chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

探索CPC3981Z:800V、45Ω N溝道MOSFET的卓越性能與應用

h1654155282.3538 ? 2025-12-16 10:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索CPC3981Z:800V、45Ω N溝道MOSFET的卓越性能與應用

在電子工程領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是一種至關重要的元件,廣泛應用于各種電路設計中。今天,我們將深入探討Littelfuse公司的CPC3981Z,一款專為高壓應用設計的800V、45Ω N溝道MOSFET。

文件下載:Littelfuse CPC3981Z 800V、45Ω N溝道MOSFETT.pdf

一、產品概述

CPC3981Z采用改良的SOT - 223封裝,這種封裝設計能為高壓應用提供更大的漏極和源極引腳間距。它是一款800V、N溝道、耗盡型場效應晶體管(FET),在功率、工業(yè)和電信等領域的固態(tài)繼電器中得到了廣泛應用。該產品有SOT - 223 - 2L封裝可供選擇。

關鍵特性參數(shù)

特性 額定值 單位
VBRDSX 800 V
TJ 150
Ron 45 Ω
IDss 100 mA

這些參數(shù)決定了CPC3981Z在高壓、高溫環(huán)境下的性能表現(xiàn),對于工程師在設計電路時進行參數(shù)匹配和性能評估至關重要。大家在實際應用中,是否有遇到過因參數(shù)不匹配而導致的電路問題呢?

二、特性與優(yōu)勢

  1. 高結溫承受能力:最大結溫TJ(max)可達150°C,這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于一些對散熱要求較高的應用場景。
  2. 高輸入阻抗:高輸入阻抗意味著MOSFET在工作時對輸入信號的影響較小,能夠更好地實現(xiàn)信號的傳輸和放大。
  3. 高擊穿電壓:800V的擊穿電壓使其能夠承受較高的電壓應力,適用于高壓電源、轉換器等應用。
  4. 低導通電阻:45Ω的導通電阻可以有效降低功率損耗,提高電路的效率。
  5. 特定的柵源關斷電壓范圍:VGS(off)為 - 1.4V至 - 3.1V,這為電路設計提供了更精確的控制范圍。

三、應用領域

CPC3981Z的特性使其在多個領域都有廣泛的應用:

  1. 常開開關:在需要常開功能的電路中,CPC3981Z可以作為理想的開關元件。
  2. 固態(tài)繼電器:其高電壓承受能力和穩(wěn)定的性能使其成為固態(tài)繼電器的重要組成部分。
  3. 轉換器:在電源轉換電路中,能夠實現(xiàn)高效的電壓轉換。
  4. 電信和電源供應:為電信設備和電源供應系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率支持。
  5. 電流調節(jié)器:精確調節(jié)電路中的電流。

四、絕對最大額定值

了解MOSFET的絕對最大額定值對于確保其安全可靠運行至關重要。以下是CPC3981Z的絕對最大額定值: 參數(shù) 額定值 單位
漏源電壓 800 V
柵源電壓 ±15 V
脈沖漏極電流 150 mA
總封裝功耗(安裝在1"x1" 2 oz.銅FR4板上) 2.25 W
工作環(huán)境溫度 - 55至 + 150
最大結溫 + 150
存儲溫度 - 55至 + 150

需要注意的是,絕對最大額定值是應力額定值,超過這些額定值可能會對器件造成永久性損壞。在實際設計中,我們應該如何合理地選擇工作參數(shù)以避免超過這些額定值呢?

五、電氣特性

CPC3981Z的電氣特性詳細描述了其在不同條件下的性能表現(xiàn):

  1. 擊穿電壓:漏源擊穿電壓V(BR)DSX在VGS = - 5.5V、ID = 1μA時為800V。
  2. 柵源關斷電壓:VGS(off)在VDS = 15V、ID = 1pA時為 - 1.4V至 - 3.1V。
  3. 溫度相關特性:如VGS(off)隨溫度的變化率dVGS(off)/dT為 - 6.3mV/℃,導通電阻RDS(on)隨溫度的變化率dRDS(on)/dT為2.5%/℃。
  4. 電容特性:輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容CRSS等參數(shù)影響著MOSFET的開關速度和信號傳輸特性。

這些電氣特性為工程師在設計電路時提供了詳細的參考,有助于優(yōu)化電路性能。

六、制造與使用注意事項

1. 濕度敏感性

所有塑料封裝的半導體器件都容易受到濕氣侵入的影響。CPC3981Z的濕度敏感性等級(MSL)為MSL3,應按照IPC/JEDEC J - STD - 033標準的要求進行處理。如果不遵守相關規(guī)范,可能會導致產品性能下降、使用壽命縮短和可靠性降低。

2. ESD敏感性

該產品對靜電放電(ESD)敏感,應按照行業(yè)標準JESD - 625進行處理,以防止ESD對器件造成損壞。

3. 焊接曲線

在回流焊接過程中,器件的本體溫度不得超過分類溫度(TC)。CPC3981Z的分類溫度為260℃,最大總停留時間(tp)為30秒,最大回流次數(shù)為3次。

4. 電路板清洗

Littelfuse建議使用免清洗助焊劑配方。在回流焊接后進行電路板清洗時,需要采取適當?shù)念A防措施,如使用低壓清洗和后續(xù)烘焙循環(huán),以防止器件損壞。同時,應避免使用超聲波清洗和鹵化物助焊劑或溶劑。

七、機械尺寸

CPC3981Z的機械尺寸對于電路板布局和安裝非常重要。其詳細的尺寸信息以毫米和英寸兩種單位給出,涵蓋了各個引腳和封裝的關鍵尺寸。準確的機械尺寸信息有助于工程師在設計電路板時進行合理的布局和空間規(guī)劃。

總之,CPC3981Z作為一款高性能的N溝道MOSFET,在高壓應用領域具有顯著的優(yōu)勢。通過深入了解其特性、應用領域和使用注意事項,工程師可以更好地將其應用于實際電路設計中,實現(xiàn)高效、可靠的電路性能。大家在使用類似MOSFET時,是否有一些獨特的經驗或技巧可以分享呢?歡迎在評論區(qū)留言交流。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    探索Littelfuse 3425L系列:表面貼裝PPTC的卓越性能與應用

    探索Littelfuse 3425L系列:表面貼裝PPTC的卓越性能與應用 作為電子工程師,我們在設計電路時,常常需要考慮過流保護的問題。今天,我想和大家分享一款優(yōu)秀的表面貼裝可復位PPTC(高分子
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:30 ?45次閱讀

    探索CPC2501M:電壓控制非隔離固態(tài)繼電器的卓越性能與應用

    探索CPC2501M:電壓控制非隔離固態(tài)繼電器的卓越性能與應用 在電子工程師的日常設計工作中,固態(tài)繼電器是一種常見且關鍵的組件。今天,我們要深入探討的是Littelfuse公司的CPC
    的頭像 發(fā)表于 12-15 15:40 ?67次閱讀

    探索Thermometrics壓力與溫度組合傳感器:卓越性能與廣泛應用

    探索Thermometrics壓力與溫度組合傳感器:卓越性能與廣泛應用 作為電子工程師,在各類設計項目中,傳感器的選擇與應用至關重要。今天我們來詳細探討Thermometrics的壓力與溫度組合
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:55 ?136次閱讀

    探索ADS900:高速10位模數(shù)轉換器的卓越性能與應用

    探索ADS900:高速10位模數(shù)轉換器的卓越性能與應用 在電子工程領域,模數(shù)轉換器(ADC)是連接模擬世界和數(shù)字世界的橋梁,其性能直接影響到整個系統(tǒng)的精度和效率。今天,我們要詳細探討德州儀器(TI
    的頭像 發(fā)表于 12-10 10:00 ?166次閱讀

    探索NVMJD010N10MCL:高性能N溝道MOSFET卓越表現(xiàn)

    在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NVMJD010N10MCL雙N
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:32 ?256次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b>NVMJD010<b class='flag-5'>N</b>10MCL:高<b class='flag-5'>性能</b>雙<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>表現(xiàn)

    探索 onsemi NVMJD010N10MCL 雙N溝道MOSFET卓越性能

    在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率開關元件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解 onsemi 推出的一款雙 N 溝道
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:50 ?557次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVMJD010<b class='flag-5'>N</b>10MCL 雙<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越性能</b>

    探索 NTMFS7D5N15MC:高性能N溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET卓越表現(xiàn)

    在電子工程領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrenc
    的頭像 發(fā)表于 12-02 14:31 ?231次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> NTMFS7D5<b class='flag-5'>N</b>15MC:高<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>屏蔽柵 PowerTrench <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越</b>表現(xiàn)

    探索 onsemi NVBLS1D5N10MC:高性能N溝道MOSFET卓越之選

    在電子工程領域,MOSFET 作為關鍵的功率開關器件,其性能直接影響到整個電路系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVBLS1D5N10MC 這款 100V
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:53 ?215次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVBLS1D5<b class='flag-5'>N</b>10MC:高<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之選

    探索onsemi NVBLS0D8N08X:高性能N溝道MOSFET卓越之選

    在電子工程師的設計世界里,選擇合適的MOSFET至關重要,它直接影響著電路的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的NVBLS0D8N08X這款80V、0.79mΩ、
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:35 ?186次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b>onsemi NVBLS0D8<b class='flag-5'>N</b>08X:高<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之選

    探索NVTYS014N08HL:高性能N溝道MOSFET卓越之選

    在電子設計領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)作為關鍵的功率器件,其性能表現(xiàn)對整個電路的性能起著至關重要的作用。今天,我們就來深入了解一款由onsemi推出的單N
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:42 ?185次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b>NVTYS014<b class='flag-5'>N</b>08HL:高<b class='flag-5'>性能</b>單<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之選

    探索 onsemi NVMFS5C604N 單通道 N溝道 MOSFET卓越性能

    在電子設備的設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率開關元件,其性能的優(yōu)劣直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 單通道 N
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:32 ?271次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVMFS5C604<b class='flag-5'>N</b> 單通道 <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越性能</b>

    探索NTMFS005P03P8Z:高性能P溝道MOSFET卓越表現(xiàn)

    作為電子工程師,我們在設計電路時,常常需要精心挑選合適的電子元件,以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。今天,我要和大家分享一款來自安森美半導體(onsemi)的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8
    的頭像 發(fā)表于 11-28 15:13 ?233次閱讀

    探索 NTMFS0D7N04XM:高性能 N 溝道 MOSFET卓越之旅

    在電子工程師的日常設計中,MOSFET 作為關鍵的功率開關器件,其性能優(yōu)劣直接關系到整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NTMFS0D7N04XM 這款 N
    的頭像 發(fā)表于 11-28 10:23 ?232次閱讀

    探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 溝道功率 MOSFET卓越之選

    在電子工程領域,功率 MOSFET 作為關鍵元件,其性能直接影響著各類電子設備的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFS3D0N08X 這款 N
    的頭像 發(fā)表于 11-28 09:35 ?245次閱讀

    ?STMicroelectronics STP80N450K6:800V MDmesh K6功率MOSFET技術解析與應用

    STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術設計的極高
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:44 ?360次閱讀
    ?STMicroelectronics STP80<b class='flag-5'>N</b>450K6:<b class='flag-5'>800V</b> MDmesh K6功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析與應用