如何盡可能高效地利用太陽能，光伏逆變器的性能是技術創(chuàng)新的核心。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。

GaN 正在快速取代硅(Si) 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系統(tǒng)，它不僅能提高光伏系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。隨著功率需求的不斷增加，采用 GaN 器件可以提高電源轉換系統(tǒng)的性能、節(jié)約成本和縮小尺寸。

采用 TOLL 封裝的 GaN 器件非常適合應用于光伏系統(tǒng)中。

作為無引線封裝，TOLL 封裝的寄生電感非常低，因而開關速度更快(減少開關損耗)、壓擺率更高并且電磁干擾更低。

將 GaN FET 與驅動器集成在一起，可進一步提高效率和降低成本，有助于減少柵極電感環(huán)路數(shù)量，并在功率級中嵌入過流和過熱保護功能。

通過集成可以更好地利用 TOLL 封裝的優(yōu)勢，從而進一步降低寄生效應和系統(tǒng)成本。

這樣的特性適用于對效率、尺寸和成本有不同層面需求的太陽能微型逆變器、串式逆變器和儲能系統(tǒng)設計。

GaN 技術的快速發(fā)展正在不斷改變電源系統(tǒng)，利用其優(yōu)勢開發(fā)出更高效且可靠的解決方案。