威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向 100V 中壓超大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術(shù)實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借 1.00mΩ 極致低阻、125A 大電流承載能力，適用于中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值1.00mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值1.07mΩ，中壓場景下傳導(dǎo)損耗近乎極致；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時120A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為78A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時480A，滿足負(fù)載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 增強(qiáng)型工作模式：適配常規(guī)中壓功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?a target="_blank">開關(guān)控制邏輯；
• 極致低導(dǎo)通電阻：1.00~1.07mΩ 低阻設(shè)計，大幅降低中壓大電流場景下的傳導(dǎo)損耗，顯著提升系統(tǒng)能效；
• VeriMOS? II 技術(shù)：實現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，兼顧功率密度與可靠性；
• 高可靠性設(shè)計：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 126mJ（\(T=25^\circ\text{C}\)），感性負(fù)載開關(guān)場景下抗沖擊能力優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN5060X 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度、高功率密度的電路板設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在 100V 級降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_關(guān)管，極致低阻大幅降低傳導(dǎo)損耗；
  • 同步整流電路：適配中壓電源的同步整流回路，進(jìn)一步提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)：為工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的中壓電源分配環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)控制；
  • 大功率負(fù)載開關(guān)：支持超大電流負(fù)載的通斷管理，保障系統(tǒng)功耗與穩(wěn)定性。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）