深入剖析UCC2742x:高性能雙路MOSFET驅(qū)動器的卓越之選
在電子工程師的日常工作中,高性能的MOSFET驅(qū)動器是設(shè)計(jì)開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器等電路時不可或缺的關(guān)鍵組件。今天,我們就來深入探討德州儀器(TI)推出的 UCC2742x 系列雙路 4A 高速低端 MOSFET 驅(qū)動器,揭開它的神秘面紗。
文件下載:ucc27425.pdf
產(chǎn)品概覽
UCC2742x 系列包含 UCC27423、UCC27424 和 UCC27425 三款產(chǎn)品,為工程師提供了三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng),分別是雙反相、雙同相以及一個反相和一個同相驅(qū)動器。其采用熱增強(qiáng)型 8 引腳 PowerPAD? MSOP 封裝(DGN),有效降低了熱阻,顯著提升了長期可靠性。同時,也提供標(biāo)準(zhǔn)的 SOIC - 8(D)或 PDIP - 8(P)封裝,方便不同應(yīng)用場景的選擇。
特性亮點(diǎn)
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局:與市場上常見的驅(qū)動器引腳兼容,便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)和升級。
- 使能功能:每個驅(qū)動器都具備獨(dú)立的使能輸入(ENBA 和 ENBB),增強(qiáng)了對驅(qū)動應(yīng)用操作的控制能力。使能引腳內(nèi)部通過 100kΩ 電阻上拉至 (V_{DD}),采用高電平有效邏輯,默認(rèn)狀態(tài)下可浮空以啟用驅(qū)動器。
- 高電流驅(qū)動能力:能夠提供 ±4A 的峰值電流,可輕松滿足大多數(shù)功率 MOSFET 的驅(qū)動需求。獨(dú)特的雙極和 CMOS 混合輸出級設(shè)計(jì),在 MOSFET 米勒閾值期間能提供高電流,確保高效的開關(guān)轉(zhuǎn)換。
- TTL/CMOS 兼容輸入:輸入閾值與 3.3V 邏輯兼容,獨(dú)立于電源電壓,可直接與微控制器等數(shù)字電路連接,同時具備較寬的滯回特性,增強(qiáng)了抗噪能力。
- 快速開關(guān)速度:典型上升時間為 20ns,典型下降時間為 15ns(負(fù)載為 1.8nF),典型傳播延遲時間分別為輸入下降沿 25ns 和輸入上升沿 35ns,能夠適應(yīng)高速開關(guān)應(yīng)用。
- 寬電源電壓范圍:支持 4V 至 15V 的電源電壓,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性。
- 可并聯(lián)輸出:雙路輸出可以并聯(lián)使用,以提供更高的驅(qū)動電流,滿足更大功率負(fù)載的需求。
應(yīng)用領(lǐng)域
UCC2742x 適用于多種應(yīng)用場景,包括開關(guān)電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、線路驅(qū)動器以及 D 類開關(guān)放大器等。在這些應(yīng)用中,驅(qū)動器需要快速、高效地驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT 等開關(guān)器件,而 UCC2742x 的高性能特性正好滿足了這些需求。
詳細(xì)規(guī)格解析
絕對最大額定值
在設(shè)計(jì)電路時,必須嚴(yán)格遵守器件的絕對最大額定值,以確保器件的安全和可靠性。UCC2742x 的絕對最大額定值包括:
- 電源電壓 (V_{DD}):-0.3V 至 16V。
- 輸出直流電流 (I_{OUT_DC}):最大 0.2A。
- 脈沖輸出電流 (I_{OUT_PULSED}):最大 4.5A(脈沖寬度 0.5μs)。
- 輸入電壓 (V_{IN})(INA 和 INB):-5V 至 6V 或 (V_{DD}+ 0.3V)(取較大值)。
- 使能電壓 (V_{EN})(ENBA 和 ENBB):-0.3V 至 6V 或 (V_{DD}+ 0.3V)(取較大值)。
- 功耗:不同封裝的功耗限制不同,如 DGN 封裝在 (T_A = 25°C) 時為 3W,D 封裝為 650mW,P 封裝為 350mW。
- 結(jié)溫 (T_J):-55°C 至 150°C。
- 引腳焊接溫度:300°C(焊接時間 10s)。
- 存儲溫度 (T_{stg}):-65°C 至 150°C。
靜電放電(ESD)額定值
UCC2742x 具有一定的 ESD 防護(hù)能力,人體模型(HBM)為 ±2000V,帶電設(shè)備模型(CDM)為 ±1000V。在使用過程中,仍需注意靜電防護(hù)措施,避免 ESD 損壞器件。
推薦工作條件
為了確保器件的最佳性能,推薦的工作條件如下:
- 電源電壓 (V_{DD}):4V 至 15V。
- 輸入電壓 (V_{IN})(INA 和 INB):-2V 至 15V。
- 使能電壓 (V_{EN})(ENBA 和 ENBB):0V 至 15V。
- 結(jié)溫 (T_J):-40°C 至 125°C。
熱性能信息
| 熱性能是評估驅(qū)動器性能的重要指標(biāo)之一。UCC2742x 不同封裝的熱阻特性如下: | 封裝類型 | (R_{θJA})(°C/W) | (R_{θJC(top)})(°C/W) | (R_{θJB})(°C/W) | (ψ_{JT})(°C/W) | (ψ_{JB})(°C/W) | (R_{θJC(bot)})(°C/W) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOIC - 8(D) | 107.3 | 52.2 | 47.3 | 10.2 | 46.8 | - | |
| MSOP - 8 PowerPAD(DGN) | 56.6 | 52.8 | 32.6 | 1.8 | 32.3 | 5.9 | |
| PDIP - 8(P) | 55.5 | 45.3 | 32.6 | 23.0 | 32.5 | - |
從熱阻數(shù)據(jù)可以看出,MSOP PowerPAD 封裝在散熱方面具有明顯優(yōu)勢,能夠有效降低結(jié)溫,提高器件的可靠性和穩(wěn)定性。
電氣特性
UCC2742x 的電氣特性涵蓋了輸入、輸出、開關(guān)時間和使能等多個方面,以下是一些關(guān)鍵參數(shù):
- 輸入閾值:邏輯 1 輸入閾值 (V_{INH}) 典型值為 2.2V,邏輯 0 輸入閾值 (V{IN_L}) 典型值為 1.2V。
- 輸出電流:在 (V_{DD}= 14V) 時,輸出電流典型值為 4A。
- 輸出電阻:高電平輸出電阻 (R{OH}) 典型值為 1.2Ω,低電平輸出電阻 (R{OL}) 典型值為 0.7Ω。
- 開關(guān)時間:在負(fù)載電容 (C_{LOAD}= 1.8nF) 時,上升時間 (t_r) 典型值為 20ns,下降時間 (t_f) 典型值為 15ns。
- 使能特性:高電平輸入電壓 (V_{INH}) 典型值為 2.4V,低電平輸入電壓 (V{IN_L}) 典型值為 1.8V,滯回電壓典型值為 0.55V。
功能模塊詳解
使能功能
UCC2742x 提供了兩個獨(dú)立的使能輸入(ENBA 和 ENBB),用于控制每個驅(qū)動器通道的操作。使能引腳內(nèi)部上拉至 (V_{DD}),采用高電平有效邏輯。當(dāng)使能引腳為高電平時,驅(qū)動器啟用;當(dāng)使能引腳為低電平時,驅(qū)動器禁用,輸出狀態(tài)為低電平,與輸入狀態(tài)無關(guān)。
在實(shí)際應(yīng)用中,如果使能引腳浮空,建議將 PCB 走線盡量縮短,以減少噪聲干擾。如果 PCB 布局不理想,導(dǎo)致存在較大噪聲,建議將使能引腳連接到 (V_{CC}) 或添加一個 0.1μF 的濾波電容。使能輸入既可以直接連接邏輯信號,也可以通過在 ENBA、ENBB 和 AGND 之間連接電容來實(shí)現(xiàn)上電延遲功能。
輸入級
輸入級的閾值在整個 (V{DD}) 電壓范圍內(nèi)具有 3.3V 邏輯靈敏度,能夠兼容 0 至 (V{DD}) 的信號。UCC2742x 驅(qū)動器的輸入能夠承受 500mA 的反向電流而不會損壞 IC,確保了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。
在設(shè)計(jì)中,輸入信號的上升或下降時間應(yīng)盡量短,通常在典型的電源應(yīng)用中,輸入信號由 PWM 控制器或邏輯門提供,其過渡時間小于 200ns,能夠滿足這一要求。需要注意的是,輸入級作為數(shù)字門,不適合用于通過緩慢變化的輸入電壓來觸發(fā)開關(guān)輸出的應(yīng)用場景,否則可能會導(dǎo)致輸出高頻反復(fù)切換。如果需要限制功率器件的上升或下降時間,可以在驅(qū)動器輸出和負(fù)載(通常為功率 MOSFET 柵極)之間添加一個外部電阻,同時該電阻還可以幫助降低器件封裝的功耗。
輸出級
UCC2742x 的輸出級能夠提供 ±4A 的峰值電流脈沖,輸出電壓可在 (V_{DD}) 和 GND 之間擺動。UCC27423 的反相輸出和 UCC27425 的 OUTA 引腳適用于驅(qū)動外部 P 溝道 MOSFET;UCC27424 的同相輸出和 UCC27425 的 OUTB 引腳適用于驅(qū)動外部 N 溝道 MOSFET。
輸出級的上拉/下拉電路由雙極晶體管和 MOSFET 晶體管并聯(lián)組成,峰值輸出電流額定值是兩者電流的總和。當(dāng)驅(qū)動器輸出電壓小于雙極晶體管的飽和電壓時,輸出電阻為 MOSFET 晶體管的 (R_{DS(on)})。此外,輸出級對外部 MOSFET 體二極管引起的過沖和下沖具有很低的阻抗,在很多情況下無需外部肖特基鉗位二極管,提高了電路的效率和可靠性。
器件功能模式
UCC2742x 的輸出狀態(tài)取決于 (V{DD}) 電源電壓以及輸入引腳(ENBA、ENBB、INA 和 INB)的狀態(tài)。具體邏輯關(guān)系可參考數(shù)據(jù)手冊中的真值表。需要特別注意的是,如果 INA 和 INB 引腳不使用,必須將其連接到 (V{DD}) 或 GND,嚴(yán)禁浮空,以避免出現(xiàn)異常操作。
應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
應(yīng)用信息
在高頻電源系統(tǒng)中,通常需要高速、高電流的驅(qū)動器來驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT 等開關(guān)器件。UCC2742x 系列驅(qū)動器非常適合這類應(yīng)用,它可以在控制 IC 的 PWM 輸出和主功率開關(guān)器件的柵極之間提供一個高功率緩沖級,提高系統(tǒng)的開關(guān)性能。此外,在同步整流電源中,驅(qū)動器還可以同時驅(qū)動多個器件,滿足大負(fù)載的需求。
典型應(yīng)用設(shè)計(jì)
器件選擇
在選擇 UCC2742x 系列的具體器件時,首先要根據(jù)輸出邏輯的要求進(jìn)行選擇。UCC27423 具有雙反相輸出,UCC27424 具有雙同相輸出,UCC27425 則包含一個反相通道 A 和一個同相通道 B。同時,還需要考慮 (V_{DD}) 電源電壓、驅(qū)動電流和功率耗散等因素。
米勒平臺期間的源和灌電流能力
大型功率 MOSFET 在開關(guān)過程中,米勒平臺期間需要較大的電流來對柵極電容進(jìn)行充電和放電。UCC2742x 驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì),能夠在該區(qū)域提供最大驅(qū)動電流。通過特定的測試電路可以驗(yàn)證其源和灌電流能力,例如在輸出鉗位在 5V 左右時,UCC2742x 在 (V{DD}= 15V) 時可灌電流 4.5A,在 (V{DD}= 12V) 時可灌電流 4.28A;在同樣輸出鉗位條件下,在 (V{DD}= 15V) 時可源電流 4.8A,在 (V{DD}= 12V) 時可源電流 3.7A。
并聯(lián)輸出
UCC2742x 的 A 和 B 驅(qū)動器可以通過將 INA 和 INB 輸入引腳連接在一起,OUTA 和 OUTB 輸出引腳連接在一起,實(shí)現(xiàn)并聯(lián)操作。這樣可以由單個信號控制并聯(lián)組合,提供更高的驅(qū)動電流。在進(jìn)行并聯(lián)設(shè)計(jì)時,需要注意 PCB 布局,將 INA 和 INB、OUTA 和 OUTB 盡可能短地連接到器件引腳附近,以減小通道之間的寄生失配。同時,輸入信號的斜率應(yīng)足夠快,建議大于 20V/μs,以避免通道之間的 (V_{INH} / V{INL})、(t{d1} / t_{d2}) 等參數(shù)不匹配。
(V_{DD}) 電源設(shè)計(jì)
盡管 UCC2742x 的靜態(tài) (V{DD}) 電流非常低,但總電源電流會隨著 OUTA 和 OUTB 輸出電流以及編程振蕩器頻率的增加而升高???(V{DD}) 電流等于靜態(tài) (V{DD}) 電流和平均輸出電流之和。平均輸出電流可以根據(jù)開關(guān)頻率和 MOSFET 柵極電荷 (Q{g}) 進(jìn)行計(jì)算。
為了獲得最佳的高速電路性能,建議在 (V{DD}) 和 GND 引腳之間使用兩個旁路電容。一個 0.1μF 的陶瓷電容應(yīng)盡可能靠近 (V{DD}) 到地的連接,用于高頻濾波;另一個較大容量(如 1μF)、低 ESR 的電容應(yīng)與之并聯(lián),以提供高電流峰值。這兩個電容的并聯(lián)組合應(yīng)在驅(qū)動器應(yīng)用的預(yù)期電流水平下呈現(xiàn)低阻抗特性。
驅(qū)動電流和功率需求
UCC2742x 驅(qū)動器能夠在幾百納秒的時間內(nèi)為 MOSFET 柵極提供 4A 的電流,以實(shí)現(xiàn)快速的器件導(dǎo)通和關(guān)斷。在驅(qū)動電容性負(fù)載時,需要從偏置電源提供一定的能量來對電容進(jìn)行充電和放電,這將導(dǎo)致一定的功率損耗。功率損耗可以通過公式 (P = fCV^2) 進(jìn)行計(jì)算,其中 (f) 為開關(guān)頻率,(C) 為負(fù)載電容,(V) 為偏置電壓。
在實(shí)際應(yīng)用中,需要考慮 MOSFET 的柵極電荷 (Q{g}),將其轉(zhuǎn)換為等效電容 (C{eff}=Q_{g}/V),然后計(jì)算所需的偏置功率。同時,還需要考慮 IC 內(nèi)部的功耗,確保電源能夠提供足夠的功率。
電源供應(yīng)建議
UCC2742x 的推薦偏置電源電壓范圍為 4V 至 15V,考慮到 (V_{DD}) 的絕對最大電壓額定值為 16V,應(yīng)保留適當(dāng)?shù)挠嗔恳詰?yīng)對瞬態(tài)電壓尖峰。
在 (V{DD}) 和 GND 引腳之間應(yīng)放置一個局部旁路電容,且該電容應(yīng)盡可能靠近器件。建議使用低 ESR 的陶瓷表面貼裝電容,TI 推薦在 (V{DD}) 和 GND 之間使用兩個電容:一個 100nF 的陶瓷表面貼裝電容用于高頻濾波,放置在非常靠近 (V_{DD}) 和 GND 引腳的位置;另一個 220nF 至 10μF 的表面貼裝電容用于滿足 IC 的偏置需求。
布局設(shè)計(jì)要點(diǎn)
布局準(zhǔn)則
合理的 PCB 布局對于實(shí)現(xiàn)門驅(qū)動器的最佳性能至關(guān)重要。以下是一些布局要點(diǎn):
- 電容放置:在 (V{DD}) 和 GND 引腳之間連接低 ESR/ESL 的電容,應(yīng)盡可能靠近 IC,以支持外部 MOSFET 導(dǎo)通時從 (V{DD}) 汲取的高峰值電流。
- 接地設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)接地連接時,首要任務(wù)是將對 MOSFET 柵極進(jìn)行充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理區(qū)域內(nèi),以降低環(huán)路電感,減少 MOSFET 柵極端子上的噪聲問題。建議采用星型接地方式,將驅(qū)動器的 GND 連接到其他電路節(jié)點(diǎn)(如功率 MOSFET 的源極和 PWM 控制器的地)在一個單點(diǎn)上,并且連接路徑應(yīng)盡可能短,以減少電感。使用接地平面可以提供噪聲屏蔽,但接地平面不應(yīng)成為任何電流環(huán)路的傳導(dǎo)路徑,應(yīng)通過單根走線連接到星型接地點(diǎn)以建立接地電位。此外,接地平面還可以幫助散熱。
- 輸入處理:在噪聲環(huán)境中,對于未使用的通道輸入引腳,應(yīng)使用短走線將其連接到 (V_{DD}) 或 GND,以確保輸出啟用并防止噪聲導(dǎo)致輸出故障。
- 信號分離:應(yīng)將功率走線和信號走線分開,例如將輸出和輸入信號分開,以避免相互干擾。
布局示例
文檔中提供了一個推薦的 PCB 布局示例,展示了如何合理安排 UCC2742x 器件、旁路電容、外部柵極電阻和負(fù)載等元件的位置,以及如何進(jìn)行
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