仁懋電子(MOT)推出的MOT6568J是一款面向 60V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類(lèi)型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 低導(dǎo)通電阻:56~63mΩ 導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),大幅降低低壓場(chǎng)景下的傳導(dǎo)損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率;
- 高可靠性與魯棒性:通過(guò) 100% UIS(單向雪崩耐量)和 Rg 測(cè)試,保障異常工況下的電路可靠性;
- 環(huán)保合規(guī):RoHS 合規(guī)且無(wú)鹵,適配綠色電子制造需求;
- 小型化封裝適配:采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配便攜設(shè)備、筆記本等對(duì)空間要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±20V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 功耗(\(P_D\)):2.1W,實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤(pán)等設(shè)計(jì)保障長(zhǎng)期可靠工作;
- 熱特性:結(jié) - 環(huán)境熱阻(\(R_{thJA}\))60℃/W;
- 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。
四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景
- 封裝形式:PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的小型化設(shè)計(jì)需求;
- 典型應(yīng)用:
- 便攜設(shè)備與電池供電系統(tǒng):為手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的電源回路提供高效開(kāi)關(guān)控制,保障續(xù)航與性能;
- 筆記本電腦電源管理:在筆記本的電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)作為核心開(kāi)關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)低損耗功率管理。
五、信息來(lái)源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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