據(jù)國(guó)外分析機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是電子元器行業(yè)一年來第一次在資本支出上花費(fèi)超過1000億美元。1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(zhǎng)了9％，比2016年增長(zhǎng)了38％。

如下圖所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存生產(chǎn)——主要是DRAM和閃存，這些支出包括了對(duì)現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級(jí)。總的來說，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53％。

數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)設(shè)備的資本支出份額在過去六年大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27％（147億美元）增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53％（540億美元），也就是說存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的投資在2013-2018年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)30％。

IC Insights也表示，經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加，一個(gè)迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價(jià)格下降。

他們表示，存儲(chǔ)市場(chǎng)的歷史先例表明，過多的支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的價(jià)格疲軟。 但目前看來，包括三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)都計(jì)劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量（以及更多中國(guó)新內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進(jìn)入市場(chǎng)） 。