N34C04 EEPROM：DDR4 DIMM的理想SPD解決方案

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于DDR4 DIMM的設(shè)計(jì)，EEPROM的選擇至關(guān)重要。N34C04作為一款專門為DDR4 DIMM設(shè)計(jì)的EEPROM Serial 4 - Kb器件，實(shí)現(xiàn)了JEDEC JC42.4（EE1004 - v）Serial Presence Detect（SPD）規(guī)范，支持多種I2C協(xié)議，下面我們就來詳細(xì)了解一下它。

文件下載：onsemi N34C04 4Kb串行EEPROM.pdf

一、器件概述

N34C04是一款4 - Kb的串行EEPROM，支持標(biāo)準(zhǔn)（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增強(qiáng)（1 MHz）I2C協(xié)議。上電時(shí)，兩個(gè)2 - Kb EEPROM存儲(chǔ)體中的一個(gè)會(huì)被激活以供訪問，之后可通過軟件命令切換存儲(chǔ)體。同時(shí)，四個(gè)1 - Kb EEPROM塊都能通過軟件命令進(jìn)行寫保護(hù)。

引腳配置/引腳功能

二、器件特性

2.1 電氣特性

• 溫度范圍：工作溫度范圍為 - 40°C至 + 125°C，能適應(yīng)較為惡劣的環(huán)境。
• 電源范圍：電源電壓范圍為1.7 V - 3.6 V，具有較寬的電源適應(yīng)性。

  2.2 接口特性

• I2C / SMBus接口：SCL和SDA輸入具有施密特觸發(fā)器和噪聲抑制濾波器，能有效提高信號(hào)的穩(wěn)定性。
• 16 - 字節(jié)頁寫緩沖區(qū)：可提高數(shù)據(jù)寫入效率。

  2.3 其他特性

• 硬件寫保護(hù)：可對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行硬件寫保護(hù)，增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性。
• 低功耗CMOS技術(shù)：降低功耗，延長設(shè)備使用壽命。
• 封裝形式：采用2 x 3 x 0.5 mm UDFN8封裝，體積小巧，適合集成化設(shè)計(jì)。
• 環(huán)保特性：無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

三、引腳功能

四、性能參數(shù)

4.1 絕對(duì)最大額定值

4.2 可靠性特性

• 耐久性（NEND）：1,000,000次寫循環(huán)，保證了器件的長期使用穩(wěn)定性。
• 數(shù)據(jù)保留（TDR）：100年，確保數(shù)據(jù)的長期保存。

4.3 熱特性

• 熱阻（θJA）：結(jié)到環(huán)境（靜止空氣）的熱阻最大為92 °C/W，有助于散熱設(shè)計(jì)。

4.4 直流和交流工作特性

文檔中詳細(xì)列出了不同條件下的直流和交流工作特性參數(shù)，如讀寫電流、輸入輸出電壓等，這些參數(shù)對(duì)于電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常重要。例如，在不同的電源電壓和工作頻率下，讀寫電流會(huì)有所不同，設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行考慮。

五、工作模式

5.1 上電復(fù)位（POR）

N34C04內(nèi)置了上電復(fù)位（POR）電路，當(dāng)VCC超過POR觸發(fā)電平，設(shè)備將上電進(jìn)入待機(jī)模式；當(dāng)VCC低于POR觸發(fā)電平，設(shè)備將進(jìn)入復(fù)位模式。這種雙向的POR行為能有效保護(hù)設(shè)備免受電源故障的影響，你在設(shè)計(jì)時(shí)是否會(huì)充分利用這一特性來提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性呢？

5.2 設(shè)備接口

支持I2C和SMBus數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議，作為從設(shè)備與主設(shè)備進(jìn)行通信。主設(shè)備通過生成串行時(shí)鐘和起始、停止條件來控制數(shù)據(jù)傳輸，最多可同時(shí)連接8個(gè)N34C04設(shè)備，通過地址輸入A0、A1和A2進(jìn)行單獨(dú)尋址。在多設(shè)備通信的設(shè)計(jì)中，如何合理分配地址以避免沖突是一個(gè)需要考慮的問題。

5.3 I2C/SMBus協(xié)議

協(xié)議使用SCL和SDA兩根線進(jìn)行通信，數(shù)據(jù)傳輸需在總線空閑時(shí)開始，傳輸過程中SCL為高電平時(shí)SDA必須保持穩(wěn)定。起始條件和停止條件分別用于啟動(dòng)和結(jié)束命令，設(shè)備尋址通過廣播8 - 位串行從設(shè)備地址實(shí)現(xiàn)，從設(shè)備通過拉低SDA線進(jìn)行應(yīng)答。在實(shí)際應(yīng)用中，你是否遇到過因協(xié)議時(shí)序問題導(dǎo)致的通信故障呢？

六、操作方式

6.1 寫操作

• 字節(jié)寫：主設(shè)備創(chuàng)建起始條件，發(fā)送從設(shè)備地址、起始數(shù)據(jù)字節(jié)地址和數(shù)據(jù)，匹配的從設(shè)備進(jìn)行應(yīng)答，最后主設(shè)備創(chuàng)建停止條件啟動(dòng)內(nèi)部寫周期。
• 頁寫：每個(gè)2 - Kb存儲(chǔ)體分為16頁，每頁16字節(jié)。主設(shè)備最多可在一個(gè)寫周期內(nèi)寫入16字節(jié)，內(nèi)部字節(jié)位置指針會(huì)自動(dòng)遞增。若寫入超過16字節(jié)，數(shù)據(jù)將以“環(huán)繞”方式覆蓋。
• 確認(rèn)輪詢：可用于判斷N34C04是否忙于寫操作，通過“選擇性讀”命令進(jìn)行輪詢，若設(shè)備正在進(jìn)行內(nèi)部寫操作則不會(huì)應(yīng)答。
• 硬件寫保護(hù)：WP引腳拉高時(shí)，整個(gè)存儲(chǔ)器將被寫保護(hù)。在實(shí)際應(yīng)用中，你會(huì)在什么情況下使用硬件寫保護(hù)呢？

6.2 讀操作

• 立即讀：主設(shè)備發(fā)送包含讀位為“1”的從設(shè)備地址，N34C04應(yīng)答后開始從當(dāng)前地址指針位置傳輸數(shù)據(jù)，主設(shè)備通過無應(yīng)答和停止條件結(jié)束傳輸。
• 選擇性讀：在立即讀之前，主設(shè)備先發(fā)送起始條件、從設(shè)備地址和字節(jié)地址，然后再進(jìn)行立即讀操作。
• 順序讀：只要主設(shè)備進(jìn)行應(yīng)答，EEPROM數(shù)據(jù)可無限讀出，內(nèi)部地址指針會(huì)自動(dòng)遞增。當(dāng)?shù)竭_(dá)當(dāng)前2 - Kb存儲(chǔ)體末尾時(shí)，地址計(jì)數(shù)將“環(huán)繞”到開頭。

6.3 軟件寫保護(hù)

每個(gè)1 - Kb存儲(chǔ)塊可單獨(dú)進(jìn)行軟件寫保護(hù)，通過在地址引腳A0上施加非常高的電壓VHV來設(shè)置或清除保護(hù)標(biāo)志。在進(jìn)行SWP操作時(shí)，需要滿足特定的直流工作條件。與常規(guī)存儲(chǔ)器讀操作不同，SWP讀操作不返回?cái)?shù)據(jù)，而是根據(jù)標(biāo)志狀態(tài)返回應(yīng)答或無應(yīng)答。在復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，軟件寫保護(hù)可以有效防止數(shù)據(jù)被誤修改，你會(huì)如何運(yùn)用這一功能呢？

七、EEPROM存儲(chǔ)體選擇

上電時(shí)，地址指針初始化為00h，指向較低的2 - Kb存儲(chǔ)體（SPD頁面0）。任何時(shí)候只有一個(gè)SPD頁面可見（激活），可通過執(zhí)行SPA1命令激活較高的SPD頁面，通過SPA0命令重新激活較低的SPD頁面，通過RPA命令獲取當(dāng)前激活的SPD頁面信息。在實(shí)際應(yīng)用中，合理選擇存儲(chǔ)體可以提高數(shù)據(jù)管理的效率。

八、訂購與封裝信息

文檔提供了詳細(xì)的訂購信息，包括器件型號(hào)、封裝類型、溫度范圍、引腳鍍層等。同時(shí)，還給出了UDFN8封裝的機(jī)械尺寸圖和推薦的焊接焊盤圖，為實(shí)際的生產(chǎn)和焊接提供了指導(dǎo)。在選擇器件時(shí)，你是否會(huì)特別關(guān)注封裝尺寸和焊接要求呢？

N34C04憑借其豐富的功能、良好的性能和多樣的操作方式，為DDR4 DIMM的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)可靠的SPD解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，電子工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，合理利用其各種特性和功能，以實(shí)現(xiàn)最佳的設(shè)計(jì)效果。