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車規(guī)級(jí)芯片的AECQ100規(guī)范及詳細(xì)測(cè)試項(xiàng)目介紹——以ASM1042型CAN FD收發(fā)器芯片為例

安芯 ? 來源:jf_29981791 ? 作者:jf_29981791 ? 2025-12-14 22:27 ? 次閱讀
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ASM1042型CAN收發(fā)器系列符合ISO1189-2 (2016)高速CAN(控制器局域網(wǎng)絡(luò))物理層標(biāo)準(zhǔn)。所有器件均設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)速率高達(dá)2Mbps的CAN FD網(wǎng)絡(luò)。該收發(fā)器支持5Mbps的數(shù)據(jù)速率,且提供I/O電平的輔助電源輸入,用于設(shè)置輸入引腳閾值和 RXD輸出電平。該系列具備低功耗待機(jī)模式及遠(yuǎn)程喚醒請(qǐng)求特性。此外,該器件提供多種保護(hù)特性來提高器件和網(wǎng)絡(luò)的耐用性。

  • 通過AEC-Q100 Grade1 認(rèn)證
  • 符合ISO 11898-2:2016和ISO 11898-5:2007物理層標(biāo)準(zhǔn)

圖1 FD CAN芯片引腳分布圖

一、AECQ100測(cè)試項(xiàng)目總體概述

由表格可知左側(cè)列出每個(gè)測(cè)試項(xiàng)和該項(xiàng)需要的總樣品數(shù)(或總循環(huán)次數(shù)等)。Lot對(duì)應(yīng)放在不同“批次/生產(chǎn)批(lot)”上取樣進(jìn)行測(cè)試時(shí),從每個(gè) lot 抽取的樣品數(shù)量或每個(gè) lot 的測(cè)試分配。AEC-Q100 要求通常會(huì)指定多個(gè)獨(dú)立的 lot(通常是 3 個(gè)不同制造批)來驗(yàn)證工藝/設(shè)計(jì)的一致性。

AECQ100測(cè)試項(xiàng)目

二、AECQ100主要測(cè)試項(xiàng)目的解釋

CSAM(C-Mode Scanning Acoustic Microscopy): 用超聲顯像非破壞性檢查封裝內(nèi)部(粘接、焊接、空洞、層間分離/脫膠等)。在 T0(原始)和經(jīng)預(yù)處理(PC, preconditioning)后各做一次,用來確認(rèn)封裝完整性或預(yù)處理是否造成缺陷。

預(yù)處理(PC): 按標(biāo)準(zhǔn)要求模擬組件在制造/回流等過程的應(yīng)力(烘烤、回流循環(huán)等),通常是為了之后做熱循環(huán)或其他應(yīng)力測(cè)試前使樣品達(dá)到“出貨前狀態(tài)”。

HAST(Highly Accelerated Stress Test): 高溫高濕、有/無偏壓的加速濕熱試驗(yàn),用于促發(fā)與濕氣/腐蝕相關(guān)的失效(例如界面氧化、封裝吸濕造成的問題)。

UHST / Unbiased HAST: 與 HAST 類似,但通常為“無偏壓”或另一組濕熱條件(用于不同失效機(jī)理驗(yàn)證)。

溫度循環(huán)(TC): 把零件在低溫和高溫之間循環(huán)(例如 -40 → +125°C),檢驗(yàn)因熱膨脹系數(shù)差導(dǎo)致的焊點(diǎn)、鍵合線疲勞開裂等熱循環(huán)可靠性,循環(huán)次數(shù)會(huì)按目標(biāo)要求:500/1000/2000 等。

HTSL(High-Temperature Storage Life)高溫儲(chǔ)存壽命: 在高溫環(huán)境下不加電存放一定時(shí)間以加速化學(xué)/材料老化,用來模擬長期儲(chǔ)存老化。

HTOL(High-Temperature Operating Life)高溫運(yùn)行壽命: 在高溫下通電加速老化,考察在工作負(fù)載下的長期可靠性,例如電遷移、熱失效等。

ELFR(Early-Life Failure Rate)早期失效率(ELFR): 大量(例如 2400 個(gè)樣品)在短時(shí)間的加速應(yīng)力,以發(fā)現(xiàn)早期失效,通常用于統(tǒng)計(jì)學(xué)上的可靠度評(píng)估。

WBS / WBP: 鍵合線剪切/拔力試驗(yàn),用來量化鍵合點(diǎn)/焊線機(jī)械強(qiáng)度,以確認(rèn)鍵合可靠性,標(biāo)準(zhǔn)有對(duì)樣本數(shù)與通過指標(biāo)的要求。

SD(Solderability)可焊性測(cè)試(SD): 檢查引腳/焊盤在回流前后是否能獲得足夠的潤濕覆蓋(通常要求 >95% 覆蓋率)。

PD(Physical Dimensions / Dimensional)物理尺寸(PD): 尺寸/引腳位置等機(jī)械公差檢查,確認(rèn)包裝符合圖紙規(guī)格。

HBM(Human-Body Model)/ CDM(Charged-Device Model): 兩種常見靜電放電模型,分別模擬人體放電或器件自身充電放電對(duì) IC 的沖擊。AEC-Q100 對(duì)汽車級(jí)器件的 ESD 要求比商業(yè)件更嚴(yán)格,并有具體通過等級(jí)(伏數(shù))。

閂鎖(Latch-up)試驗(yàn): 驗(yàn)證在特定偏壓/溫度條件下器件不會(huì)進(jìn)入不可恢復(fù)的高電流閂鎖態(tài)。

ED(Electrical Distribution / Electrical Disturbance)電氣分布/電性能評(píng)估: 檢查器件在溫度/電壓范圍內(nèi)的參數(shù)分布、故障分級(jí)等。

EMC 電磁兼容性測(cè)試項(xiàng),在 AEC-Q100 上作為參考或與系統(tǒng)級(jí) EMC 相關(guān)的驗(yàn)證。

LF-Tin Whisker: 無鉛錫須觀察,用于評(píng)估無鉛 Finish 在汽車應(yīng)用中的錫風(fēng)險(xiǎn)(長期可靠性問題)。

三、Lot1 / Lot2 / Lot3 到底代表什么?

Lot1、Lot2、Lot3 是三批獨(dú)立的制造/工藝批次(例如不同晶圓批、不同封裝批或在不同時(shí)間生產(chǎn)的批次)。AEC-Q100 要求用多批次來證明設(shè)計(jì)與制造過程在不同批次間保持一致性,而不是僅僅在單一批次上“僥幸通過”。官方文檔說明了“多 lot 測(cè)試 / 每 lot 抽樣數(shù) / 最低樣本量”等要求。

表格中每個(gè)測(cè)試行下 Lot1/Lot2/Lot3 的數(shù)字通常表示從該 lot 抽取并用于該測(cè)試的樣品數(shù),例如 PC 一行若顯示 240/240/240,意味著每個(gè) lot 都取 240 個(gè)樣品做 PC。若某一 lot 出現(xiàn)系統(tǒng)性問題(比如封裝工藝異常),只在那一列看到失效或“測(cè)試失效”的備注,就可以定位為制造批次問題,而不是器件設(shè)計(jì)缺陷。

四、關(guān)于樣本數(shù)、通過準(zhǔn)則與常見備注

AEC-Q100 對(duì)不同測(cè)試有規(guī)定的最小樣本數(shù)(比如 HTOL/ELFR/ELFR 的大抽樣、Package integrity tests 的樣本數(shù)等),例如 ELFR 往往需要很大樣本(表里 2400 就常見于 ELFR)。測(cè)試過程中一旦出現(xiàn):開短路、功能不良、參數(shù)超限等情況,該項(xiàng)直接 Fail。統(tǒng)計(jì)準(zhǔn)則:某些機(jī)械/尺寸類測(cè)試會(huì)以統(tǒng)計(jì)指標(biāo)(如 Cpk ≥ 1.67)作為通過標(biāo)準(zhǔn),鍵合/焊點(diǎn)類測(cè)試有最小載荷/不良數(shù)限制等。

五、如何判斷芯片的AEC-Q100 是否通過?

可以使用這4個(gè)問題快速檢查:

  1. 是否具有3個(gè)獨(dú)立 Lot?
  2. 每個(gè)測(cè)試樣本數(shù)是否滿足最小要求?
  3. 是否所有必選測(cè)試 = 0 Fail?
  4. 失效項(xiàng)是否完成重新驗(yàn)證?

只要有一項(xiàng)不滿足就不能宣稱 AEC-Q100 通過!

審核編輯 黃宇

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