chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊:高效與可靠的完美融合

h1654155282.3538 ? 2025-11-27 09:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊:高效與可靠的完美融合

電子工程師的設(shè)計世界里,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊,看看它究竟有哪些獨(dú)特之處,能為我們的設(shè)計帶來怎樣的優(yōu)勢。

文件下載:SNXH800H120L7QDSG.pdf

模塊概述

SNXH800H120L7QDSG 是一款額定電壓為 1200V、電流為 800A 的半橋 IGBT 功率模塊。它集成了 Field Stop Trench 7 IGBT 和 Gen. 7 二極管,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,幫助設(shè)計師實(shí)現(xiàn)高效率和卓越的可靠性。這對于追求高性能和穩(wěn)定性的設(shè)計來說,無疑是一個極具吸引力的選擇。

原理圖

產(chǎn)品特性

高性能器件集成

  • 先進(jìn)的 IGBT 和二極管:Field Stop Trench 7 IGBT 和 Gen. 7 二極管的組合,為模塊帶來了更低的損耗,提高了整體效率。
  • NTC 熱敏電阻:模塊配備了 NTC 熱敏電阻,方便進(jìn)行溫度監(jiān)測和控制,有助于保障模塊的穩(wěn)定運(yùn)行。

    結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)勢

  • 隔離底板:隔離底板設(shè)計增強(qiáng)了模塊的電氣絕緣性能,提高了使用安全性。
  • 可焊接引腳:可焊接引腳使得模塊在安裝和連接過程中更加方便,能夠適應(yīng)不同的設(shè)計需求。
  • 低電感布局:低電感布局有助于減少電磁干擾,提高模塊的抗干擾能力,保證信號的穩(wěn)定傳輸。

    環(huán)保設(shè)計

    該模塊是無鉛器件,符合環(huán)保要求,響應(yīng)了綠色電子的發(fā)展趨勢。

典型應(yīng)用

SNXH800H120L7QDSG 適用于商業(yè)農(nóng)業(yè)車輛(CAV)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用場景中,模塊的高性能和可靠性能夠滿足車輛對電力系統(tǒng)的嚴(yán)格要求,為車輛的穩(wěn)定運(yùn)行提供有力支持。那么,在其他類似的工業(yè)應(yīng)用中,它是否也能發(fā)揮出色的性能呢?這值得我們進(jìn)一步探索。

電氣與機(jī)械特性

絕對最大額定值

模塊的絕對最大額定值規(guī)定了其正常工作的邊界條件。例如,集電極 - 發(fā)射極電壓(VCES)在柵極 - 發(fā)射極電壓為 0V 時可達(dá) 1200V,柵極 - 發(fā)射極電壓(VGES)在集電極 - 發(fā)射極電壓為 0V 時為 ±20V。連續(xù)集電極電流(IC)在 TC = 90°C 時為 ±800A,重復(fù)脈沖集電極電流(IPULSE)在 TC = 25°C、tp = 1 ms 時為 ±1600A。這些參數(shù)為我們在設(shè)計電路時提供了重要的參考,確保模塊在安全的范圍內(nèi)工作。但在實(shí)際應(yīng)用中,我們是否需要考慮更極端的情況呢?這就需要我們根據(jù)具體的設(shè)計需求進(jìn)行評估。

熱阻特性

熱阻特性是衡量模塊散熱性能的重要指標(biāo)。表 2 給出了模塊的熱阻參數(shù),如結(jié)到外殼的熱阻(RthJCQ)和外殼到散熱器的熱阻(RthCHQ)等。良好的散熱性能對于模塊的長期穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要,它能夠降低結(jié)溫,延長模塊的使用壽命。那么,在不同的散熱條件下,這些熱阻參數(shù)會發(fā)生怎樣的變化呢?這需要我們進(jìn)行進(jìn)一步的測試和分析。

熱敏電阻特性

模塊中的 NTC 熱敏電阻具有特定的電阻 - 溫度特性。表 3 列出了熱敏電阻在不同溫度下的電阻值、偏差、功率耗散等參數(shù)。通過對這些參數(shù)的了解,我們可以準(zhǔn)確地監(jiān)測模塊的溫度變化,及時采取相應(yīng)的措施來保證模塊的正常工作。但在實(shí)際應(yīng)用中,熱敏電阻的精度和穩(wěn)定性是否會受到其他因素的影響呢?這也是我們需要關(guān)注的問題。

電氣特性

表 4 詳細(xì)列出了模塊的電氣特性,包括 IGBT 和二極管的各項參數(shù)。例如,IGBT 的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(SAT))、柵極 - 發(fā)射極閾值電壓(VGE(TH))、開關(guān)時間和能量損耗等,以及二極管的正向電壓(VE)、反向恢復(fù)電流(IRRM)和反向恢復(fù)電荷(Qrr)等。這些參數(shù)反映了模塊的電氣性能,對于電路的設(shè)計和優(yōu)化具有重要的指導(dǎo)意義。在實(shí)際應(yīng)用中,我們?nèi)绾胃鶕?jù)這些參數(shù)來選擇合適的驅(qū)動電路和控制策略呢?這需要我們綜合考慮各種因素,進(jìn)行精心的設(shè)計。

模塊和機(jī)械特性

表 5 給出了模塊的比較跟蹤指數(shù)(CTI)、爬電距離(DCR)、電氣間隙(DCL)、雜散電感(MLs)和重量(Mw)等機(jī)械特性參數(shù)。這些參數(shù)對于模塊的安裝和使用具有重要的影響,我們需要根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場景來選擇合適的安裝方式和散熱方案。那么,在不同的機(jī)械環(huán)境下,這些特性參數(shù)是否會發(fā)生變化呢?這也需要我們進(jìn)行深入的研究。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,如 IGBT 的輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、開關(guān)損耗特性、開關(guān)時間特性,二極管的正向特性、開關(guān)損耗特性,以及模塊的瞬態(tài)熱阻抗、柵極電荷特性等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),為我們的設(shè)計提供了更全面的參考。通過對這些曲線的分析,我們可以更好地了解模塊的工作特性,優(yōu)化電路設(shè)計,提高系統(tǒng)的性能。但在實(shí)際應(yīng)用中,我們是否可以根據(jù)這些曲線進(jìn)行進(jìn)一步的仿真和驗(yàn)證呢?這將有助于我們更加準(zhǔn)確地預(yù)測模塊在實(shí)際電路中的性能。

機(jī)械尺寸與標(biāo)記

文檔提供了模塊的機(jī)械尺寸和標(biāo)記信息,包括 PIM11 封裝的詳細(xì)尺寸和引腳分配圖。準(zhǔn)確的機(jī)械尺寸信息對于模塊的安裝和布局至關(guān)重要,我們需要根據(jù)實(shí)際的電路板設(shè)計來合理安排模塊的位置。同時,清晰的標(biāo)記信息也有助于我們正確識別和使用模塊。那么,在進(jìn)行電路板設(shè)計時,我們?nèi)绾未_保模塊的安裝和連接符合要求呢?這需要我們仔細(xì)研究機(jī)械尺寸和標(biāo)記信息,進(jìn)行精確的設(shè)計。

總結(jié)

SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊憑借其高性能、可靠性和環(huán)保設(shè)計等優(yōu)勢,在商業(yè)農(nóng)業(yè)車輛等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。通過對其特性、參數(shù)和典型特性曲線的深入了解,我們可以更好地將其應(yīng)用到實(shí)際設(shè)計中,為電子系統(tǒng)的高效運(yùn)行提供有力保障。在實(shí)際應(yīng)用中,我們還需要根據(jù)具體的設(shè)計需求,對模塊進(jìn)行進(jìn)一步的測試和優(yōu)化,以確保其性能能夠滿足系統(tǒng)的要求。那么,你在使用類似的 IGBT 模塊時,遇到過哪些問題和挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4272

    瀏覽量

    260761
  • 半橋
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    93

    瀏覽量

    21879
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    612

    瀏覽量

    46668
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186驅(qū)動解決方案

    在高壓功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域,一款性能穩(wěn)定、兼容性強(qiáng)的驅(qū)動器對系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。SiLM2186CA-DG 正是為此設(shè)計的優(yōu)秀產(chǎn)品,該芯片采用SOP8封裝,提供獨(dú)立的高邊和低邊驅(qū)動通道,直接
    發(fā)表于 08-23 09:36

    XM3電源模塊系列CREE

    設(shè)計確保關(guān)鍵負(fù)載持續(xù)供電,減少能源浪費(fèi)。l 智能電網(wǎng)與分布式發(fā)電:支持并網(wǎng)逆變器高效轉(zhuǎn)換,提升可再生能源利用率。l 工廠自動化:緊湊尺寸與高可靠性滿足機(jī)器人、伺服驅(qū)動器等精密設(shè)備需求。
    發(fā)表于 09-11 09:48

    900A IGBT模塊SEMiXTM4

    900A IGBT模塊 SEMiXTM4 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù),具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等
    發(fā)表于 12-22 11:14 ?1237次閱讀
    900A <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>SEMiXTM4

    GA系列IGBT、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路

    GA系列IGBT、高端開關(guān)和低端開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線電路
    發(fā)表于 02-18 22:20 ?1897次閱讀
    GA系列<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>、高端開關(guān)和低端開關(guān)型<b class='flag-5'>模塊</b>的內(nèi)部接線電路

    Littelfuse的新型IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效可靠的電源轉(zhuǎn)換

    Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新型
    發(fā)表于 10-25 16:29 ?3333次閱讀

    Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計的IGBT模塊,有何特點(diǎn)

    Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計,現(xiàn)包括
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:44 ?5509次閱讀

    Vishay發(fā)布五款新型IGBT功率模塊

    Vishay近期發(fā)布五款新型IGBT功率模塊,其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均運(yùn)用Vis
    的頭像 發(fā)表于 03-08 11:45 ?1463次閱讀

    ?基于onsemi FAD8253MX-1柵極驅(qū)動器的技術(shù)深度解析

    onsemi FAD8253MX-1柵極驅(qū)動器IC是一款單片式器件,專為高壓、高速驅(qū)動、工作電壓高達(dá)+1200V的IGBT而設(shè)計。onsemi
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:50 ?494次閱讀
    ?基于<b class='flag-5'>onsemi</b> FAD8253MX-1<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>柵極驅(qū)動器的技術(shù)深度解析

    探索 onsemi NXH800H120L7QDSG IGBT 模塊高效可靠完美結(jié)合

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊一直是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換的核心組件。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NXH800H120
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:29 ?304次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NXH<b class='flag-5'>800H120L7QDSG</b> <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>模塊</b>:<b class='flag-5'>高效</b>與<b class='flag-5'>可靠</b>的<b class='flag-5'>完美</b>結(jié)合

    探索 onsemi FGHL40T120RWD IGBT高效可靠完美融合

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率器件對于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 FGHL40T120RWD IGBT(絕緣柵雙極晶體管),
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:08 ?393次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> FGHL40T<b class='flag-5'>120</b>RWD <b class='flag-5'>IGBT</b>:<b class='flag-5'>高效</b>與<b class='flag-5'>可靠</b>的<b class='flag-5'>完美</b><b class='flag-5'>融合</b>

    深入解析 onsemi NFAM2512L7B 智能功率模塊:設(shè)計與應(yīng)用指南

    在工業(yè)驅(qū)動、自動化等領(lǐng)域,智能功率模塊(IPM)是實(shí)現(xiàn)高效、可靠電機(jī)控制的關(guān)鍵組件。今天,我們來詳細(xì)探討 onsemi 的 NFAM2512L7
    的頭像 發(fā)表于 12-03 14:40 ?939次閱讀
    深入解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> NFAM2512<b class='flag-5'>L7</b>B 智能功率<b class='flag-5'>模塊</b>:設(shè)計與應(yīng)用指南

    探索onsemi FGH4L75T65MQDC50 IGBT高效能與可靠性的完美結(jié)合

    在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,對于提升設(shè)備性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來深入探討一下onsemi推出的FGH4L75T65MQDC50
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:45 ?538次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b><b class='flag-5'>onsemi</b> FGH4<b class='flag-5'>L</b>75T65MQDC50 <b class='flag-5'>IGBT</b>:<b class='flag-5'>高效</b>能與<b class='flag-5'>可靠</b>性的<b class='flag-5'>完美</b>結(jié)合

    onsemi NXH240B120H3Q1:Si/SiC混合模塊的卓越性能解析

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著眾多應(yīng)用的效率和可靠性。今天,我們來深入探討onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模塊
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:52 ?237次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NXH240B<b class='flag-5'>120H</b>3Q1:Si/SiC混合<b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能解析

    探索onsemi FGY100T120RWD IGBT高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高功率、高效率的電子設(shè)備中。今天,我們將深入探討 onsemi 公司推出的 FGY100T120
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:11 ?600次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b><b class='flag-5'>onsemi</b> FGY100T<b class='flag-5'>120</b>RWD <b class='flag-5'>IGBT</b>:<b class='flag-5'>高效</b>性能與廣泛應(yīng)用的<b class='flag-5'>完美</b>結(jié)合

    深入解析onsemi FGY75T120SWD IGBT高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的功率器件對于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 FGY75T120SWD
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:40 ?624次閱讀
    深入解析<b class='flag-5'>onsemi</b> FGY75T<b class='flag-5'>120</b>SWD <b class='flag-5'>IGBT</b>:<b class='flag-5'>高效</b>性能與廣泛應(yīng)用的<b class='flag-5'>完美</b>結(jié)合