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國產(chǎn)RISC-V架構(gòu)MCU在工控系統(tǒng)中的節(jié)能性分析

安芯 ? 來源:jf_29981791 ? 作者:jf_29981791 ? 2025-12-11 16:46 ? 次閱讀
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摘要 :隨著工業(yè)4.0與"雙碳"目標(biāo)的深入推進(jìn),工業(yè)控制系統(tǒng)的能效優(yōu)化已成為制約制造業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。本文以國科安芯研制的AS32I601系列RISC-V架構(gòu)MCU芯片為研究對象,系統(tǒng)分析國產(chǎn)RISC-V MCU在工業(yè)控制場景下的節(jié)能技術(shù)路徑與實現(xiàn)機(jī)理。本文進(jìn)一步探討了RISC-V開放指令集架構(gòu)在功耗優(yōu)化方面的技術(shù)潛力,并分析了實際工業(yè)應(yīng)用中面臨的生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)、功耗模型精細(xì)化等挑戰(zhàn),為后續(xù)研究提供參考。

1. 引言

工業(yè)控制系統(tǒng)作為智能制造的核心執(zhí)行單元,其能效水平直接影響生產(chǎn)線的整體能耗與碳排放強(qiáng)度。傳統(tǒng)工業(yè)MCU多采用專有架構(gòu),在功耗優(yōu)化方面存在指令集冗余、電源管理模式僵化、外設(shè)協(xié)同效率低等問題。RISC-V開源指令集架構(gòu)以其模塊化、可擴(kuò)展的技術(shù)特性,為國產(chǎn)MCU實現(xiàn)低功耗設(shè)計創(chuàng)新提供了全新技術(shù)范式。近年來,國產(chǎn)RISC-V MCU在工業(yè)領(lǐng)域加速滲透,其中國科安芯推出的AS32系列芯片通過ISO 26262 ASIL-B功能安全等級要求,工作頻率達(dá)180MHz,并針對工業(yè)場景優(yōu)化了電源管理系統(tǒng)。

工業(yè)控制場景具有顯著的周期性負(fù)載特征與實時響應(yīng)需求,這對MCU的功耗動態(tài)調(diào)節(jié)能力提出了嚴(yán)苛要求。研究表明,典型工業(yè)自動化設(shè)備中,MCU功耗占控制系統(tǒng)總功耗的15%-30%,而在待機(jī)監(jiān)測狀態(tài)下,該比例可達(dá)40%以上。因此,提升MCU在運(yùn)行態(tài)與待機(jī)態(tài)的能效表現(xiàn),對降低整機(jī)能耗具有重要工程價值。

2. AS32I601技術(shù)架構(gòu)與節(jié)能設(shè)計

2.1 處理器內(nèi)核架構(gòu)與能效優(yōu)化

AS32I601系列芯片采用自研E7內(nèi)核,基于32位RISC-V指令集擴(kuò)展,集成單精度浮點運(yùn)算單元與16KiB指令緩存、16KiB數(shù)據(jù)緩存,允許零等待訪問嵌入式Flash與外部存儲器。該架構(gòu)在能效優(yōu)化方面體現(xiàn)三大技術(shù)特征:

首先,RISC-V基礎(chǔ)指令集采用精簡設(shè)計理念,相較于傳統(tǒng)復(fù)雜指令集架構(gòu),指令解碼邏輯的復(fù)雜度顯著降低,動態(tài)功耗得以有效控制。E7內(nèi)核通過優(yōu)化指令譯碼路徑,減少了組合邏輯翻轉(zhuǎn)概率,這種設(shè)計思想在學(xué)術(shù)研究中已被證實能夠有效降低處理器動態(tài)功耗。

其次,E7內(nèi)核采用獨(dú)立指令與數(shù)據(jù)緩存架構(gòu),配合512KiB帶ECC校驗的片上SRAM,有效降低了對外部存儲器的訪問頻率。當(dāng)緩存命中率達(dá)到85%以上時,系統(tǒng)級功耗可節(jié)約12-15mA。這種存儲層次優(yōu)化對工業(yè)控制中頻繁執(zhí)行的控制算法循環(huán)具有顯著的節(jié)能效果。在機(jī)器人關(guān)節(jié)控制等典型應(yīng)用中,PID運(yùn)算等核心算法代碼通常小于16KB,數(shù)據(jù)緩沖區(qū)小于16KB,可完全容納于緩存中,從而實現(xiàn)零等待執(zhí)行,大幅降低了片外存儲訪問能耗。

第三,內(nèi)核支持動態(tài)頻率調(diào)節(jié),工作范圍覆蓋16MHz至180MHz。在輕負(fù)載工況下降低運(yùn)行頻率可實現(xiàn)線性節(jié)能。AS32I601在96MHz工作頻率下,全功能運(yùn)行功耗降至92mA,相比180MHz模式降低44.2%,體現(xiàn)了靈活的能效調(diào)節(jié)能力。這種頻率可調(diào)節(jié)性為工業(yè)應(yīng)用中實施動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)提供了硬件基礎(chǔ)。

2.2 四級電源管理系統(tǒng)設(shè)計

AS32I601的電源管理模塊實現(xiàn)RUN、SRUN、SLEEP、DEEPSLEEP四種模式,形成精細(xì)化的功耗控制梯度。該設(shè)計契合工業(yè)控制中"任務(wù)執(zhí)行-待機(jī)監(jiān)測-深度休眠"的多狀態(tài)切換需求。

RUN模式為全功能運(yùn)行狀態(tài),內(nèi)核時鐘最高180MHz,所有外設(shè)可獨(dú)立使能。在VDD=3.3V、內(nèi)核時鐘180MHz條件下,使能所有外設(shè)時供電電流為165mA,禁用外設(shè)后降至135mA,外設(shè)功耗占比達(dá)18.2%。這表明外設(shè)動態(tài)電源門控技術(shù)對系統(tǒng)能效優(yōu)化具有重要貢獻(xiàn)。工業(yè)應(yīng)用中,通過智能外設(shè)調(diào)度算法,根據(jù)任務(wù)需求動態(tài)關(guān)閉閑置外設(shè),可實現(xiàn)約12%-18%的功耗節(jié)約。

SRUN模式為低速運(yùn)行狀態(tài),內(nèi)核頻率降至SIRC 32KHz,保留關(guān)鍵功能模塊。該模式適用于工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)采集與輕量級監(jiān)控任務(wù)。相較于完全運(yùn)行模式,SRUN模式在保證基礎(chǔ)功能的前提下,功耗降低幅度超過90%,特別適合于傳感器數(shù)據(jù)定期采集、狀態(tài)監(jiān)測等低頻任務(wù)場景。

SLEEP模式關(guān)閉內(nèi)核時鐘,但保持外設(shè)時鐘運(yùn)行,支持快速喚醒。SLEEP模式功耗為8mA,喚醒時間為361μs。該模式適用于工業(yè)控制中的間歇性控制場景,如PLC掃描周期中的等待階段,能夠在響應(yīng)速度與功耗之間取得平衡。在實際應(yīng)用中,可將SLEEP模式配置為周期性喚醒執(zhí)行數(shù)據(jù)采集,其余時間保持休眠,從而形成低功耗掃描機(jī)制。

DEEPSLEEP模式為深度睡眠狀態(tài),僅保留PMU、RTC和喚醒邏輯,功耗低至0.3mA,喚醒時間為443μs。在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣節(jié)點應(yīng)用中,設(shè)備多數(shù)時間處于監(jiān)測等待狀態(tài),DEEPSLEEP模式可確保系統(tǒng)99%以上時間處于超低功耗狀態(tài),整體能效提升顯著。值得注意的是,從省電模式喚醒僅需0.43μs,這一快速喚醒能力對工業(yè)實時控制至關(guān)重要,避免了因喚醒延遲導(dǎo)致的響應(yīng)滯后問題。

2.3 時鐘系統(tǒng)與動態(tài)功耗優(yōu)化

AS32I601集成多時鐘源架構(gòu):外部晶振(8-40MHz)、內(nèi)部高頻振蕩器FIRC(16MHz)、內(nèi)部低頻振蕩器SIRC(32KHz)及PLL(最高480MHz)。這種多元化時鐘配置為動態(tài)功耗管理提供了硬件基礎(chǔ)。

PLL功耗占MCU總功耗的8%-12%,在無需高頻運(yùn)算的工業(yè)監(jiān)控場景中,切換至FIRC或SIRC可顯著降低靜態(tài)功耗。AS32I601的時鐘監(jiān)測單元可實時監(jiān)控系統(tǒng)時鐘狀態(tài),確保時鐘切換過程中的穩(wěn)定性,避免工業(yè)控制中因時鐘失效導(dǎo)致的安全事故。

時鐘門控技術(shù)在AS32I601中得到廣泛應(yīng)用。每個外設(shè)模塊均配備獨(dú)立時鐘使能位,在深度睡眠模式下,除RTC外的所有外設(shè)時鐘均被自動關(guān)閉,動態(tài)功耗趨近于零。這種細(xì)粒度的時鐘控制策略,使得系統(tǒng)在復(fù)雜工業(yè)任務(wù)調(diào)度中能夠?qū)崿F(xiàn)"按需供能"的精準(zhǔn)功耗管理。

3. 工控系統(tǒng)能耗特征與MCU節(jié)能機(jī)理

3.1 工業(yè)控制場景能耗特點

工業(yè)控制系統(tǒng)呈現(xiàn)典型的周期性負(fù)載特征。以機(jī)器人關(guān)節(jié)控制為例,控制周期通常為1-10ms,在每個周期內(nèi),MCU需完成傳感器數(shù)據(jù)采集、控制算法運(yùn)算、PWM輸出更新等任務(wù),其余時間處于等待狀態(tài)。這種"忙閑分明"的工作模式,為動態(tài)功耗管理提供了優(yōu)化空間。

此外,工業(yè)環(huán)境對可靠性與功能安全要求嚴(yán)苛,AS32I601符合AEC-Q100 Grade 1汽車級認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),其電源監(jiān)控模塊集成低電壓檢測與高電壓檢測功能。這在提升系統(tǒng)可靠性的同時,也避免了因電壓異常導(dǎo)致的重復(fù)操作與能耗浪費(fèi),間接提升了系統(tǒng)能效。

3.2 動態(tài)與靜態(tài)功耗協(xié)同優(yōu)化

MCU功耗由動態(tài)功耗與靜態(tài)功耗構(gòu)成。AS32I601采用先進(jìn)工藝制程,在靜態(tài)功耗控制方面具有優(yōu)勢。實測深度睡眠功耗0.3mA,主要來源于RTC、喚醒邏輯及漏電電流,已接近國際同類產(chǎn)品水平。

動態(tài)功耗優(yōu)化方面,AS32I601通過三種機(jī)制實現(xiàn)突破:其一,指令集精簡降低了單周期邏輯翻轉(zhuǎn)率;其二,緩存架構(gòu)減少了片外存儲訪問能耗;其三,多頻率運(yùn)行能力為其軟件實現(xiàn)提供了可能。在工業(yè)溫度范圍(-40℃至+125℃)內(nèi),DVFS技術(shù)可實現(xiàn)20%-35%的能效提升。

4. AS32I601節(jié)能特性實測數(shù)據(jù)分析

4.1 不同工作模式功耗實測

在3.3V供電條件下,各模式功耗呈現(xiàn)顯著梯度:

全速運(yùn)行模式(180MHz) :使能所有外設(shè)為165mA,折合功耗544.5mW;禁用外設(shè)為135mA,功耗445.5mW。外設(shè)功耗差異30mA,占比18.2%,印證了外設(shè)管理的重要性。

中頻運(yùn)行模式(108MHz) :使能外設(shè)103mA,功耗340mW;禁用外設(shè)85mA,功耗280.5mW。功耗與頻率呈近似線性關(guān)系,驗證了動態(tài)功耗模型的正確性。

低頻運(yùn)行模式(16MHz) :使能外設(shè)19mA,功耗62.7mW;禁用外設(shè)15mA,功耗49.5mW。此模式適用于低速監(jiān)控,功耗僅為全速模式的9%-11%。

SLEEP模式 :8mA,功耗26.4mW,為實時性要求較高的間歇任務(wù)提供了平衡方案。

DEEPSLEEP模式 :0.3mA,功耗0.99mW,達(dá)到超低功耗水平,適用于長期待機(jī)場景。

4.2 低功耗模式切換效率

低功耗模式切換的實時性直接影響工業(yè)控制系統(tǒng)的響應(yīng)能力。AS32I601的喚醒時間參數(shù)表明,從省電模式喚醒僅需0.43μs,幾乎無感知延遲;從SLEEP喚醒需361μs,從DEEPSLEEP喚醒需443μs。這些指標(biāo)滿足工業(yè)控制毫秒級響應(yīng)要求。

在工業(yè)自動化升降平臺控制中,系統(tǒng)需在待機(jī)與運(yùn)行狀態(tài)間頻繁切換。假設(shè)平臺每10秒執(zhí)行一次動作,動作持續(xù)100ms,則系統(tǒng)99%時間處于低功耗狀態(tài)。采用DEEPSLEEP模式,年節(jié)約電能可達(dá)(165mA-0.3mA)×3.3V×8760h×99% ≈ 4.7kWh,節(jié)能效果顯著。

5. 工業(yè)應(yīng)用場景深度分析

5.1 多軸機(jī)器人控制系統(tǒng)中的節(jié)能實踐

在現(xiàn)代智能制造體系中,六軸工業(yè)機(jī)器人作為典型的高精度運(yùn)動控制平臺,其控制器能效優(yōu)化具有重要示范意義。每個關(guān)節(jié)控制器需以1ms周期執(zhí)行PID算法與位置插補(bǔ),對MCU的實時性與能效提出雙重挑戰(zhàn)。AS32I601的180MHz主頻可確??刂扑惴ㄔ?00μs內(nèi)完成矢量計算與PWM更新,剩余900μs可切換至SLEEP模式,形成"短時高負(fù)載、長時空閑"的周期性工作模式。

具體而言,在機(jī)器人軌跡規(guī)劃階段,MCU運(yùn)行頻率降至96MHz即可滿足計算需求,功耗降至92mA;在執(zhí)行階段切換至180MHz全速模式;在定位保持階段,系統(tǒng)進(jìn)入SLEEP模式,僅保留編碼器接口通信外設(shè)活動。這種三級調(diào)頻策略可使平均功耗降低至約40mA。其4個32位高級定時器支持中心對齊PWM生成與編碼器接口模式,可實現(xiàn)無CPU干預(yù)的閉環(huán)控制,進(jìn)一步降低了動態(tài)功耗。

實際部署中,通過配置DMA模塊實現(xiàn)傳感器數(shù)據(jù)自動采集與內(nèi)存搬運(yùn),CPU無需頻繁喚醒處理中斷,可將SLEEP模式持續(xù)時間延長至950μs以上。通信接口方面,6路SPI支持30MHz高速傳輸,可在喚醒瞬間完成指令接收與狀態(tài)上報,最小化運(yùn)行時間。

5.2 分布式PLC系統(tǒng)中的能效管理

在大型自動化生產(chǎn)線中,分布式PLC系統(tǒng)包含數(shù)十個控制節(jié)點,傳統(tǒng)方案采用持續(xù)運(yùn)行模式,導(dǎo)致待機(jī)能耗巨大。基于AS32I601的PLC可實施"事件-時間"雙驅(qū)動的功耗管理策略。

在輸入掃描階段,系統(tǒng)配置為SLEEP模式,GPIO中斷使能外部觸發(fā)。當(dāng)傳感器狀態(tài)變化產(chǎn)生中斷時,芯片在361μs內(nèi)喚醒并執(zhí)行邏輯運(yùn)算,隨后立即返回休眠。RS485通信接口支持低功耗監(jiān)聽模式,在保持總線監(jiān)聽狀態(tài)下功耗僅增加0.5mA。輸出刷新階段采用定時器喚醒機(jī)制,RTC模塊預(yù)設(shè)刷新周期,確??刂?a target="_blank">信號實時性。

5.3 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣節(jié)點的長續(xù)航設(shè)計

在IIoT架構(gòu)中,邊緣節(jié)點通常采用電池供電,要求工作壽命達(dá)5-10年。AS32I601的深度睡眠模式為此類應(yīng)用提供了理想解決方案。

邊緣節(jié)點工作流程設(shè)計為:每10分鐘喚醒一次,RTC中斷觸發(fā)后,芯片在443μs內(nèi)啟動,F(xiàn)IRC時鐘源提供16MHz運(yùn)算能力,完成傳感器數(shù)據(jù)采集、閾 value判斷與數(shù)據(jù)打包(耗時約5ms),隨后通過SPI接口將數(shù)據(jù)寫入低功耗Flash,最后進(jìn)入DEEPSLEEP模式。整個工作周期功耗為165mA×5ms + 0.3mA×599,995ms ≈ 2.8mA·h/周期,10分鐘周期下平均功耗僅0.47mA。

512KiB SRAM支持?jǐn)?shù)據(jù)預(yù)聚合,通過配置DMA將多批次數(shù)據(jù)合并傳輸,可將喚醒頻次從10分鐘降至30分鐘,平均功耗進(jìn)一步降至0.16mA。2MiB P-Flash存儲空間可容納6個月的數(shù)據(jù),避免因通信故障導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失,減少了異常狀態(tài)下的重復(fù)傳輸能耗。硬件加密模塊DSU支持SM4算法硬件加速,加密功耗僅為軟件實現(xiàn)的1/8,確保數(shù)據(jù)安全不額外犧牲續(xù)航。

5.4 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的實時能效優(yōu)化

在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,MCU需實時執(zhí)行FOC矢量控制算法,計算負(fù)載大且持續(xù)。AS32I601通過外設(shè)協(xié)同設(shè)計實現(xiàn)節(jié)能。

其高級定時器支持硬件死區(qū)插入與故障剎車,無需CPU干預(yù)即可實現(xiàn)安全保護(hù)。在輕載工況下,算法檢測負(fù)載電流低于閾值,自動降低控制頻率從10kHz至5kHz,內(nèi)核頻率從180MHz降至108MHz,功耗從165mA降至103mA,節(jié)能37.6%。當(dāng)負(fù)載突變時,模擬比較器在1μs內(nèi)觸發(fā)中斷,立即恢復(fù)高頻控制,確保動態(tài)響應(yīng)。

4路CAN接口支持CAN FD協(xié)議,在電機(jī)網(wǎng)絡(luò)中實現(xiàn)分布式協(xié)同控制,主控制器廣播指令后進(jìn)入休眠,從節(jié)點數(shù)據(jù)通過CAN總線直接交互,減少了主MCU的通信負(fù)荷。

6. 節(jié)能技術(shù)對比分析

為客觀評估AS32I601的節(jié)能水平,從功耗梯度、喚醒效率、外設(shè)管理三個維度進(jìn)行對比。

在功耗梯度方面,AS32I601四種電源模式形成165mA-135mA-8mA-0.3mA的清晰梯度,覆蓋從全速運(yùn)行到深度休眠的全工況需求。其深度睡眠功耗0.3mA優(yōu)于多數(shù)同主頻MCU,這得益于其精細(xì)的電源門控網(wǎng)絡(luò)與低漏電工藝。

喚醒時間0.43μs(省電模式)在同類產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平,對工業(yè)實時應(yīng)用至關(guān)重要。傳統(tǒng)MCU從休眠到全速運(yùn)行需毫秒級時間,AS32I601通過保持PLL與高速時鐘源待命,顯著縮短了喚醒過程。這種設(shè)計在快速響應(yīng)與低功耗之間取得了平衡。

外設(shè)功耗占比18.2%表明其外設(shè)設(shè)計相對高效。某些MCU外設(shè)功耗占比可達(dá)30%,AS32I601通過獨(dú)立時鐘控制與低功耗模式自動管理,有效抑制了外設(shè)待機(jī)能耗。

7. 結(jié)論

本文通過對AS32I601的系統(tǒng)性分析,論證了國產(chǎn)RISC-V架構(gòu)MCU在工業(yè)控制系統(tǒng)中的先進(jìn)節(jié)能特性。研究表明,AS32I601通過精簡指令集內(nèi)核、四級電源管理、精細(xì)化時鐘門控等技術(shù),實現(xiàn)了運(yùn)行態(tài)165mA、深度睡眠0.3mA的優(yōu)秀功耗表現(xiàn)。在多軸機(jī)器人、分布式PLC、IIoT邊緣節(jié)點、電機(jī)驅(qū)動等典型工控場景中,通過任務(wù)調(diào)度、外設(shè)管理、模式切換等策略,具有顯著的工程應(yīng)用價值。

審核編輯 黃宇

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    基于開源RISC-V指令集架構(gòu)的商業(yè)航天級MCU,深入探討了其抗輻照設(shè)計技術(shù)細(xì)節(jié)與試驗評估成果。通過對質(zhì)子單粒子效應(yīng)試驗、總劑量效應(yīng)試驗以及單粒子效應(yīng)脈沖激光試驗的系統(tǒng)分析,結(jié)合對現(xiàn)有
    的頭像 發(fā)表于 09-25 17:15 ?685次閱讀

    知合計算:RISC-V架構(gòu)創(chuàng)新,阿基米德系列劍指高性能計算

    2025 RISC-V中國峰會上,知合計算處理器設(shè)計總監(jiān)劉暢就高性能RISC-V處理器架構(gòu)探索與實踐進(jìn)行了精彩分享。 以X86和ARM為
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:17 ?2423次閱讀
    知合計算:<b class='flag-5'>RISC-V</b><b class='flag-5'>架構(gòu)</b>創(chuàng)新,阿基米德系列劍指高性能計算

    同一水平的 RISC-V 架構(gòu)MCU,和 ARM 架構(gòu)MCU 相比,運(yùn)行速度如何?

    ARM 架構(gòu)RISC-V 架構(gòu)MCU 同一性能水平下的運(yùn)行速度對比,需從架構(gòu)設(shè)計原點、
    的頭像 發(fā)表于 07-02 10:29 ?1244次閱讀
    同一水平的 <b class='flag-5'>RISC-V</b> <b class='flag-5'>架構(gòu)</b>的 <b class='flag-5'>MCU</b>,和 ARM <b class='flag-5'>架構(gòu)</b>的 <b class='flag-5'>MCU</b> 相比,運(yùn)行速度如何?

    原來,它們用的都是國產(chǎn)RISC-V芯片

    RISC-V憑借指令集的靈活性與生態(tài)的開放,正在重塑中國芯片創(chuàng)新的范式。作為國產(chǎn)化設(shè)備的推動者,ZLG致遠(yuǎn)電子的多款設(shè)備已采用國產(chǎn)RISC-V
    的頭像 發(fā)表于 04-02 11:42 ?1077次閱讀
    原來,它們用的都是<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>RISC-V</b>芯片

    基于RISC-V雙核鎖步架構(gòu)國產(chǎn)MCU芯片技術(shù)

    與安全MCU產(chǎn)品。然而,汽車電子、工業(yè)控制等高可靠場景,國產(chǎn)芯片仍需突破功能安全認(rèn)證、
    的頭像 發(fā)表于 03-08 18:40 ?1261次閱讀
    基于<b class='flag-5'>RISC-V</b>雙核鎖步<b class='flag-5'>架構(gòu)</b><b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>MCU</b>芯片技術(shù)

    首款RISC-V架構(gòu)服務(wù)器,助力行業(yè)精準(zhǔn)適配AI場景

    的加速,支持多精度計算??蛇m用于大模型推理、深度學(xué)習(xí)、智算中心、科學(xué)計算、隱私計算等應(yīng)用場景。RISC-V特性國產(chǎn)主控搭載自研國產(chǎn)處理器,行業(yè)首款RISC-V
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:34 ?1541次閱讀
    首款<b class='flag-5'>RISC-V</b><b class='flag-5'>架構(gòu)</b>服務(wù)器,助力行業(yè)精準(zhǔn)適配AI場景

    Arm與RISC-V架構(gòu)的優(yōu)劣勢比較

    的控制力和相容。 Arm無法提供如此高水準(zhǔn)的定制服務(wù),所以RISC-V的優(yōu)勢一目了然。另外,由于RISC-V國際協(xié)會設(shè)立瑞士,市場主導(dǎo)國家無法對哪些國家參與制定和發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)施加限制或
    發(fā)表于 02-01 22:30

    關(guān)于RISC-V芯片的應(yīng)用學(xué)習(xí)總結(jié)

    的核心優(yōu)勢在于其開源、模塊化、低功耗、高性能以及可擴(kuò)展性。這些特性使得RISC-V芯片在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、嵌入式系統(tǒng)、邊緣計算以及高性能計算等領(lǐng)域具有獨(dú)特競爭力。 物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,
    發(fā)表于 01-29 08:38

    RISC-V MCU技術(shù)

    嘿,咱來聊聊RISC-V MCU技術(shù)哈。 這RISC-V MCU技術(shù)呢,簡單來說就是基于一個叫RISC-V的指令集
    發(fā)表于 01-19 11:50

    RISC-VMCU中有哪些知名的開源項目?

    RISC-VMCU中有哪些知名的開源項目?
    發(fā)表于 12-30 19:48

    risc-v芯片在電機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用展望

    活、更定制化的解決方案。 電機(jī)控制領(lǐng)域,RISC-V芯片的高性能、低功耗和可定制等特點尤為突出。傳統(tǒng)的電機(jī)控制芯片往往采用固定的指令集架構(gòu),難以滿足日益增長的多樣化需求。而
    發(fā)表于 12-28 17:20