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FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析

工程師 ? 2025-12-10 17:15 ? 次閱讀
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FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析

在電子工程領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇對(duì)于系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit(512 × 8)串行(I2C)F - RAM,它憑借諸多獨(dú)特的特性,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。

文件下載:FM24CL04B-GTR.pdf

一、產(chǎn)品概述

FM24CL04B是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM)具有非易失性,讀寫(xiě)操作類(lèi)似于RAM,能提供長(zhǎng)達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間,同時(shí)避免了EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。

(一)主要特性

  1. 高耐久性:支持100萬(wàn)億($10^{14}$)次讀寫(xiě)操作,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了EEPROM等傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器,為需要頻繁讀寫(xiě)的應(yīng)用提供了可靠保障。
  2. 無(wú)延遲寫(xiě)入:與EEPROM不同,F(xiàn)M24CL04B能以總線速度進(jìn)行寫(xiě)入操作,無(wú)需寫(xiě)入延遲。數(shù)據(jù)在成功傳輸?shù)皆O(shè)備后立即寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,下一個(gè)總線周期無(wú)需數(shù)據(jù)輪詢(xún)即可開(kāi)始。
  3. 高速串行接口:采用快速的2線串行接口(I2C),最高支持1 - MHz頻率,可直接替代串行(I2C)EEPROM,并且支持100 kHz和400 kHz的傳統(tǒng)時(shí)序。
  4. 低功耗:在100 kHz時(shí),有源電流僅為100 μA,待機(jī)電流典型值為3 μA,有效降低了系統(tǒng)的功耗。
  5. 寬電壓和溫度范圍:工作電壓范圍為$V_{DD} = 2.7 ~V$至3.65V,工業(yè)溫度范圍為–40 °C至 + 85 °C,能適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。
  6. 環(huán)保合規(guī):符合有害物質(zhì)限制(RoHS)標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求。




二、引腳定義與功能

(一)引腳圖

FM24CL04B采用8 - 引腳小外形集成電路(SOIC)封裝,其引腳定義如下: Pin Name V/O Type Description
A2 - A1 Input 設(shè)備選擇地址2 - 1,用于在同一I2C總線上選擇多達(dá)4個(gè)相同類(lèi)型的設(shè)備。
SDA Input/Output 串行數(shù)據(jù)/地址,雙向引腳,用于I2C接口,需外接上拉電阻
SCL Input 串行時(shí)鐘,用于I2C接口,數(shù)據(jù)在下降沿從設(shè)備輸出,在上升沿輸入設(shè)備。
WP Input 寫(xiě)保護(hù),連接到$V_{DD}$時(shí),整個(gè)內(nèi)存映射的地址將被寫(xiě)保護(hù);連接到地時(shí),所有地址可寫(xiě)。
Vss Power supply 設(shè)備接地端,必須連接到系統(tǒng)的地。
VDD Power supply 設(shè)備電源輸入端。

(二)功能概述

  1. 內(nèi)存架構(gòu):內(nèi)存陣列邏輯上組織為512 × 8位,通過(guò)I2C協(xié)議訪問(wèn)。地址由從設(shè)備地址、頁(yè)地址位和字地址組成,9位完整地址可唯一指定每個(gè)字節(jié)地址。內(nèi)存操作的訪問(wèn)時(shí)間基本為零,讀寫(xiě)速度取決于I2C總線速度,無(wú)需輪詢(xún)?cè)O(shè)備的就緒狀態(tài)。
  2. I2C接口:采用雙向I2C總線協(xié)議,使用較少的引腳和電路板空間。總線協(xié)議由SDA和SCL信號(hào)的轉(zhuǎn)換狀態(tài)控制,包括START、STOP、數(shù)據(jù)位和確認(rèn)四種狀態(tài)。

三、操作模式

(一)寫(xiě)操作

寫(xiě)操作從發(fā)送從設(shè)備地址和字地址開(kāi)始,總線主設(shè)備通過(guò)將從設(shè)備地址的LSB(R/W位)設(shè)置為‘0’來(lái)指示寫(xiě)操作。尋址后,總線主設(shè)備將每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)發(fā)送到存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器生成確認(rèn)條件。F - RAM沒(méi)有有效的寫(xiě)入延遲,整個(gè)內(nèi)存周期在單個(gè)總線時(shí)鐘內(nèi)完成,因此寫(xiě)操作后可立即進(jìn)行其他操作。

(二)讀操作

讀操作分為當(dāng)前地址讀和選擇性地址讀兩種基本類(lèi)型:

  1. 當(dāng)前地址讀:使用內(nèi)部地址鎖存器提供的低8位地址作為起始地址,總線主設(shè)備通過(guò)將從設(shè)備地址的LSB設(shè)置為‘1’來(lái)請(qǐng)求讀操作。讀操作可以連續(xù)讀取任意數(shù)量的字節(jié),每次主設(shè)備確認(rèn)一個(gè)字節(jié)后,內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器將遞增。
  2. 選擇性地址讀:用戶(hù)可以通過(guò)先執(zhí)行寫(xiě)操作設(shè)置內(nèi)部地址,然后再進(jìn)行讀操作來(lái)選擇隨機(jī)地址作為起始點(diǎn)。

四、電氣特性

(一)最大額定值

超過(guò)最大額定值可能會(huì)縮短設(shè)備的使用壽命,包括存儲(chǔ)溫度、電源電壓、輸入電壓等參數(shù)都有明確的限制。

(二)工作范圍

工業(yè)溫度范圍為–40 °C至 + 85 °C,電源電壓范圍為2.7V至3.65V。

(三)直流電氣特性

在工作范圍內(nèi),對(duì)電源電壓、平均電流、待機(jī)電流、輸入輸出泄漏電流等參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定。

(四)交流開(kāi)關(guān)特性

規(guī)定了SCL時(shí)鐘頻率、起始條件建立時(shí)間、時(shí)鐘高低電平周期等交流開(kāi)關(guān)特性參數(shù)。

五、應(yīng)用場(chǎng)景

由于FM24CL04B具有高耐久性、無(wú)延遲寫(xiě)入和低功耗等優(yōu)點(diǎn),適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用,如數(shù)據(jù)記錄、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,其高寫(xiě)入次數(shù)可確保數(shù)據(jù)的完整記錄;在工業(yè)控制中,避免了EEPROM長(zhǎng)寫(xiě)入時(shí)間可能導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。

六、總結(jié)

FM24CL04B作為一款高性能的串行F - RAM,在讀寫(xiě)性能、耐久性、功耗等方面都具有顯著優(yōu)勢(shì)。對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō),它是替代串行(I2C)EEPROM的理想選擇,能有效提高系統(tǒng)的性能和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和系統(tǒng)要求,合理選擇和使用這款產(chǎn)品,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。你在使用類(lèi)似存儲(chǔ)器的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

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