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選型手冊(cè):VS4020AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-12-31 17:30 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向 40V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用小型封裝(圖中未明確具體型號(hào),推測(cè)為 SOP 類小封裝),適配低壓小型電源管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場(chǎng)景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值 7.0mΩ,低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低;
    • 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\),接大散熱片):\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 72A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 42A,承載能力較強(qiáng);
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):144A(\(T=25^\circ\text{C}\)),可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。

二、核心特性

  • 超低導(dǎo)通電阻:基于溝槽工藝設(shè)計(jì),10V 驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通電阻僅 7.0mΩ,能效表現(xiàn)優(yōu)異;
  • 高可靠性:通過 100% 雪崩測(cè)試,雪崩能量可達(dá) 100% 結(jié)溫,適配電機(jī)等重載場(chǎng)景;
  • 快速開關(guān):開關(guān)速度快,反向雪崩特性優(yōu)化,提升電路穩(wěn)定性;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號(hào)數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

40V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

28A
連續(xù)漏極電流(接大散熱片,\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 72;\(T=100^\circ\text{C}\): 42

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

144A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

88mJ
工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。)

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