解析 onsemi NXH020U90MNF2PTG碳化硅模塊:高性能與可靠性并存
在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能和可靠性對(duì)于眾多應(yīng)用至關(guān)重要。本文將深入剖析 onsemi 的 NXH020U90MNF2PTG 碳化硅(SiC)模塊,探討其特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及電氣參數(shù)等關(guān)鍵信息,為電子工程師的設(shè)計(jì)工作提供有價(jià)值的參考。
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一、產(chǎn)品概述
NXH020U90MNF2PTG 是一款采用 F2 封裝的功率模塊,內(nèi)部集成了一個(gè)維也納整流器模塊。該模塊包含兩個(gè) 10 mΩ、900 V 的 SiC MOSFET,兩個(gè) 100 A、1200 V 的 SiC 二極管以及一個(gè)熱敏電阻。其顯著特點(diǎn)包括中性點(diǎn)使用特定參數(shù)的 SiC MOSFET、搭配特定規(guī)格的 SiC 二極管、配備熱敏電阻、預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料(TIM)以及采用壓配引腳。而且,該器件符合無(wú)鉛、無(wú)鹵和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能出色。
原理圖

二、典型應(yīng)用場(chǎng)景
電動(dòng)汽車充電站
隨著電動(dòng)汽車的普及,充電站的需求也日益增長(zhǎng)。NXH020U90MNF2PTG 模塊憑借其高效的功率轉(zhuǎn)換能力和可靠的性能,能夠?yàn)殡妱?dòng)汽車快速充電提供穩(wěn)定的電力支持,提高充電效率,縮短充電時(shí)間。
不間斷電源(UPS)
在一些對(duì)電力供應(yīng)穩(wěn)定性要求極高的場(chǎng)所,如數(shù)據(jù)中心、醫(yī)院等,UPS 起著關(guān)鍵作用。該模塊可以確保在市電中斷時(shí),UPS 能夠迅速切換并提供穩(wěn)定的電力輸出,保障設(shè)備的正常運(yùn)行。
儲(chǔ)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)于平衡電網(wǎng)負(fù)荷、提高能源利用效率具有重要意義。NXH020U90MNF2PTG 模塊可用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)高效的能量存儲(chǔ)和釋放。
三、電氣特性分析
1. 最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| SiC MOSFET 漏源電壓 | VDss | 900 | V |
| SiC MOSFET 柵源電壓 | VGs | +18/-8 | V |
| 連續(xù)漏極電流(T = 80°C,TJ = 175°C) | lD | 149 | A |
| 脈沖漏極電流(TJ = 175°C) | IDpulse | 447 | A |
| 最大功耗(TJ = 175°C) | Ptot | 352 | W |
| 最小結(jié)溫 | TJMIN | -40 | °C |
| 最大結(jié)溫 | TJMAX | 175 | °C |
從這些參數(shù)可以看出,該模塊在電壓和電流承受能力方面表現(xiàn)出色,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
2. 電氣特性參數(shù)
在不同的測(cè)試條件下,模塊呈現(xiàn)出豐富的電氣特性。例如,SiC MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻(RDs(ON))在不同的結(jié)溫和電流條件下會(huì)有所變化。當(dāng) VGs = 15V,Ip = 100 A,T = 25°C 時(shí),典型值為 10.03 mΩ;而當(dāng) T = 150°C 時(shí),典型值變?yōu)?11.61 mΩ。這表明溫度對(duì)導(dǎo)通電阻有一定影響,在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮熱管理以優(yōu)化性能。
此外,開(kāi)關(guān)損耗也是評(píng)估模塊性能的重要指標(biāo)。如導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗(EON)和關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗(EOFF)在不同的結(jié)溫和電流條件下也有所不同。在 TJ = 25°C 時(shí),EON 典型值為 0.75 mJ,EOFF 典型值為 0.71 mJ;而在 TJ = 150°C 時(shí),EON 典型值變?yōu)?0.63 mJ,EOFF 典型值變?yōu)?0.77 mJ。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景合理選擇工作條件,以降低開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
四、典型特性曲線
文檔中提供了大量的典型特性曲線,包括 MOSFET 典型輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、體二極管正向特性、SiC 二極管正向特性以及 MOSFET 開(kāi)關(guān)特性等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。例如,通過(guò) MOSFET 典型輸出特性曲線,工程師可以了解到漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,從而更好地設(shè)計(jì)偏置電路和負(fù)載匹配。
五、機(jī)械結(jié)構(gòu)與封裝信息
該模塊采用 PIM20 56.7x42.5(PRESS FIT)CASE 180BZ 封裝,文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息,包括各個(gè)維度的最小、標(biāo)稱和最大值。同時(shí),還說(shuō)明了引腳位置公差為 ± 0.4mm。這些精確的機(jī)械信息對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)和模塊的安裝至關(guān)重要,工程師需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行布局,以確保模塊與其他電路元件的良好配合。
六、總結(jié)與思考
NXH020U90MNF2PTG 碳化硅模塊以其高性能、高可靠性和環(huán)保特性,在電動(dòng)汽車充電站、不間斷電源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師在使用該模塊進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),需要充分考慮其電氣特性和機(jī)械結(jié)構(gòu),合理選擇工作條件和進(jìn)行熱管理,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最佳性能。同時(shí),通過(guò)對(duì)典型特性曲線的深入分析,可以更好地優(yōu)化電路設(shè)計(jì),提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似模塊的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)?又是如何解決的呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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