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安森美聯(lián)手英諾賽科!中低壓GaN器件滲透加速

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2025-12-04 07:42 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)12月3日,安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄,雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會,基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝,探索擴大氮化鎵功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。

備忘錄中明確了合作框架,將整合安森美在集成系統(tǒng)與封裝領域的領導地位,以及英諾賽科成熟的氮化鎵技術與高產(chǎn)量制造能力,為工業(yè)、汽車、電信基礎設施、消費電子人工智能數(shù)據(jù)中心市場提供高性價比、高能效的氮化鎵產(chǎn)品。

安森美表示,對于安森美的客戶而言,與英諾賽科的合作將帶來三大核心價值:

l更快上市速度:借助安森美的系統(tǒng)專業(yè)知識與英諾賽科成熟的氮化鎵技術及制造能力,實現(xiàn)快速原型開發(fā)、加速設計導入,迅速切入主流市場;
l可擴展制造:依托安森美的全球集成與封裝經(jīng)驗,以及英諾賽科已建立的氮化鎵產(chǎn)能,實現(xiàn)真正的大眾市場規(guī)?;a(chǎn),滿足大規(guī)模產(chǎn)能爬坡需求;
l更低系統(tǒng)成本:優(yōu)化的封裝設計、更少的元器件數(shù)量及簡化的熱管理方案,帶來更緊湊的產(chǎn)品設計及更低的系統(tǒng)總成本。

英諾賽科表示,雙方合作將通過晶圓采購等方式,有望在未來幾年將帶來數(shù)億美元的氮化鎵銷售,并為合作雙方在新能源汽車、人工智能、數(shù)據(jù)中心,工業(yè)等關鍵領域的市場開拓與布局帶來先機。

值得一提的是,安森美此前曾與多家GaN器件廠商合作。2015年開始,安森美在Gan功率器件領域與Transphorm合作,開發(fā) 600V GaN 級聯(lián)結構晶體管;2019年安森美采用 GaN Systems 的 650V、30A 氮化鎵增強型晶體管,搭配安森美的 NCP51820 高速柵極驅(qū)動器,推出高速半橋 GaN 系統(tǒng)評估板。

后續(xù)GaN Systems被英飛凌收購、Transphorm被瑞薩收購后,安森美并未放棄在GaN領域的布局。

安森美在2024年12月以2000萬美元收購了已破產(chǎn)的垂直氮化鎵廠商NexGen Power Systems的晶圓廠,另外還購買了NexGen的知識產(chǎn)權和其擁有的工廠設備。實際上,NexGen此前已經(jīng)推出了性能指標亮眼的垂直GaN器件工程樣品,但由于種種原因倒在量產(chǎn)前。

在吸收NexGen資產(chǎn)后,今年11月,安森美正式發(fā)布可量產(chǎn)垂直GaN功率半導體技術,并表示研究人員對垂直氮化鎵的探索已持續(xù) 15 年以上,但直至今日,安森美才成為全球首家實現(xiàn)該技術規(guī)?;慨a(chǎn)上市的企業(yè)。

垂直GaN主要優(yōu)勢在于1200V以上的高壓領域,而目前已經(jīng)受到市場廣泛驗證的橫向GaN功率半導體仍是主流,在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車等領域仍有巨大的市場拓展空間。因此安森美這次與英諾賽科合作,也是為了補足中低壓GaN產(chǎn)品線,聯(lián)合英諾賽科的硅基氮化鎵晶圓制造優(yōu)勢,形成覆蓋 “晶圓制造→封裝→系統(tǒng)集成”的產(chǎn)業(yè)鏈條互補。

得益于在硅基氮化鎵領域的制造能力優(yōu)勢,英諾賽科在近期也有多項重大產(chǎn)業(yè)鏈合作落地。包括9月份與聯(lián)合電子、納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng),聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵相關產(chǎn)品。

11月,意法半導體推出了一系列基于氮化鎵技術的反激式電源集成器件VIPerGaN50W,可簡化緊湊、高效的USB-PD充電器、快速電池充電器和輔助電源的設計和構建。該系列產(chǎn)品采用了英諾賽科700V高性能氮化鎵晶圓,實現(xiàn)了電源設計更緊湊、更高效應用。

同在11月,Allegro與英諾賽科宣布達成戰(zhàn)略合作,推出一款開創(chuàng)性的 4.2kW 全 GaN 參考設計,該設計采用了英諾賽科高性能氮化鎵和 Allegro 的先進柵極驅(qū)動器技術。該新型電源供應單元參考設計整合了英諾賽科650V 和150V 高性能氮化鎵功率晶體管與Allegro創(chuàng)新的 Power-Thru? AHV85110 隔離式柵極驅(qū)動器,后者具備自供電架構,并集成偏置電源。這種獨特組合可實現(xiàn)卓越的開關性能和精簡的系統(tǒng)設計,助力工程師達成鈦金級電源效率和超過 100 W/in3 的功率密度,極大地簡化了系統(tǒng)設計,并顯著減少了無源元件的數(shù)量。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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