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探索TEA2093TS:新一代同步整流控制器的卓越性能

h1654155282.3538 ? 2025-12-25 09:30 ? 次閱讀
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探索TEA2093TS:新一代同步整流控制器的卓越性能

電源設(shè)計領(lǐng)域,同步整流技術(shù)對于提高開關(guān)電源的效率至關(guān)重要。NXP推出的TEA2093TS作為新一代同步整流(SR)控制器IC,為開關(guān)電源帶來了許多創(chuàng)新特性。今天,我們就來深入了解一下這款控制器。

文件下載:NXP Semiconductors TEA2093TS GreenChip同步整流器控制器.pdf

一、產(chǎn)品概述

TEA2093TS是專為不對稱半橋反激和標(biāo)準(zhǔn)反激轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)同步整流而設(shè)計的專用控制器IC。它采用了自適應(yīng)柵極驅(qū)動技術(shù),能在任何負(fù)載下實(shí)現(xiàn)最高效率。同時,該芯片還能為低輸出電壓的電池充電應(yīng)用或高端整流應(yīng)用生成自身的電源電壓,并且采用了絕緣體上硅(SOI)工藝制造。

二、特性與優(yōu)勢

(一)效率特性

  • 自適應(yīng)柵極驅(qū)動:無論負(fù)載如何變化,都能實(shí)現(xiàn)最高效率,這對于追求高效電源的設(shè)計來說至關(guān)重要。
  • 低空載電流:在空載運(yùn)行時,典型電源電流低于200μA,有助于降低功耗。

(二)應(yīng)用特性

  • 寬輸出電壓范圍:可在低至0V的寬輸出電壓范圍內(nèi)工作,適應(yīng)多種應(yīng)用場景。
  • 高耐壓引腳:漏極檢測引腳能夠處理高達(dá)120V的輸入電壓,增強(qiáng)了芯片的適用性。
  • 自供電功能:支持低輸出電壓和高端整流應(yīng)用,無需輔助繞組,簡化了電路設(shè)計。
  • 兼容多種MOSFET:可與標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平SR MOSFET配合使用,還支持USB BC、USB PD和快速充電應(yīng)用。
  • TSOP6封裝:小巧的封裝形式,便于在PCB上布局。

(三)控制特性

  • 快速關(guān)斷:自適應(yīng)柵極驅(qū)動能在導(dǎo)通結(jié)束時實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷,提高了整流效率。
  • 欠壓鎖定(UVLO):具有有源柵極下拉功能,增強(qiáng)了芯片的穩(wěn)定性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

TEA2093TS主要用于反激式電源,能夠驅(qū)動外部同步整流MOSFET,替代傳統(tǒng)的二極管進(jìn)行變壓器次級繞組電壓的整流。它適用于需要高效率的各種電源,如充電器、適配器、不對稱半橋反激電源以及具有極低和/或可變輸出電壓的反激電源。

四、訂購與標(biāo)記信息

(一)訂購信息

型號 封裝 描述 版本
TEA2093TS/1 TSOP6 塑料表面貼裝封裝,6引腳 SOT457

(二)標(biāo)記代碼

型號 標(biāo)記代碼
TEA2093TS/1 TEA2093

五、引腳信息

(一)引腳配置

TEA2093TS引腳配置

(二)引腳描述

符號 引腳 描述
CAP 1 內(nèi)部電源電壓的電容輸入
GND 2 接地
XV 3 外部電源輸入
GATE 4 SR MOSFET的柵極驅(qū)動器輸出
SOURCE 5 SR MOSFET的源極檢測輸入
DRAIN 6 SR MOSFET的漏極檢測輸入

六、功能描述

(一)啟動與欠壓鎖定(UVLO)

CAP引腳上的電容為TEA2093TS供電。當(dāng)XV電壓小于4.7V時,電容通過DRAIN引腳充電,充電電流將電容充電至4V后停止。當(dāng)外部電壓超過4.7V時,XV引腳通過集成二極管提高電容電壓,從而提高柵極驅(qū)動器電壓。當(dāng)CAP引腳電壓超過3.7V(典型值)時,芯片離開UVLO狀態(tài),激活同步整流電路;當(dāng)電壓降至3.6V(典型值)以下時,重新進(jìn)入UVLO狀態(tài),SR MOSFET柵極驅(qū)動器輸出被主動拉低。

(二)漏極檢測(DRAIN引腳)

漏極檢測引腳能夠處理高達(dá)120V的輸入電壓。當(dāng)漏極檢測電壓為正時,柵極驅(qū)動器處于關(guān)斷模式,柵極被下拉;當(dāng)漏極檢測電壓為負(fù)時,芯片通過檢測漏源極差分電壓啟用同步整流。

(三)同步整流(DRAIN和SOURCE引腳)

芯片通過檢測漏極檢測(DRAIN引腳)和源極檢測(SOURCE引腳)之間的電壓差來驅(qū)動SR MOSFET的柵極。在調(diào)節(jié)階段,芯片將漏極和源極檢測輸入之間的差值調(diào)節(jié)到絕對電平37mV。當(dāng)絕對差值超過37mV時,柵極驅(qū)動器輸出增加外部SR MOSFET的柵極電壓;當(dāng)絕對差值小于30mV時,柵極驅(qū)動器輸出降低柵極電壓。當(dāng)SR MOSFET電流為零時,它會迅速關(guān)斷。關(guān)斷后,當(dāng)漏極電壓超過300mV時,7Ω的低歐姆柵極下拉將SR MOSFET的柵極保持關(guān)斷狀態(tài)。

(四)柵極驅(qū)動器(GATE引腳)

柵極驅(qū)動器電路在電流上升階段為外部SR MOSFET的柵極充電,在電流下降階段放電。它具有典型的0.50A源能力和0.65A灌電流能力,能夠?qū)崿F(xiàn)外部SR MOSFET的快速導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動器的最大輸出電壓限制為12V,可驅(qū)動所有品牌的MOSFET達(dá)到最小導(dǎo)通電阻。在某些應(yīng)用中,驅(qū)動器的輸出電壓會根據(jù)供電情況進(jìn)行調(diào)整。

(五)源極檢測(SOURCE引腳)

源極檢測引腳用于測量外部SR MOSFET的漏源電壓。該引腳應(yīng)盡可能靠近外部SR MOSFET的源極連接,以減少由于寄生電感引起的測量誤差。

七、電氣特性

(一)極限值

符號 參數(shù) 條件 最小值 最大值 單位
Vxv XV引腳電壓 -0.4 +38 V
Vsense(DRAIN) DRAIN引腳檢測電壓 -0.8 +120 V
Vsense(SOURCE) SOURCE引腳檢測電壓 -0.4 +0.4 V
lxv XV引腳電流 峰值電流 0.5 A
Ptot 總功耗 Tamb = 90°C 300 mW
Tstg 存儲溫度 -55 +150 °C
Tj 結(jié)溫 -40 +150 °C
VESD 靜電放電電壓 人體模型 2000 V
充電設(shè)備模型 500 V

(二)熱特性

符號 參數(shù) 條件 典型值 單位
Rth(-a) 結(jié)到環(huán)境的熱阻 JEDEC測試板 200 K/W
Rth(-c) 結(jié)到外殼的熱阻 JEDEC測試板 115 K/W

(三)特性參數(shù)

在不同的工作條件下,TEA2093TS的各項(xiàng)參數(shù)表現(xiàn)也有所不同,如供電電壓管理、同步整流檢測輸入、柵極驅(qū)動器等方面的參數(shù)。這些參數(shù)對于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估非常重要。

八、溫度曲線

芯片的一些參數(shù)會隨溫度變化而變化,如充電電流、工作電流、驅(qū)動器調(diào)節(jié)電壓、柵極下拉電阻和關(guān)斷電壓等。了解這些溫度曲線有助于在不同的環(huán)境溫度下合理使用芯片。

九、應(yīng)用信息

在使用TEA2093TS設(shè)計反激式開關(guān)電源時,需要注意一些關(guān)鍵問題。例如,要特別關(guān)注漏極檢測和源極檢測引腳的連接,確保測量準(zhǔn)確,避免因測量誤差導(dǎo)致柵極驅(qū)動效率降低。同時,要注意電源布線,避免高dI/dt電流引起的測量誤差。

十、總結(jié)

TEA2093TS作為一款新一代的同步整流控制器IC,憑借其自適應(yīng)柵極驅(qū)動、寬輸出電壓范圍、自供電等特性,為開關(guān)電源設(shè)計帶來了更高的效率和靈活性。在充電器、適配器等多種電源應(yīng)用中,它都能發(fā)揮出色的性能。作為電子工程師,我們在設(shè)計電源電路時,可以充分考慮這款芯片的優(yōu)勢,為產(chǎn)品的性能提升提供有力支持。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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