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10%PEA邊緣鈍化實現(xiàn)鈣鈦礦效率提升30%:雙間隔層的π-π堆疊橋接與結(jié)晶調(diào)控

美能光伏 ? 2025-12-24 09:01 ? 次閱讀
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二維2D RP鈣鈦礦(通式A′?A???Pb?X????)因其結(jié)構(gòu)可調(diào)、穩(wěn)定性較好而受到廣泛關(guān)注。其中,有機間隔陽離子A′對晶體取向、相純度和薄膜形貌具有關(guān)鍵影響。近年來,雙間隔層策略(共同使用兩種有機陽離子)被證明能有效優(yōu)化薄膜質(zhì)量與電池性能,但其中芳香性間隔層(如PEA)的作用機制尚不明確。美能大平臺鈣鈦礦電池PL測試儀通過無接觸式測試,監(jiān)測各個工藝段中的異常,了解單節(jié)疊層鈣鈦礦電池的缺陷分布信息。

在二維2D RP鈣鈦礦體系中引入雙有機間隔層是提升薄膜質(zhì)量與電池性能的有效策略。本研究通過在BA?MA?Pb?I??中部分引入苯乙銨(PEA)構(gòu)建了BA???PEA?MA?Pb?I??雙間隔層體系。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)x=0.1(即10% PEA替代)時,薄膜結(jié)晶性顯著提升,太陽能電池效率提高約30%;而更高PEA含量則導(dǎo)致結(jié)晶度下降。機理研究表明,芳香性PEA陽離子因空間位阻效應(yīng)優(yōu)先富集于鈣鈦礦片層邊緣,并通過π-π堆疊連接相鄰晶粒,實現(xiàn)邊緣鈍化與生長調(diào)控。這一工作為芳香間隔層在二維鈣鈦礦中的功能機制提供了新見解。

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PL強度(歸一化)基底含10% PEA、基底邊緣態(tài)及波長 λ (nm)

薄膜形貌與結(jié)晶性

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一個基本的矩形二維RP片層的邊緣表面(紅色)(a) 和基面(黃色)(b),該片層由n層MAPbI?夾在兩個BA間隔層之間構(gòu)成

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雙間隔層鈣鈦礦薄膜的FESEM俯視圖圖像,PEA含量分別為0%、10%、50%和100%(a–d)。(e) ToF-SIMS深度剖面圖,顯示該系列薄膜中PEA陽離子在鈣鈦礦薄膜內(nèi)的分布。(f) 二維鈣鈦礦薄膜的水接觸角測量值隨PEA含量的變化

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(a) 雙間隔層薄膜系列的X射線衍射光譜。(b) 衍射峰(111)和(202)的峰高、峰高比 H? = H(202)/H(111) 以及半高寬隨PEA摩爾分?jǐn)?shù)的變化函數(shù)

形貌改善:引入10% PEA后,薄膜表面裂縫顯著減少,變得更為致密。

結(jié)晶性提升:XRD顯示10% PEA薄膜的(202)晶面衍射峰強度提高近30%,表明結(jié)晶性增強。

取向變化:低PEA含量時薄膜呈垂直取向(Hr>1),高PEA含量時轉(zhuǎn)為水平取向(Hr<1)。

光學(xué)性質(zhì)與相分布

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(a) 雙間隔層薄膜系列的UV-Vis光譜(b) 0% PEA薄膜的PL光譜及其擬合峰(c) 雙間隔層薄膜系列的發(fā)射光譜

UV-Vis吸收光譜表明,隨著PEA比例增加,薄膜中同時出現(xiàn)更多低n相(如n=1,2)和高n相(n>3),呈現(xiàn)多相分布特征。

光致發(fā)光PL光譜中,所有薄膜在~720–760 nm均出現(xiàn)邊緣態(tài)發(fā)射峰。10% PEA薄膜該峰顯著淬滅,說明PEA有效鈍化了晶體邊緣態(tài)

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低能量PL峰位置與PEA百分比的關(guān)系

光伏性能

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(a) 雙間隔層太陽能電池系列的J-V特性曲線(b) 雙間隔層太陽能電池系列的外量子效率光譜(c) 沉積在電荷傳輸層上的雙間隔層2D RP鈣鈦礦的時間PL衰減曲線

23e2c048-e064-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

含0%、10%、50%和100% PEA的雙間隔層太陽能電池的J-V特性參數(shù)

在環(huán)境條件下制備的倒置結(jié)構(gòu)太陽能電池中,10% PEA電池平均效率達11.85%,較原始電池(9.07%)提升約30%。

過量PEA(50%、100%)會導(dǎo)致填充因子下降,效率降低,主要歸因于界面載流子提取受阻。

機理證據(jù)

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(a, c) 原始(0% PEA)薄膜和 (b, d) 10% PEA薄膜在不同掠入射角下的GIWAXS圖像,分別對應(yīng)表面、亞表面和體相的探測深度

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(a-c) 100%、0%和10% PEA前驅(qū)體結(jié)晶頂部表殼的照片,黃色箭頭表示橫向生長方向。(d) 對應(yīng)的XRD圖譜

GIWAXS:10% PEA薄膜在表面與亞表面區(qū)域衍射信號更強,出現(xiàn)低角度層狀衍射峰,表明結(jié)構(gòu)有序度提升

TUNA-AFM:10% PEA薄膜電流分布更均勻,說明邊緣缺陷與泄漏通道被有效抑制

XPS:C-N結(jié)合能位移證實PEA存在于薄膜表面邊緣區(qū)域。

作用機制

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(a) 0% PEA和 (b) 10% PEA鈣鈦礦薄膜的示意圖。在10% PEA薄膜中,PEA陽離子積聚在邊緣表面,通過π-π相互作用促進相鄰晶粒之間的相互連接(放大視圖)

研究提出如下成膜機制:

在BA基2D鈣鈦礦中,BA主要位于基面,促進垂直生長但易產(chǎn)生裂縫。當(dāng)引入少量PEA(10%)時:

邊緣優(yōu)先吸附:PEA因分子體積較大,難以進入基面,而優(yōu)先吸附于晶體邊緣表面。

π-π堆疊橋接:邊緣的PEA通過芳香環(huán)間的π-π相互作用連接相鄰晶粒,增強橫向連接。

邊緣鈍化:PEA覆蓋邊緣態(tài),減少非輻射復(fù)合,同時約束晶粒生長方向,形成更有序的薄膜結(jié)構(gòu)。

當(dāng)PEA含量過高時,PEA亦開始進入基面,但其聚集傾向?qū)е屡帕袩o序,結(jié)晶性下降,電池性能惡化。

本研究闡明,在雙間隔層2D RP鈣鈦礦中,少量PEA(~10%)可通過邊緣選擇性鈍化與π-π橋接作用,顯著提升薄膜結(jié)晶性與電池效率。該機制強調(diào)了芳香間隔層的空間分布調(diào)控對薄膜生長的重要性,為設(shè)計高性能二維鈣鈦礦光電電池提供了理論依據(jù)。

美能大平臺鈣鈦礦電池PL測試儀

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大平臺鈣鈦礦電池PL測試儀通過非接觸、高精度、實時反饋等特性,系統(tǒng)性解決了太陽能電池生產(chǎn)中的速度、良率、成本、工藝優(yōu)化與穩(wěn)定性等核心痛點,并且結(jié)合AI深度學(xué)習(xí),實現(xiàn)全自動缺陷識別與工藝反饋。

PL高精度成像:采用線掃激光,成像精度<75um/pix(成像精度可定制)

支持 16bit 顏色灰度:同時清晰呈現(xiàn)高亮區(qū)域(如無缺陷區(qū))低亮區(qū)域(如缺陷暗斑)

高速在線PL檢測缺陷:檢測速度≤2s,漏檢率;誤判率

AI缺陷識別分類訓(xùn)練:實現(xiàn)全自動缺陷識別與工藝反饋

美能大平臺鈣鈦礦電池PL測試儀采用無接觸式測試方式,可實時監(jiān)測鈣鈦礦電池各工藝段中的薄膜質(zhì)量異常,精準(zhǔn)定位單結(jié)及疊層電池中的缺陷分布

原文參考:Phenethylammonium-Induced Edge Passivation for Regulated Growth of Dual-Spacer Ruddlesden-Popper Perovskite Films

*特別聲明:「美能光伏」公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請及時聯(lián)系我司進行刪除。

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