該ADS42B49是一款超低功耗雙通道、14位模擬轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）集成了模擬輸入緩沖器。它采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)消耗極低功耗。模擬輸入緩沖器的存在使該設(shè)備易于驅(qū)動(dòng)，并有助于在寬頻范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能。 這 ADS42B49非常適合多載波寬帶寬通信應(yīng)用。

ADS42B49具有增益選項(xiàng)，可用于在較低全功度輸入下提升SFDR性能 范圍。 該設(shè)備還包含一個(gè)直流偏移校正環(huán)路，可用于取消ADC偏移。 雙 DDR LVDS和并行CMOS數(shù)字輸出接口集成在緊湊型VQFN-64 PowerPAD?中 包。
*附件：ads42b49.pdf

該器件包含內(nèi)部參考，而傳統(tǒng)的參考引腳和相關(guān)的解耦電容器已被取消。ADS42B49在工業(yè)溫度范圍內(nèi)（–40°C至8°C）內(nèi)被指定。

特性

• 最大采樣率：250 MSPS
• 超低功率：
  • 850毫瓦總功率，250 MSPS
• 集成模擬輸入緩沖器：
  • 輸入電容：2.2 pF，頻率為170 MHz
  • 輸入電阻：1.1 kΩ，頻率為170 MHz
• 高動(dòng)態(tài)性能：
  • 85 dBc SFDR，頻率為170 MHz
  • 170 MHz 時(shí) 70.7 dBFS 信噪比
• 串?dāng)_：> 85 dB，頻率為185 MHz
• 可編程增益最高可編程6 dB，用于信
  噪比和SFDR權(quán)衡
• 直流偏移校正
• 輸出接口選項(xiàng)：
  • 1.8伏并行CMOS接口
  • 雙倍數(shù)據(jù)率（DDR）LVDS帶可編程擺動(dòng)：
    • 標(biāo)準(zhǔn)擺動(dòng)：350 mV
    • 低擺幅：200 mV
• 支持低輸入時(shí)鐘幅度，最低可達(dá)200 mVPP
• 封裝：9.00 毫米 × 9.00 毫米，64針?biāo)尼槺馄?br /> 無(wú)引腳（VQFN）封裝
  參數(shù)
  
  方框圖

一、產(chǎn)品概述

ADS42B49 是德州儀器（TI）推出的雙通道 14 位超高速低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），核心優(yōu)勢(shì)為集成模擬輸入緩沖器、動(dòng)態(tài)性能優(yōu)異、功耗控制出色，支持 DDR LVDS 和并行 CMOS 雙輸出接口，適用于無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施、軟件無(wú)線電、功率放大器線性化等對(duì)速率和功耗均敏感的高速信號(hào)采集場(chǎng)景。文檔版本為 SBAS558C，最初發(fā)布于 2012 年 12 月，2015 年 12 月修訂，器件采用 64 引腳 VQFN 封裝（9.00 mm×9.00 mm），工作溫度范圍 - 40°C 至 85°C。

二、核心參數(shù)與性能特性

1. 基礎(chǔ)規(guī)格

• 分辨率與采樣率 ：14 位分辨率（無(wú)失碼），最高采樣率 250 Msps，支持低速模式（1 Msps-80 Msps），適配不同速率需求。
• 動(dòng)態(tài)性能 ：170 MHz 輸入時(shí)，SFDR 達(dá) 85 dBc，SNR 達(dá) 70.7 dBFS，ENOB 達(dá) 11.4 LSB；通道間串?dāng)_＞85 dB，雙路同步性能優(yōu)異；輸入帶寬（3 dB）達(dá) 700 MHz，支持寬頻率信號(hào)采集。
• 輸入特性 ：差分輸入滿量程 2 Vpp，輸入共模電壓 1.9 V（內(nèi)部自偏置，無(wú)需外部偏置），170 MHz 時(shí)輸入阻抗 1.1 kΩ、輸入電容 2.2 pF，驅(qū)動(dòng)難度低。

2. 供電與功耗

• 供電范圍 ：需三組電源供電，AVDD（模擬）1.8 V-2.0 V（標(biāo)稱(chēng) 1.9 V），AVDD_BUF（模擬緩沖）3.15 V-3.45 V（標(biāo)稱(chēng) 3.3 V），DRVDD（數(shù)字）1.7 V-2.0 V（標(biāo)稱(chēng) 1.8 V）。
• 功耗表現(xiàn) ：250 Msps 時(shí)總功耗僅 850 mW（每通道 425 mW），超低功耗優(yōu)勢(shì)顯著；支持全局掉電（典型功耗 20 mW）和通道待機(jī)模式（典型功耗 240 mW），適配低功耗場(chǎng)景。

3. 封裝與環(huán)境適應(yīng)性

• 封裝類(lèi)型 ：64 引腳 VQFN 封裝，帶裸露熱焊盤(pán)，散熱性能優(yōu)異，結(jié)到環(huán)境熱阻（θJA）23.9 °C/W，結(jié)到板熱阻（θJB）4.3 °C/W。
• 可靠性 ：ESD 防護(hù)電壓 ±2000 V（人體模型 HBM）、±500 V（充電器件模型 CDM）；結(jié)溫最高 125°C，長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性良好。

4. 接口特性

• 數(shù)據(jù)輸出 ：支持 DDR LVDS（標(biāo)準(zhǔn)擺幅 350 mV、低擺幅 200 mV，可編程）和 1.8 V 并行 CMOS 雙接口，LVDS 模式下數(shù)據(jù)速率 500 Mbps，CMOS 模式支持單獨(dú)引腳輸出。
• 控制接口 ：支持 SPI 串行接口（最高 20 MHz）和并行控制引腳，可配置工作模式、增益、輸出格式等參數(shù)，靈活適配不同系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

三、工作模式與功能原理

1. 核心架構(gòu)

雙通道獨(dú)立設(shè)計(jì)，每通道集成模擬輸入緩沖器、14 位 ADC 采樣電路、數(shù)字校正邏輯及輸出序列化器；采用流水線架構(gòu)，默認(rèn)數(shù)據(jù)延遲 11 個(gè)時(shí)鐘周期，支持?jǐn)?shù)字功能（增益 / 偏移校正、測(cè)試模式）啟用（延遲 19 個(gè)時(shí)鐘周期）。

2. 主要工作模式

• 高速模式 ：采樣率 80 Msps-250 Msps，時(shí)鐘占空比 45%-55%，適配高速信號(hào)采集。
• 低速模式 ：采樣率 1 Msps-80 Msps，時(shí)鐘占空比 40%-60%，降低功耗的同時(shí)保證基礎(chǔ)性能。
• 掉電與待機(jī)模式 ：全局掉電模式關(guān)閉所有模塊，喚醒時(shí)間 100 μs；通道待機(jī)模式僅關(guān)閉 ADC 通道，喚醒時(shí)間 50 μs，平衡功耗與響應(yīng)速度。
• 復(fù)用模式 ：雙路數(shù)據(jù)復(fù)用至單總線輸出（DB [13:0]），適配低采樣率下的接口簡(jiǎn)化需求（建議＜125 Msps）。

3. 關(guān)鍵功能細(xì)節(jié)

• 可編程增益 ：支持 0 dB-6 dB 增益調(diào)節(jié)（0.5 dB 步進(jìn)），可權(quán)衡 SFDR 與 SNR 性能，高頻率輸入時(shí) SFDR 提升顯著。
• 偏移校正 ：內(nèi)置 DC 偏移校正算法，可校正 ±10 mV 偏移，校正時(shí)間常數(shù)可編程（1 M-2 G 時(shí)鐘周期），支持凍結(jié)校正結(jié)果。
• 靈活輸出格式 ：支持二進(jìn)制補(bǔ)碼和偏移二進(jìn)制兩種數(shù)據(jù)格式，LVDS 模式下每對(duì)差分引腳復(fù)用兩位數(shù)據(jù)，提升接口效率。

四、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)建議

1. 典型應(yīng)用領(lǐng)域

• 無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施、軟件無(wú)線電（SDR）、功率放大器（PA）線性化、寬帶信號(hào)采集系統(tǒng)等。

2. 設(shè)計(jì)關(guān)鍵要點(diǎn)

• 電源設(shè)計(jì) ：模擬電源（AVDD、AVDD_BUF）對(duì)噪聲敏感，建議使用低噪聲電源或添加濾波電路；所有電源引腳需就近并聯(lián) 0.1 μF 去耦電容，降低電源噪聲串?dāng)_。
• 輸入與時(shí)鐘設(shè)計(jì) ：模擬輸入需差分驅(qū)動(dòng)，建議串聯(lián) 5 Ω-10 Ω 電阻抑制振鈴；時(shí)鐘支持差分（正弦波、LVPECL、LVDS）或單端（LVCMOS）輸入，高速采樣時(shí)推薦低抖動(dòng)時(shí)鐘源，時(shí)鐘幅度最低可至 200 Vpp。
• 布線與散熱 ：PCB 需劃分模擬區(qū)、數(shù)字區(qū)和時(shí)鐘區(qū)，差分信號(hào)線成對(duì)緊密布線；裸露熱焊盤(pán)需焊接至地平面，確保散熱效率，避免結(jié)溫過(guò)高。