12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)：

一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型

高純度多晶硅提純

原料為沙子提取的高純度二氧化硅，經(jīng)化學(xué)氣相沉積（CVD）等工藝提純至“11個(gè)9”（99.999999999%）。

挑戰(zhàn)：雜質(zhì)控制要求極高，微小顆粒即可導(dǎo)致芯片失效。

單晶硅錠生長(zhǎng)

直拉法（CZ法）：將多晶硅熔化后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)提拉單晶籽晶形成圓柱形硅錠（直徑300mm），成本低但可能引入氧雜質(zhì)。

區(qū)熔法（FZ法）：局部加熱熔化硅棒，純度更高（適用于功率器件），但成本昂貴且難以制備大尺寸晶體。

晶圓加工

切片：用金剛石線鋸將硅錠切割為厚度約700-750μm的薄片。

研磨與拋光：通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）使表面平整度達(dá)納米級(jí)（誤差≤2nm），相當(dāng)于頭發(fā)絲的1/5萬(wàn)。

邊緣處理：對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行倒角，防止應(yīng)力集中導(dǎo)致崩裂。

二、核心前道工藝：電路制造

氧化與摻雜

熱氧化：在800–1200℃高溫下生成二氧化硅（SiO?）絕緣層，厚度可控（數(shù)百納米）。

離子注入/擴(kuò)散：摻入硼（P型）或磷（N型）元素，形成半導(dǎo)體區(qū)域，摻雜濃度需精確至ppm級(jí)別以避免性能波動(dòng)。

光刻與刻蝕

涂膠：旋涂光刻膠（Photoresist），厚度均勻性直接影響圖案精度。

曝光：使用深紫外光（DUV）或極紫外光（EUV）投影電路圖案。其中EUV支持5nm以下制程，但全球僅ASML可生產(chǎn)該設(shè)備。

顯影與刻蝕：溶解未曝光部分的光刻膠，再通過(guò)等離子體干法刻蝕或化學(xué)液濕法刻蝕，在硅片上形成溝槽或孔洞。

去膠：清除殘留光刻膠，準(zhǔn)備下一層電路加工。

薄膜沉積

采用化學(xué)氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）在晶圓表面沉積金屬（如銅、鎢）或介質(zhì)層（如氮化硅），構(gòu)建多層互連結(jié)構(gòu)2。

三、關(guān)鍵支撐技術(shù)

缺陷控制

每片晶圓需檢測(cè)≥0.1μm的顆粒，數(shù)量標(biāo)準(zhǔn)為<100顆/cm2。使用激光散射儀、原子力顯微鏡（AFM）實(shí)時(shí)監(jiān)控。

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化突破

中國(guó)已實(shí)現(xiàn)部分關(guān)鍵設(shè)備自主化，如西安奕斯偉研發(fā)的單晶生長(zhǎng)爐可拉制2.1米長(zhǎng)、300mm直徑的硅棒，支持28nm以下先進(jìn)制程。

12寸晶圓制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的尖端集成，融合了材料純度極限、納米級(jí)微縮加工和超凈環(huán)境控制。隨著中國(guó)大陸產(chǎn)能加速擴(kuò)張（預(yù)計(jì)2025年占全球12寸晶圓產(chǎn)能超30%），全球半導(dǎo)體格局正經(jīng)歷深度重構(gòu)。

審核編輯 黃宇