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紫光國芯榮獲2025年度CXL產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎

西安紫光國芯半導體 ? 來源:西安紫光國芯半導體 ? 2025-11-19 17:07 ? 次閱讀
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2025年11月18日,以“釋放數(shù)據(jù)潛能,加速智能涌現(xiàn)”為主題的2025中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京隆重舉辦。在峰會同期揭曉的“2025中國存儲風云榜”評選中,紫光國芯憑借其行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴展主控產(chǎn)品方案(產(chǎn)品型號:SCX201D5E2256G3H0156F01/SCX201PME2256G2H0132F01),榮獲“年度CXL產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了業(yè)界對公司技術(shù)領(lǐng)先性與產(chǎn)品化能力的高度認可。

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作為AI時代數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施演進的重要平臺,本屆峰會聚焦存儲技術(shù)突破、智能應用實踐與未來發(fā)展的趨勢,共探智能時代背景下的技術(shù)路徑與產(chǎn)業(yè)新機遇。

峰會期間,紫光國芯在峰會展區(qū)集中展示了基于CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)的系列產(chǎn)品與創(chuàng)新應用成果,全面展示公司在CXL領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新成果與生態(tài)共建能力,吸引了眾多行業(yè)嘉賓的關(guān)注與駐足交流。

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當前,數(shù)據(jù)中心和高性能計算等場景普遍面臨內(nèi)存容量不足的問題,紫光國芯推出的CXL內(nèi)存擴展產(chǎn)品方案,通過池化等相關(guān)技術(shù),實現(xiàn)了內(nèi)存資源的靈活調(diào)度與高效擴展,在顯著提升數(shù)據(jù)中心帶寬與容量利用率的同時,有效降低了系統(tǒng)總擁有成本(TCO)。

紫光國芯CXL內(nèi)存擴展產(chǎn)品方案所采用的CXL主控芯片具備良好的介質(zhì)兼容性,支持DRAM與PCM等多種存儲介質(zhì),并兼容CXL 2.0/1.1協(xié)議,支持EDSFF、AIC等多種硬件形態(tài),可助力高性能服務器突破TB級內(nèi)存容量限制,為高性能計算場景的應用提供關(guān)鍵支撐。

面對數(shù)據(jù)中心和高性能計算等場景中,大模型訓練與推理任務對內(nèi)存帶寬和容量不斷提升的需求,紫光國芯業(yè)務總經(jīng)理左豐國表示:“CXL相關(guān)生態(tài)正快速成熟,已進入技術(shù)應用落地階段。作為國內(nèi)CXL技術(shù)的先行者和聯(lián)盟‘Contributor’級別成員,紫光國芯一直專注于相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品。我們推出的CXL內(nèi)存擴展產(chǎn)品方案已成功適配國內(nèi)外主流處理器平臺并實現(xiàn)批量交付,應用場景涵蓋包括KV Cache、數(shù)據(jù)庫、HPC等多個領(lǐng)域。我們的產(chǎn)品方案在延遲、帶寬以及平臺兼容性等關(guān)鍵指標上表現(xiàn)優(yōu)異,可為客戶提供極具市場競爭力的解決方案。”

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原文標題:紫光國芯CXL內(nèi)存擴展產(chǎn)品方案榮獲2025年度CXL產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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