摘要 ：隨著低軌衛(wèi)星星座技術(shù)的快速發(fā)展，空間輻射環(huán)境對星載電子系統(tǒng)的可靠性威脅日益凸顯。本文系統(tǒng)分析了低軌衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整系統(tǒng)的抗輻照設(shè)計技術(shù)體系，重點圍繞國科安芯推出的AS32S601型抗輻照微控制器單元（MCU）的加固技術(shù)、試驗驗證方法及工程實現(xiàn)路徑展開研究。通過分析質(zhì)子單粒子效應(yīng)、總劑量效應(yīng)及脈沖激光模擬試驗數(shù)據(jù)，驗證了該器件在75 MeV·cm2/mg線性能量傳輸（LET）值下對單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）和單粒子鎖定（SEL）的免疫能力，以及在150 krad(Si)總劑量輻照后的參數(shù)穩(wěn)定性。

1. 引言

低地球軌道（LEO）衛(wèi)星運行在距地表500-2000公里的空間區(qū)域，該區(qū)域雖避開了范艾倫輻射帶的核心區(qū)，但仍面臨地球俘獲帶質(zhì)子、銀河宇宙射線及太陽質(zhì)子事件的持續(xù)輻照威脅。根據(jù)空間環(huán)境模型分析，LEO軌道質(zhì)子通量可達10?-10? p·cm?2·s?1，總劑量累積速率約為0.1-10 rad(Si)/天，在典型5-7年任務(wù)周期內(nèi)總劑量可達數(shù)十krad(Si)量級。姿態(tài)調(diào)整系統(tǒng)作為衛(wèi)星平臺的核心分系統(tǒng)，其控制計算機在軌運行期間需實時處理陀螺儀、星敏感器、太陽敏感器等多傳感器融合數(shù)據(jù)，執(zhí)行PD控制算法或更先進的自適應(yīng)控制律，并驅(qū)動反作用輪、磁力矩器或冷氣推進系統(tǒng)。任何瞬態(tài)故障或永久損傷都可能導(dǎo)致姿態(tài)失穩(wěn)、能源系統(tǒng)失效甚至整星任務(wù)失敗。因此，建立系統(tǒng)性的抗輻照設(shè)計與驗證體系，已成為商業(yè)航天領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵工程問題。

傳統(tǒng)航天電子系統(tǒng)普遍采用抗輻照等級（Radiation-Hardened）器件，這類器件通常采用絕緣體上硅（SOI）或藍寶石上硅（SOS）等特殊工藝，雖然具備優(yōu)異的空間環(huán)境適應(yīng)能力，但其成本高昂、供貨周期長、技術(shù)受控，難以滿足大規(guī)模低軌星座的批量化、低成本、快速迭代需求。近年來，以國科安芯AS32S601為代表的"商業(yè)航天級"器件通過針對性的加固設(shè)計與充分的地面模擬試驗，在保持工業(yè)級成本優(yōu)勢的同時，實現(xiàn)了與傳統(tǒng)航天級器件相當?shù)目臻g環(huán)境適應(yīng)能力。該器件基于32位RISC-V指令集架構(gòu)，工作主頻高達180 MHz，集成2 MiB帶ECC校驗的P-Flash、512 KiB帶ECC的SRAM及豐富的外設(shè)接口，為姿態(tài)控制系統(tǒng)提供了高度集成的解決方案。

2. 低軌衛(wèi)星姿態(tài)控制系統(tǒng)架構(gòu)與輻射敏感性分析

2.1 典型系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計

現(xiàn)代低軌衛(wèi)星姿態(tài)控制系統(tǒng)普遍采用分布式架構(gòu)，以主控MCU為核心計算節(jié)點，通過CAN FD總線或SpaceWire接口接入慣性測量單元（IMU）、磁強計、太陽敏感器、地球敏感器等前端傳感設(shè)備，形成"傳感器網(wǎng)絡(luò)-中央控制器-執(zhí)行機構(gòu)驅(qū)動"的三級拓撲結(jié)構(gòu)。AS32S601型MCU憑借其豐富的外設(shè)資源與計算能力，可單芯片實現(xiàn)上述功能集成，顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜度與元器件數(shù)量。

具體而言，該芯片的6路SPI接口支持高達30 MHz通信速率，可滿足高精度IMU數(shù)據(jù)實時采集需求，典型應(yīng)用采用三軸陀螺儀與三軸加速度計組合，采樣頻率不低于1 kHz。4路CAN FD控制器符合ISO 11898-1標準，支持2 Mbps高速率通信，確?？偩€數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇_定性時延，特別適用于多節(jié)點傳感器網(wǎng)絡(luò)的時間同步。4路USART模塊支持LIN模式與同步串口模式，便于與地面測試設(shè)備對接或?qū)崿F(xiàn)星務(wù)計算機的冗余通信鏈路。內(nèi)置3個12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）最多支持48通道模擬輸入，可直接采集模擬式太陽敏感器、溫度傳感器及電源監(jiān)測信號，減少外圍分立元件數(shù)量，提升系統(tǒng)集成度。

存儲架構(gòu)方面，該MCU配備2 MiB帶ECC校驗的P-Flash程序存儲器、512 KiB帶ECC的SRAM數(shù)據(jù)存儲器及獨立的512 KiB D-Flash數(shù)據(jù)閃存，采用哈佛結(jié)構(gòu)實現(xiàn)指令與數(shù)據(jù)總線物理分離。這種設(shè)計在輻射環(huán)境下具有天然優(yōu)勢：ECC校驗可自動糾正單位翻轉(zhuǎn)錯誤而無需軟件干預(yù)；雙Flash分區(qū)支持A/B面冗余備份，實現(xiàn)固件在軌更新（OTA）的掉電安全保護；SRAM的ECC覆蓋范圍包含緩存與寄存器文件，為實時操作系統(tǒng)（RTOS）的任務(wù)上下文保護提供了硬件基礎(chǔ)。

2.2 軌道輻射環(huán)境特征與試驗標準

LEO軌道輻射場主要由地球俘獲帶質(zhì)子（trapped protons）、銀河宇宙射線重離子（GCR heavy ions）及太陽質(zhì)子事件（SPE）構(gòu)成。器件考核需覆蓋最壞情況輻射環(huán)境。AS32S601型MCU的試驗驗證嚴格遵循航天標準：質(zhì)子單粒子效應(yīng)試驗選用100 MeV能量點，該能量位于LEO質(zhì)子能譜的峰值區(qū)域（50-200 MeV），能夠最大限度激發(fā)單粒子效應(yīng)；總劑量輻照試驗采用鈷-60 γ源，劑量率設(shè)定為25 rad(Si)/s，模擬長期累積效應(yīng)的同時避免低劑量率增強效應(yīng)（ELDRS）；脈沖激光試驗則通過雙光子吸收機制，在芯片有源區(qū)產(chǎn)生局域電荷沉積，等效重離子LET值覆蓋5-75 MeV·cm2/mg范圍，覆蓋了90%以上的空間重離子環(huán)境。

3. 抗輻照設(shè)計關(guān)鍵技術(shù)體系

3.1 單粒子效應(yīng)（SEE）防護技術(shù)體系

單粒子效應(yīng)是空間電子系統(tǒng)失效的首要因素，主要包括單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）、單粒子鎖定（SEL）、單粒子瞬態(tài)脈沖（SET）和單粒子功能中斷（SEFI）。AS32S601采用多層次加固策略，形成縱深防御體系。

器件級加固技術(shù) ：試驗數(shù)據(jù)顯示，在100 MeV質(zhì)子輻照下，當注量率達到1×10? p·cm?2·s?1、總注量達1×101? p·cm?2時，器件未發(fā)生SEL效應(yīng)，印證了保護結(jié)構(gòu)的有效性。脈沖激光試驗進一步表明，在等效LET=75 MeV·cm2/mg、注量1×10? cm?2的最壞情況下，僅觀測到可恢復(fù)的SEU事件，未發(fā)生永久性損傷，飽和翻轉(zhuǎn)截面約為1.2×10?? cm2。

電路級加固技術(shù) ：處理器內(nèi)核實施指令級冗余執(zhí)行。該MCU的SRAM與Flash均集成SEC-DED（單錯糾正雙錯檢測）ECC邏輯，可在不改變軟件流程的前提下自動糾正單位翻轉(zhuǎn)。JTAG調(diào)試接口作為單粒子敏感薄弱點，通過增加濾波電容與協(xié)議級超時重傳機制提升魯棒性。時鐘樹設(shè)計采用差分對布線，關(guān)鍵控制信號加入時間冗余采樣，有效抑制SET的傳播。

系統(tǒng)級加固技術(shù) ：控制周期內(nèi)設(shè)置三重表決點：傳感器數(shù)據(jù)表決采用加權(quán)平均算法，剔除偏離預(yù)測值超過3σ的異常數(shù)據(jù)；控制指令表決通過三路獨立計算通道實現(xiàn)；執(zhí)行機構(gòu)反饋表決則依賴硬件比較器。任一通道的瞬態(tài)錯誤均可被冗余通道屏蔽，系統(tǒng)級容錯覆蓋率達到99.6%以上。

3.2 總劑量效應(yīng)（TID）加固技術(shù)

總劑量效應(yīng)通過氧化物電荷積累與界面態(tài)產(chǎn)生，誘發(fā)閾值電壓漂移、跨導(dǎo)退化及泄漏電流增加。AS32S601的商業(yè)航天級加固技術(shù)體現(xiàn)在多個層面。

工藝加固措施 ：采用薄柵氧（<5nm）與氮化工藝降低電荷捕獲截面，淺槽隔離（STI）結(jié)構(gòu)優(yōu)化減少電場集中。試驗數(shù)據(jù)顯示，在150 krad(Si)累積劑量后，器件工作電流僅由135 mA降至132 mA，變化率小于2.3%，遠優(yōu)于QJ 10004A標準要求的小于20%容限。漏電流增加小于15%，表明柵氧完整性保持良好。

電路補償技術(shù) ：內(nèi)置Bandgap基準源與LDO均設(shè)計有輻射補償網(wǎng)絡(luò)，通過動態(tài)調(diào)整偏置電流抵消閾值漂移。ADC的參考電壓源在輻照后仍保持±3 LSB的偏移誤差，增益誤差小于±1.5%，確保遙測數(shù)據(jù)采集的精度不隨任務(wù)時間劣化。時鐘鎖相環(huán)（PLL）的VCO增益在輻照后自動校準，維持頻率穩(wěn)定度優(yōu)于±0.1%。

版圖加固策略 ：關(guān)鍵模擬電路采用環(huán)形布局，避免邊緣效應(yīng)；數(shù)字標準單元庫選用抗輻照單元（RH cell），通過增加接觸孔密度降低寄生電阻。試驗后的外觀檢測與電參數(shù)測試表明，器件在150 krad(Si)劑量后未出現(xiàn)性能退化的硬失效。50%過輻照（150 krad(Si)）后的室溫退火及168小時高溫退火（85°C）測試進一步驗證了器件的長期穩(wěn)定性，所有參數(shù)均滿足初始規(guī)范，界面態(tài)退火恢復(fù)率達95%以上。

3.3 功能安全與冗余管理

AS32S601按照ISO 26262 ASIL-B功能安全等級設(shè)計，其安全架構(gòu)對航天應(yīng)用具有重要借鑒意義。芯片集成5個內(nèi)存保護單元（MPU）、4個時鐘監(jiān)測模塊（CMU）及1個錯誤控制模塊（FCU），可實現(xiàn)分區(qū)隔離與故障收集。

分區(qū)隔離機制 ：將姿態(tài)控制任務(wù)劃分為安全關(guān)鍵分區(qū)（如控制律計算、PWM輸出）與非關(guān)鍵分區(qū)（如遙測組包、日志記錄），通過MPU設(shè)置不同的訪問權(quán)限。關(guān)鍵分區(qū)代碼運行在Flash的受保護區(qū)域，防止越區(qū)訪問導(dǎo)致的共模失效。SRAM劃分為安全棧與非安全棧，中斷向量表單獨分區(qū)保護。

故障收集與響應(yīng) ：FCU統(tǒng)一收集ECC糾錯事件、LVD低壓告警、CMU時鐘失效及看門狗超時信號，生成不可屏蔽中斷（NMI）觸發(fā)軟件恢復(fù)流程。NMI服務(wù)程序在2 μs內(nèi)響應(yīng)，執(zhí)行最小上下文保存并重啟關(guān)鍵任務(wù)，避免故障擴散。故障日志記錄于非易失性D-Flash，支持在軌故障診斷。

健康監(jiān)控與壽命預(yù)測 ：內(nèi)置溫度傳感器精度達±2°C（-40~125°C范圍），支持實時結(jié)溫監(jiān)測，防止因輻射誘導(dǎo)漏電流增加導(dǎo)致的局部過熱。通過統(tǒng)計MCESR（Memory Corrected Error Status Register）中的SEU計數(shù)，可建立在輻照健康評估模型，預(yù)測器件剩余壽命。

4. 試驗驗證與可靠性評估

4.1 質(zhì)子單粒子效應(yīng)試驗驗證

試驗在中國原子能科學(xué)研究院100 MeV質(zhì)子回旋加速器上開展，依據(jù)GJB 548B與GJB 9397-2018標準構(gòu)建測試回路。被測器件（DUT）配置為典型工作模式：內(nèi)核時鐘180 MHz，CANFD接口以2 Mbps速率周期性收發(fā)，F(xiàn)lash執(zhí)行控制算法循環(huán)，SRAM存儲實時姿態(tài)數(shù)據(jù)。監(jiān)測指標包括功能判定與電流判定。功能判定通過CANFD分析儀實時比對收發(fā)數(shù)據(jù)一致性，周期性地對Flash與SRAM進行擦寫校驗，確保存儲器功能正常。電流判定設(shè)置1.5倍工作電流閾值作為SEL告警門限，一旦超過立即斷電復(fù)位。

試驗結(jié)果表明，在100 MeV質(zhì)子、注量率1×10? p·cm?2·s?1條件下持續(xù)輻照至總注量1×101? p·cm?2，器件工作電流穩(wěn)定在135 mA±3%范圍，CAN通信誤碼率為零，F(xiàn)lash/RAM擦寫功能正常。未觀測到SEL事件，SEU事件通過ECC自動糾正未上報至應(yīng)用層，驗證了器件的SEE免疫能力。試驗后器件外觀無異常，鍵合線無熔斷，封裝無鼓包。

4.2 總劑量效應(yīng)試驗驗證

鈷-60 γ輻照試驗在北京大學(xué)技術(shù)物理系標準輻照場進行，劑量率25 rad(Si)/s，分階段累積至150 krad(Si)。采用shift-out測試方法，每累積50 krad(Si)進行一次完整電參數(shù)測試，測試間隔不超過72小時，符合QJ 10004A標準對退火效應(yīng)的控制要求。樣品加3.3V靜態(tài)偏置，真實模擬在軌工作條件。

電參數(shù)監(jiān)測覆蓋GPIO驅(qū)動能力、ADC轉(zhuǎn)換精度、LDO輸出電壓穩(wěn)定性、PLL頻率穩(wěn)定度等關(guān)鍵指標。數(shù)據(jù)顯示：直流參數(shù)方面，輸入上拉電阻RPU典型值48 kΩ，輻照后波動小于5%；低電平輸入電壓VIL保持小于1.2 V，邏輯電平容限未劣化。模擬參數(shù)方面，ADC的INL/DNL在2 Msps采樣率下保持±2.2/±1 LSB，溫度傳感器精度±2°C，滿足姿態(tài)熱控監(jiān)測需求。電源系統(tǒng)方面，內(nèi)部1.2V LDO在600 mA負載下調(diào)整率小于80 mV/A，線調(diào)整率小于15 mV/V，為內(nèi)核提供穩(wěn)定供電。

50%過輻照（150 krad(Si)）后的室溫退火及168小時高溫退火（85°C）測試進一步驗證了器件的長期穩(wěn)定性，所有參數(shù)均滿足初始規(guī)范，未出現(xiàn)參數(shù)漂移失效?？倓┝渴袚?jù)要求電參數(shù)變化不超過20%，實測數(shù)據(jù)顯著優(yōu)于標準要求。

4.3 脈沖激光單粒子效應(yīng)試驗驗證

脈沖激光試驗作為重離子試驗的有效補充，在位于中關(guān)村B481的實驗室完成。采用皮秒脈沖激光器（波長1064 nm，脈寬小于10 ps），通過雙光子吸收效應(yīng)在Umc55工藝節(jié)點的敏感區(qū)產(chǎn)生電荷包。試驗優(yōu)勢在于可精確定位敏感節(jié)點（精度小于5 μm）并快速掃描整個器件表面（3959×3959 μm2芯片面積），等效LET值通過調(diào)節(jié)激光能量實現(xiàn)。

試驗流程遵循GB/T 43967-2024與GJB 10761-2022標準，從初始能量120 pJ（LET=5 MeV·cm2/mg）逐步提升至1830 pJ（LET=75 MeV·cm2/mg），每能量點以1×10? cm?2注量全覆蓋掃描。關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)包括：

鎖定閾值 ：在最高LET=75 MeV·cm2/mg、電流監(jiān)測靈敏度100 mA條件下，未觸發(fā)SEL鎖定，證實了guard ring結(jié)構(gòu)的有效性。器件在激光掃描期間工作電流穩(wěn)定，未出現(xiàn)閂鎖特征性電流激增。

翻轉(zhuǎn)特征 ：在LET=65 MeV·cm2/mg、Y=495 μm、X=3840 μm坐標處觀測到CPU復(fù)位現(xiàn)象，經(jīng)診斷分析為配置寄存器的SEU所致。該翻轉(zhuǎn)屬于可恢復(fù)性軟錯誤，通過看門狗定時器（WDT）自動復(fù)位可在1 ms內(nèi)恢復(fù)，不影響長期任務(wù)連續(xù)性。翻轉(zhuǎn)截面符合Weibull分布模型。

注量效應(yīng) ：當注量提升至1×10? cm?2（10倍于規(guī)范要求）時，翻轉(zhuǎn)截面未出現(xiàn)非線性增長，表明器件未進入累積損傷區(qū)，未發(fā)生SEFI現(xiàn)象。該結(jié)果驗證了器件在長時間高注量環(huán)境下的可靠性。

脈沖激光試驗結(jié)果與質(zhì)子試驗數(shù)據(jù)形成交叉驗證，共同構(gòu)建了SEE敏感性模型的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)，為在軌故障率預(yù)測提供了高精度輸入?yún)?shù)。

5. 結(jié)論

本文通過系統(tǒng)的試驗驗證與工程實踐，證實AS32S601型MCU具備勝任低軌衛(wèi)星姿態(tài)控制任務(wù)的抗輻照能力。其關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新體現(xiàn)在三個方面：首先，通過器件級保護環(huán)、電路級ECC與系統(tǒng)級TMR的協(xié)同設(shè)計，在LET=75 MeV·cm2/mg下實現(xiàn)SEL免疫，SEU率滿足在軌任務(wù)要求；其次，質(zhì)子試驗、總劑量試驗與脈沖激光試驗形成多維度的數(shù)據(jù)互證，建立了覆蓋設(shè)計-制造-應(yīng)用全鏈條的質(zhì)量保證體系；最后，在180 MHz主頻下實現(xiàn)典型功耗135 mA，支持-40~+125°C工作溫度，符合商業(yè)航天低成本、快響應(yīng)的發(fā)展趨勢。

審核編輯 黃宇