xù)流壓降)	VGS=?4V,ISD=200AV_{GS}=-4V, I_{SD}=200AVGS?=?4V,ISD?=200A	1.911	5.452	4.861	V
VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)?	ID=78mAI_{D}=78mAID?=78mA	4.311	3.008	4.050	V
RDS(ON)R_{DS(ON)}RDS(ON)?	VGS=18V,ID=150AV_{GS}=18V, I_{D}=150AVGS?=18V,ID?=150A	5.701	4.036	4.412	mΩmOmegamΩ
CrssC_{rss}Crss?	VDS=800VV_{DS}=800VVDS?=800V	36.900	52.919	59.584	pF
數(shù)據(jù)來源：1, p. 20-22

動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試對(duì)標(biāo) (VDC=800V,Rg=3.3ΩV_{DC}=800V, R_g=3.3OmegaVDC?=800V,Rg?=3.3Ω) 1

測(cè)試項(xiàng)目	工況 (ID?)	BMF240R12E2G (BASIC)	CAB006M12GM3 (W*)**	FF6MR12W2M1H (I*)**	單位
Tj=125°CT_{j}=125^{circ}CTj?=125°C
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	150A	5.89	5.12	5.49	mJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	150A	1.66	3.01	2.61	mJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	150A	7.55	8.13	8.10	mJ
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	400A	14.66	15.90	15.39	mJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	400A	6.16	11.31	8.85	mJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	400A	20.82	27.21	24.24	mJ
數(shù)據(jù)來源：1, p. 25

“針對(duì)您的大功率充電樁或儲(chǔ)能PCS應(yīng)用，我們的E2B封裝BMF240R12E2G3優(yōu)勢(shì)極其明顯：

續(xù)流損耗：我們的模塊內(nèi)置SBD1，在200A續(xù)流時(shí)，壓降 VSDV_{SD}VSD? 僅為 1.91V1.91V1.91V。而W和I使用體二極管，壓降高達(dá) 5.45V5.45V5.45V 和 4.86V4.86V4.86V 。在系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間內(nèi)，您的續(xù)流損耗將降低60%以上。

開關(guān)損耗：請(qǐng)看125°C高溫下的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù) 。在150A時(shí)，我們的 EtotalE_{total}Etotal? (7.55 mJ) 是最低的。在400A的重載工況下，我們的優(yōu)勢(shì)更明顯：EtotalE_{total}Etotal? 僅 20.82mJ20.82 mJ20.82mJ，比W*** (27.21 mJ) 低23% ，比I*** (24.24 mJ) 低14% 。

損耗來源：我們的巨大優(yōu)勢(shì)來自于超低的關(guān)斷損耗 (EoffE_{off}Eoff?) 。在400A時(shí)，我們的 EoffE_{off}Eoff? 僅 6.16mJ6.16 mJ6.16mJ，而W和I分別高達(dá) 11.31mJ11.31 mJ11.31mJ 和 8.85mJ8.85 mJ8.85mJ。

更低的總損耗 + 更低的續(xù)流損耗 = 您的系統(tǒng)效率最高，發(fā)熱最低，可靠性最強(qiáng)?！?/p>

B. [關(guān)鍵賣點(diǎn) 4] BMF540R12KA3 (62mm封裝) - 大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)

靜態(tài)參數(shù)對(duì)標(biāo) (Tj=25°CT_j=25^{circ}CTj?=25°C & 150°C)

靜態(tài)參數(shù)（RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 約 2.5mΩ2.5 mOmega2.5mΩ, VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)? 約 2.7V2.7V2.7V）與CREE的CAB530M12BM3非常接近，表明是直接對(duì)標(biāo)產(chǎn)品。

動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試對(duì)標(biāo) (VDS=600V,Rg=2ΩV_{DS}=600V, R_g=2OmegaVDS?=600V,Rg?=2Ω)

測(cè)試項(xiàng)目	工況 (ID?)	BMF540R12KA3 (BASIC)	CAB530M12BM3 (CREE)	單位
Tj=175°CT_{j}=175^{circ}CTj?=175°C
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	270A	8.32	10.3	mJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	270A	5.51	7.94	mJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	270A	13.83	18.24	mJ
EonE_{on}Eon? (開通損耗)	540A	16.42	20.09	mJ
EoffE_{off}Eoff? (關(guān)斷損耗)	540A	14.21	20.2	mJ
EtotalE_{total}Etotal? (總損耗)	540A	30.63	40.29	mJ
數(shù)據(jù)來源：1, p. 43-44; 1, p. 8-9

“對(duì)于您的500A以上的大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)（或光伏逆變器），我們的62mm模塊 (BMF540R12KA3) 提供了驚人的性能。請(qǐng)看這份在175°C結(jié)溫、540A電流的極限工況下的對(duì)比數(shù)據(jù) ：

我們的開通損耗 (EonE_{on}Eon?) 比CREE低18% (16.42mJ16.42 mJ16.42mJ vs 20.09mJ20.09 mJ20.09mJ)。

我們的關(guān)斷損耗 (EoffE_{off}Eoff?) 比CREE低30% (14.21mJ14.21 mJ14.21mJ vs 20.2mJ20.2 mJ20.2mJ)。

最終，我們的總開關(guān)損耗 (EtotalE_{total}Etotal?) 僅為 30.63mJ30.63 mJ30.63mJ，而CREE高達(dá) 40.29mJ40.29 mJ40.29mJ 。這意味著在同等工況下，我們的模塊開關(guān)損耗降低了整整24% 。這對(duì)您的散熱設(shè)計(jì)、系統(tǒng)成本和長(zhǎng)期可靠性來說，是一個(gè)決定性的優(yōu)勢(shì)?！?/p>

VI. 應(yīng)用場(chǎng)景的量化價(jià)值：SiC vs. IGBT 仿真對(duì)比 (PLECS)

本章節(jié)是最高階的推廣策略：不再是“我的芯片比對(duì)手好”，而是“我的芯片能讓您的系統(tǒng)產(chǎn)生革命性變化”。這是從“元件思維”到“系統(tǒng)思維”的轉(zhuǎn)變，用PLECS仿真數(shù)據(jù)直觀地展示客戶的商業(yè)價(jià)值。

A. [推廣案例 1：工業(yè)電源]

應(yīng)用分析： 工業(yè)電源（H橋拓?fù)洌﹤鹘y(tǒng)上使用20kHz的IGBT。客戶的核心訴求是減小體積、減輕重量（便攜性）和節(jié)能。

仿真對(duì)比： BMF80R12RA3 (SiC, 34mm模塊) vs. 某品牌高速IGBT (1200V 100A)。

仿真條件： H橋拓?fù)? VDC=540VV_{DC}=540VVDC?=540V, Pout=20kWP_{out}=20kWPout?=20kW, TH=80°CT_H=80^{circ}CTH?=80°C 。

焊機(jī)H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)仿真結(jié)果 (單開關(guān)損耗)

模塊型號(hào)	開關(guān)頻率 (fsw?)	導(dǎo)通損耗 (W)	開通損耗 (W)	關(guān)斷損耗 (W)	總損耗 (Per MOS/IGBT) (W)	H橋總損耗 (W)	整機(jī)效率 (H橋)
B*** (IGBT)	20kHz	37.66	64.26	47.23	149.15	596.6	97.10%
F*** (IGBT)	20kHz	37.91	41.39	22.08	101.38	405.52	98.01%
BMF80R12RA3 (SiC)	70kHz	16.67	48.2	10.55	66.68	239.84	98.82%
BMF80R12RA3 (SiC)	80kHz	15.93	38.36	12.15	80.29	321.16	98.42%
數(shù)據(jù)來源：1, p. 37; 1, p. 17

“我們知道，焊機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，客戶要求設(shè)備更輕、更節(jié)能。但使用IGBT，您被限制在20kHz，導(dǎo)致您的變壓器和電感又大又重。

我們不只是賣您一顆SiC芯片，我們賣給您一個(gè)系統(tǒng)升級(jí)的可能。請(qǐng)看這份20kW焊機(jī)的PLECS仿真 ：如果您用我們的BMF80R12RA3模塊，您可以將開關(guān)頻率從20kHz提升到80kHz（4倍）。

這意味著：

高頻化： 您的磁性元件（變壓器、電感）體積和成本可以降低至少50% ，焊機(jī)重量大幅下降。

高效率： 即使在4倍的頻率下，您的H橋總損耗也從596W（B** IGBT）降低到321W*，下降了46%。

高效益： 整機(jī)效率從97.10%提升到98.42% ，響應(yīng)速度更快，焊接工藝控制更精準(zhǔn)。

這是實(shí)現(xiàn)下一代高頻、便攜、高效焊機(jī)的唯一途徑?！?/p>

B. [推廣案例 2：電機(jī)驅(qū)動(dòng)/大功率儲(chǔ)能]

應(yīng)用分析： 大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)（變頻器、伺服）或儲(chǔ)能PCS。客戶的核心訴求是功率密度（在給定體積內(nèi)輸出更大功率）和全負(fù)載范圍的效率。

仿真對(duì)比： BMF540R12KA3 (SiC, 62mm模塊) vs. 某IGBT (FF800R12KE7)。

仿真條件： VDC=800VV_{DC}=800VVDC?=800V, TH=80°CT_H=80^{circ}CTH?=80°C, 三相逆變器 1。

推廣路徑1：追求極致效率 (仿真任務(wù)1：固定出力仿結(jié)溫) 1

工況： 固定輸出 300Arms300 A_{rms}300Arms?， fsw=6kHzf_{sw}=6kHzfsw?=6kHz (對(duì)標(biāo)IGBT)。

模塊類型	型號(hào)	載頻 (fsw?)	單開關(guān)總損耗 (W)	效率 (%)	最高結(jié)溫 (Tj?)
IGBT	FF800R12KE7	6 kHz	1119.71	97.25%	129.14°C
SiC	BMF540R12KA3	6 kHz	185.35	99.53%	102.7°C
SiC	BMF540R12KA3	12 kHz	242.66	99.39%	109.49°C
數(shù)據(jù)來源：1, p. 55; 1, p. 20

推廣話術(shù)（針對(duì)節(jié)能型客戶）：

“在同等300A負(fù)載和6kHz頻率下 ，用我們的SiC模塊替換IGBT，您的逆變器損耗將降低83%（從1120W降至185W），效率從97.25%飆升至99.53%。結(jié)溫下降近27°C。這意味著您可以大幅縮小散熱器，甚至取消風(fēng)扇，實(shí)現(xiàn)更高可靠性的液冷或自然冷卻系統(tǒng)?！?/p>

推廣路徑2：追求極致功率密度 (仿真任務(wù)2：固定結(jié)溫仿出力)

工況： fsw=6kHzf_{sw}=6kHzfsw?=6kHz，限制最高結(jié)溫 Tj≤175°CT_j le 175^{circ}CTj?≤175°C ，反推最大輸出電流。

模塊類型	型號(hào)	載頻 (fsw?)	最高結(jié)溫 (Tj?)	最大相電流 (Arms?)
IGBT	FF800R12KE7	6 kHz	175°C	446
SiC	BMF540R12KA3	6 kHz	175°C	556.5
數(shù)據(jù)來源：1, p. 58; 1, p. 23

推廣話術(shù)（針對(duì)性能型客戶）：

“如果您想在現(xiàn)有的62mm封裝和散熱設(shè)計(jì)上壓榨出最大功率 1，我們的SiC模塊是您的不二之選。在相同的175°C結(jié)溫極限下，IGBT最多只能跑到446A。而我們的BMF540R12KA3可以穩(wěn)定輸出556.5A——這比IGBT提升了近25%的功率！您可以在不改變?nèi)魏谓Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的前提下，推出一個(gè)功率高25%的新型號(hào)產(chǎn)品?！?/p>

VII. 贏得客戶信任：可靠性與車規(guī)級(jí)認(rèn)證

本章節(jié)用于打消客戶對(duì)“新品牌”和“國(guó)產(chǎn)”在耐用性上的顧慮，是銷售談判后期的關(guān)鍵支撐材料。

A. 工業(yè)級(jí)可靠性驗(yàn)證

基本半導(dǎo)體執(zhí)行完整的工業(yè)級(jí)可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)一線大廠，確保產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性 。

基本半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn) (部分)

No.	Stress (測(cè)試項(xiàng)目)	Abbr (縮寫)	Conditions (測(cè)試條件)	Test duration (時(shí)長(zhǎng))	Standard (標(biāo)準(zhǔn))
1	高溫反偏	HTRB	Tj=175°CT_j=175^{circ}CTj?=175°C, VDS=100%BVV_{DS}=100%BVVDS?=100%BV	1000 H	MIL-STD-750 / JEDEC
2	高溫柵偏 (正壓)	HTGB (+)	Tj=175°CT_j=175^{circ}CTj?=175°C, VGS=22VV_{GS}=22VVGS?=22V	1000 H	JEDEC JESD22-A-108
3	高溫柵偏 (負(fù)壓)	HTGB (-)	Tj=175°CT_j=175^{circ}CTj?=175°C, VGS=?10VV_{GS}=-10VVGS?=?10V	1000 H	JEDEC JESD22-A-108
4	高壓高濕高溫反偏	HV-H3TRB	Ta=85°CTa=85^{circ}CTa=85°C, RH=85%RH=85%RH=85%, VDS=80%BVV_{DS}=80%BVVDS?=80%BV	1000 H	JEDEC JESD22-A-101
5	高壓蒸煮	AC	Ta=121°CTa=121^{circ}CTa=121°C, RH=100%RH=100%RH=100%, 15psig	96 H	JEDEC JESD22-A-102
6	溫度循環(huán)	TC	?55°C-55^{circ}C?55°C to 150°C150^{circ}C150°C	1000 cycles	JESD22-A104
7	間歇工作壽命	IOL	△Tj≥100°Ctriangle T_j ge 100^{circ}C△Tj?≥100°C	15000 cycles	MIL-STD-750
數(shù)據(jù)來源：1, p. 35

B. 車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證

基本半導(dǎo)體已有多款產(chǎn)品通過了嚴(yán)苛的AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證 。

已認(rèn)證產(chǎn)品： AB2M080120H (1200V 80mΩ) 已通過AEC-Q101認(rèn)證 。

認(rèn)證資質(zhì)： 公司提供了AEC-Q101可靠性測(cè)試報(bào)告（報(bào)告編號(hào) R202401195774-00EN），證明其產(chǎn)品（如AB2M040120Z）符合AEC-Q101-Rev E標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品型譜： 在產(chǎn)品型錄中，AB2M080120H、AB2M040120Z等多款產(chǎn)品均已獲得汽車級(jí)認(rèn)證 。

推廣策略： 必須主動(dòng)出示可靠性報(bào)告 1 和車規(guī)級(jí)認(rèn)證 3。向客戶表明，基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品不僅符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，更通過了要求高出一個(gè)數(shù)量級(jí)的AEC-Q101認(rèn)證。結(jié)合第四章節(jié)的頭部車企量產(chǎn)案例 1，形成“實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù) + 市場(chǎng)驗(yàn)證”的雙重保險(xiǎn)，徹底打消客戶對(duì)可靠性的顧慮。

VIII. 加速客戶設(shè)計(jì)導(dǎo)入 (Design-In)：完整的驅(qū)動(dòng)與電源解決方案

本章節(jié)是代理商實(shí)現(xiàn)價(jià)值最大化的關(guān)鍵。不要只賣一顆MOSFET，要賣“MOSFET + 驅(qū)動(dòng) + 電源”的方案包。這能鎖定客戶設(shè)計(jì)，提高客戶粘性，并解決客戶最大的技術(shù)痛點(diǎn)。

A. [技術(shù)痛點(diǎn)分析] 為何SiC MOSFET設(shè)計(jì)門檻高？——米勒效應(yīng) (Miller Phenomenon)

向客戶（尤其是從IGBT轉(zhuǎn)SiC）推廣時(shí)，必須首先揭示SiC的設(shè)計(jì)痛點(diǎn)，才能體現(xiàn)基本半導(dǎo)體“整體解決方案”的價(jià)值。

原理： 1在半橋電路中，當(dāng)上管Q1開通時(shí)，橋臂中點(diǎn)電壓快速上升（高dv/dt）。該dv/dt會(huì)驅(qū)動(dòng)下管Q2的柵漏間寄生電容（米勒電容 CgdC_{gd}Cgd?）流過米勒電流 IgdI_{gd}Igd? (Igd=Cgd×dv/dtI_{gd} = C_{gd} times dv/dtIgd?=Cgd?×dv/dt)。

SiC的特殊性：

極低的 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)?： SiC的開啟電壓僅為 1.8V1.8V1.8V - 2.7V2.7V2.7V，而IGBT通常為 5.5V5.5V5.5V。

極高的 dv/dtdv/dtdv/dt： SiC開關(guān)速度遠(yuǎn)快于IGBT。

惡果： 高 IgdI_{gd}Igd? 在Q2的關(guān)斷電阻 RgoffR_{goff}Rgoff? 上產(chǎn)生一個(gè)正向電壓尖峰 (Vspike=Igd×RgoffV_{spike} = I_{gd} times R_{goff}Vspike?=Igd?×Rgoff?)。這個(gè) VspikeV_{spike}Vspike? 極易超過SiC的低 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)?，導(dǎo)致Q2被誤導(dǎo)通 (False Turn-on)，形成上下橋臂直通，燒毀模塊。

B. [解決方案 1：驅(qū)動(dòng)] BTD5350M芯片的主動(dòng)米勒鉗位功能

實(shí)測(cè)證據(jù) (最強(qiáng)賣點(diǎn))：

基本半導(dǎo)體使用B2M040120Z搭建了雙脈沖平臺(tái)，實(shí)測(cè)了米勒鉗位的作用 。

米勒鉗位作用實(shí)測(cè)對(duì)比 (VDS=800V,ID=40AV_{DS}=800V, I_{D}=40AVDS?=800V,ID?=40A)

柵極關(guān)斷電壓	無米勒鉗位 (下管 VGS? 尖峰)	有米勒鉗位 (BTD5350M) (下管 VGS? 尖峰)	結(jié)論
0V	7.3V	2V	7.3V >> 2.7V (VthV_{th}Vth?)，必然誤導(dǎo)通！ 鉗位后安全。
-4V	2.8V	0V	2.8V ≈ 2.7V (VthV_{th}Vth?)，仍處在誤導(dǎo)通邊緣！ 鉗位后絕對(duì)安全。
數(shù)據(jù)來源：1, p. 31-32; 1, p. 40-41

“您在設(shè)計(jì)SiC驅(qū)動(dòng)時(shí)，最大的噩夢(mèng)就是米勒誤導(dǎo)通。請(qǐng)看這份實(shí)測(cè)波形 ：即使用0V關(guān)斷，下管的 VGSV_{GS}VGS? 會(huì)被抬高到 7.3V7.3V7.3V，這會(huì)立即導(dǎo)致短路。

而使用我們的BTD5350M驅(qū)動(dòng)芯片 ，其主動(dòng)米勒鉗位功能會(huì)在關(guān)斷期間提供一個(gè)超低阻抗路徑，將尖峰鉗制在2V以下，徹底杜絕誤導(dǎo)通。即使您使用-4V負(fù)壓 ，我們的鉗位功能也能將 2.8V2.8V2.8V 的危險(xiǎn)尖峰降至0V。這是我們?yōu)槟峁┑摹昏€匙’的可靠性方案?！?/p>

C. [解決方案 2：電源] BTP1521x + 專用變壓器

痛點(diǎn)： SiC需要+18V（充分導(dǎo)通）和-5V（可靠關(guān)斷）的隔離電源，傳統(tǒng)方案復(fù)雜且不可靠。

方案： 基本半導(dǎo)體提供正激DCDC電源芯片 BTP1521x（SOP-8/DFN封裝, 6W）1+ 雙通道隔離變壓器 TR-P15DS23-EE13 。

參考設(shè)計(jì)： 提供完整應(yīng)用電路圖 1。使用BTP1521F驅(qū)動(dòng)變壓器，副邊通過簡(jiǎn)單的全橋整流和穩(wěn)壓管，即可產(chǎn)生 VISO?VS≈+18VV_{ISO}-V_S approx +18VVISO??VS?≈+18V 和 COM?VS≈?5VCOM-V_S approx -5VCOM?VS?≈?5V 的雙路隔離電源，總功率4W，頻率477kHz。

“您不需要自己設(shè)計(jì)復(fù)雜的SiC驅(qū)動(dòng)隔離電源。我們提供包括BTP1521x電源芯片和專用變壓器在內(nèi)的完整參考設(shè)計(jì) 。您只需要復(fù)制這個(gè)電路，就能獲得為我們驅(qū)動(dòng)芯片 (BTD5350M) 完美適配的+18V/-5V電源。我們把最復(fù)雜的設(shè)計(jì)工作都完成了?！?/p>

D. [解決方案 3：驅(qū)動(dòng)板] BSRD系列參考設(shè)計(jì)

產(chǎn)品： BSRD-2427 (用于34mm模塊), BSRD-2503 (用于62mm模塊) 。

價(jià)值： 這是一個(gè)“即插即用” (Plug-and-Play) 的驅(qū)動(dòng)板，集成了上述所有方案（BTP1521x + 變壓器 + BTD5350M）。

“為了讓您最快速度評(píng)估我們的模塊，我們還提供即插即用的BSRD系列驅(qū)動(dòng)板 。它已經(jīng)搭載了我們優(yōu)化的電源和驅(qū)動(dòng)芯片。您可以直接用它來搭建雙脈沖平臺(tái)，一天之內(nèi)就能復(fù)現(xiàn)我們提供的優(yōu)異測(cè)試數(shù)據(jù)。這能讓您的項(xiàng)目評(píng)估周期縮短數(shù)周。”

IX. 總結(jié)：面向重點(diǎn)應(yīng)用的推廣策略與產(chǎn)品選型

深圳市傾佳電子有限公司（簡(jiǎn)稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動(dòng)者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲(chǔ)能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動(dòng)化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機(jī)）及高壓平臺(tái)升級(jí)；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國(guó)家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅(qū)動(dòng)板及驅(qū)動(dòng)IC，請(qǐng)?zhí)砑觾A佳電子楊茜微芯（壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁）

A. 市場(chǎng)策略總結(jié)：四大支柱

講出身 (Trust): 清華/劍橋背景，IDM自主可控 。

講性能 (Performance): 展示高溫下的 EtotalE_{total}Etotal? 和 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)? 對(duì)標(biāo)數(shù)據(jù) 。

講應(yīng)用 (Value): 展示PLECS仿真結(jié)果，量化SiC帶來的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)（高頻、高效、高功率密度）。

講方案 (Solution): 銷售“芯片+驅(qū)動(dòng)+電源”的整體方案，解決客戶米勒鉗位和電源設(shè)計(jì)的核心痛點(diǎn) 。

B. 目標(biāo)市場(chǎng)產(chǎn)品選型推薦表

以下表格匯總了針對(duì)四大核心工業(yè)應(yīng)用的產(chǎn)品選型推薦，可作為客戶拜訪的速查指南 。

重點(diǎn)應(yīng)用產(chǎn)品選型指南

目標(biāo)應(yīng)用	功率等級(jí)	推薦拓?fù)?/strong>	推薦SiC MOSFET分立器件	推薦SiC MOSFET模塊	配套驅(qū)動(dòng)/電源 IC	關(guān)鍵賣點(diǎn)
125kW 工商業(yè)儲(chǔ)能PCS	> 100kW	T型三電平 / ANPC	B3M013C120Z (1200V13.5mΩ1200V 13.5mOmega1200V13.5mΩ) * 24	BMF240R12E2G3 (E2B) * 4	BTD5350M, BTD25350M, BTP1521P	高效率, 低損耗, 高可靠性
APF (有源電力濾波器)	35A	三相VSI	B2M040120Z (1200V40mΩ1200V 40mOmega1200V40mΩ) * 6	-	BTD5350M, BTP1521P	高頻化（降低LCL成本），低損耗
	100A	三相VSI	-	BMF008MR12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	高功率密度，內(nèi)置SBD
	150A	三相VSI	-	BMF240R12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	模塊化方案，大電流
充電樁電源模塊	60kW	三相PFC + LLC	輔助電源: B2M600170R	BMF240R12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	高頻高效（LLC），高可靠性 (見V.A節(jié))
逆變焊機(jī)	250-350A	H橋 (全橋)	B2M080120Z (1200V80mΩ1200V 80mOmega1200V80mΩ) * 8	-	BTD5350M, BTP1521P	高頻（減小磁芯），高可靠性
	350-500A	H橋 (全橋)	B2M040120Z (1200V40mΩ1200V 40mOmega1200V40mΩ) * 8	BMF80R12RA3 (34mm) * 2	BTD25350M, BTP1521P	見VI.A節(jié)仿真數(shù)據(jù)，高頻高效
	> 500A (切割機(jī))	H橋 (全橋)	B2M030120Z (1200V30mΩ1200V 30mOmega1200V30mΩ) * 8	BMF160R12RA3 (34mm) * 2	BTD25350M, BTP1521P	極致功率密度
電機(jī)驅(qū)動(dòng) / 伺服	> 20kW	三相VSI	-	BMF540R12KA3 (62mm)	BSRD-2503 (驅(qū)動(dòng)板)	見VI.B節(jié)仿真數(shù)據(jù)，25%功率提升

審核編輯 黃宇