威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向 - 40V 中壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載控制等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P 溝道耐壓為負值，適配 40V 中壓場景）；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時 10mΩ、\(V_{GS}=-4.5V\)時 13mΩ，中壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 46A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 26A，承載能力較強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動（P 溝道通過拉低柵極電壓導通），簡化中壓電路設計；
• 低導通電阻 + 高效率：10~13mΩ 的阻性表現(xiàn)，搭配快速開關(guān)特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 200mJ，抗沖擊能力強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配中功率密度電路設計；
• 典型應用：
  • 40V 級中壓電源的高側(cè)負載開關(guān)；
  • 工業(yè)設備、儲能系統(tǒng)的電源通路控制；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）