探索SN74AUC1G66單雙邊模擬開(kāi)關(guān)：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
探索SN74AUC1G66單雙邊模擬開(kāi)關(guān)：特性、參數(shù)與應(yīng)用解析
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，模擬開(kāi)關(guān)是一種常見(jiàn)且關(guān)鍵的元件，它能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)的切換、選通等功能。今天要給大家詳細(xì)介紹的是德州儀器（TI）的SN74AUC1G66單雙邊模擬開(kāi)關(guān)，它具有諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
文件下載：sn74auc1g66.pdf
特性亮點(diǎn)
先進(jìn)的封裝技術(shù)
SN74AUC1G66采用了德州儀器的NanoFree?封裝技術(shù)，這可是IC封裝概念上的重大突破。它直接將裸片作為封裝，這種設(shè)計(jì)不僅減小了封裝尺寸，還能提升電氣性能。想象一下，在如今追求小型化、高密度的電子設(shè)備中，這種封裝技術(shù)能為設(shè)計(jì)帶來(lái)多大的便利！
寬電壓范圍與低功耗
該模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓（$V{CC}$）范圍為0.8 V至2.7 V，甚至在低于1 V的電壓下也能正常工作，這使得它在一些低電壓供電的系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。同時(shí)，它的功耗極低，最大$I{CC}$僅為10 μA，對(duì)于那些對(duì)功耗敏感的應(yīng)用，如便攜式設(shè)備，無(wú)疑是一個(gè)理想的選擇。
高速與低阻抗
SN74AUC1G66具有高速的開(kāi)關(guān)特性，在$V{CC}=1.8 V$、$C{L}=15 pF$的條件下，最大延遲僅為0.2 ns。此外，它的導(dǎo)通狀態(tài)阻抗較低，在$V_{CC}=2.3 V$時(shí)，典型值為9 Ω。高速和低阻抗的特性使得它能夠快速、準(zhǔn)確地切換信號(hào)，減少信號(hào)失真。
高可靠性
這款模擬開(kāi)關(guān)在抗閂鎖和靜電放電（ESD）保護(hù)方面表現(xiàn)出色。其閂鎖性能超過(guò)了JESD 78標(biāo)準(zhǔn)的Class II要求，ESD保護(hù)也超過(guò)了JESD 22標(biāo)準(zhǔn)，包括2000-V人體模型（A114 - A）、200-V機(jī)器模型（A115 - A）和1000-V充電設(shè)備模型（C101）。這意味著它在復(fù)雜的電磁環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地工作，降低了因靜電等因素導(dǎo)致?lián)p壞的風(fēng)險(xiǎn)。
詳細(xì)參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| $V_{CC}$ | 電源電壓范圍 | -0.5 | 3.6 | V |
| $V_{I}$ | 輸入電壓范圍 | -0.5 | 3.6 | V |
| $V_{I/O}$ | 開(kāi)關(guān)I/O電壓范圍 | -0.5 | $V_{CC}$ + 0.5 | V |
| $I_{IK}$ | 控制輸入鉗位電流（$V_{I}$ < 0） | -50 | mA | |
| $I_{IOK}$ | I/O端口二極管電流（$V{I/O}$ < 0 或 $V{I/O}$ > $V_{CC}$） | ±50 | mA | |
| $I_{T}$ | 導(dǎo)通狀態(tài)開(kāi)關(guān)電流（$V{I/O}$ = 0 至 $V{CC}$） | ±50 | mA | |
| 連續(xù)通過(guò)$V_{CC}$或GND的電流 | ±100 | mA | ||
| $θ_{JA}$ | 封裝熱阻（DBV封裝） | 206 | °C/W | |
| （DCK封裝） | 252 | °C/W | ||
| （DRY封裝） | 234 | °C/W | ||
| （YZP封裝） | 123 | °C/W | ||
| $T_{stg}$ | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -65 | 150 | °C |
這些絕對(duì)最大額定值為我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)提供了安全邊界，確保在正常使用過(guò)程中不會(huì)因電壓、電流等參數(shù)超出范圍而損壞器件。
推薦工作條件
| 參數(shù) | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| $V_{CC}$ | 電源電壓 | 0.8 | 2.7 | V |
| $V_{IH}$ | 高電平輸入電壓（$V_{CC}$ = 1.1 V 至 1.95 V） | 0.65 × $V_{CC}$ | V | |
| （$V_{CC}$ = 2.3 V 至 2.7 V） | 1.7 | V | ||
| $V_{IL}$ | 低電平輸入電壓（$V_{CC}$ = 1.1 V 至 1.95 V） | 0.35 × $V_{CC}$ | V | |
| （$V_{CC}$ = 2.3 V 至 2.7 V） | 0.7 | V | ||
| $V_{I/O}$ | I/O端口電壓 | 0 | $V_{CC}$ | V |
| $V_{I}$ | 控制輸入電壓 | 0 | 3.6 | V |
| $Delta t/Delta v$ | 輸入轉(zhuǎn)換上升或下降速率 | 20 | ns/V | |
| $T_{A}$ | 工作環(huán)境溫度 | -40 | 85 | °C |
在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們應(yīng)盡量讓器件工作在推薦工作條件范圍內(nèi)，以保證其性能的穩(wěn)定性和可靠性。
電氣特性
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | $V_{CC}$ | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $r_{on}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 或 GND，$I_{S}$ = 4 mA | 1.65 V | 10 | 20 | Ω | |
| $V{C}$ = $V{IH}$，$I_{S}$ = 8 mA | 2.3 V | 9 | 15 | Ω | ||
| $r_{on(p)}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 至 GND，$I_{S}$ = 4 mA | 1.65 V | 32 | 80 | Ω | |
| $V{C}$ = $V{IH}$，$I_{S}$ = 8 mA | 2.3 V | 15 | 20 | Ω | ||
| $I_{S(off)}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 且 $V{O}$ = GND，或 ±1；$V{I}$ = GND 且 $V{O}$ = $V{CC}$，$V{C}$ = $V{IL}$ | 2.7 V | ±0.1 | μA | ||
| $I_{S(on)}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 或 GND，$V{C}$ = $V{IH}$，$V_{O}$ = 開(kāi)路 | 2.7 V | ±0.1 | ±1 | μA | |
| $I_{I}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 或 GND | 0 至 2.7 V | ±5 | μA | ||
| $I_{CC}$ | $V{I}$ = $V{CC}$ 或 GND，$I_{O}$ = 0 | 0.8 V 至 2.7 V | 10 | μA | ||
| $C_{ic}$ | 控制輸入電容 | 2.5 V | 2 | pF | ||
| $C_{io(off)}$ | 開(kāi)關(guān)輸入/輸出電容（關(guān)態(tài)） | 2.5 V | 3.5 | pF | ||
| $C_{io(on)}$ | 開(kāi)關(guān)輸入/輸出電容（開(kāi)態(tài)） | 2.5 V | 7 | pF |
這些電氣特性參數(shù)詳細(xì)描述了模擬開(kāi)關(guān)在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如導(dǎo)通電阻、泄漏電流、電容等。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)選擇合適的參數(shù)。
開(kāi)關(guān)特性
開(kāi)關(guān)特性對(duì)于模擬開(kāi)關(guān)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，它直接影響到信號(hào)的傳輸速度和質(zhì)量。在不同的負(fù)載電容（$C_{L}$）和電源電壓條件下，SN74AUC1G66的開(kāi)關(guān)特性如下：
$C_{L}$ = 15 pF 時(shí)
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | $V_{CC}$ = 0.8 V（典型值） | $V_{CC}$ = 1.2 V | $V_{CC}$ = 1.5 V | $V_{CC}$ = 1.8 V | $V_{CC}$ = 2.5 V | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 最大值 | |||||
| $t_{pd}$(1) | A 或 B | B 或 A | 0.9 | 0.3 | 0.2 | 0.2 | ns | ||||
| $t_{en}$ | C | A 或 B | 4.1 | 0.5 | 2.6 | 0.5 | 1.7 | 0.5 | ns | ||
| $t_{dis}$ | C | A 或 B | 5 | 0.7 | 3.6 | 0.5 | 2.6 | 0.5 | ns |
$C_{L}$ = 30 pF 時(shí)
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | $V_{CC}$ = 1.8 V ± 0.15 V | $V_{CC}$ = 2.5 V ± 0.2 V | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 最大值 | ||||
| $t_{pd}$(1) | A 或 B | B 或 A | 0.3 | 0.3 | ns | |||
| $t_{en}$ | C | A 或 B | 0.5 | 1.4 | 2.3 | 0.8 | 1.4 | ns |
| $t_{dis}$ | C | A 或 B | 0.5 | 1.7 | 2.9 | 0.5 | 1.5 | ns |
從這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)中，我們可以看出負(fù)載電容和電源電壓對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間有顯著影響。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)信號(hào)的傳輸要求和電路的負(fù)載情況來(lái)合理選擇電源電壓和負(fù)載電容。
模擬開(kāi)關(guān)特性
頻率響應(yīng)
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | 測(cè)試條件 | $V_{CC}$ | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 頻率響應(yīng)（開(kāi)關(guān)導(dǎo)通） | A 或 B | B 或 A | $C{L}$ = 50 pF，$R{L}$ = 600 Ω，$f_{in}$ = 正弦波 | 0.8 V | 60 | MHz |
| 1.1 V | 60 | MHz | ||||
| 1.4 V | 80 | MHz | ||||
| 1.65 V | 120 | MHz | ||||
| 2.3 V | 170 | MHz | ||||
| $C{L}$ = 5 pF，$R{L}$ = 50 Ω，$f_{in}$ = 正弦波 | 0.8 V | >500 | MHz | |||
| 1.1 V | >500 | MHz |
串?dāng)_
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | 測(cè)試條件 | $V_{CC}$ | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 串?dāng)_（控制輸入到信號(hào)輸出） | C | A 或 B | $C{L}$ = 50 pF，$R{L}$ = 600 Ω，$f_{in}$ = 1 MHz（方波） | 1.1 V | 14 | mV |
| 1.4 V | 15 | mV | ||||
| 1.65 V | 16 | mV | ||||
| 2.3 V | 20 | mV |
直通衰減
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | 測(cè)試條件 | $V_{CC}$ | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 直通衰減（開(kāi)關(guān)關(guān)斷） | A 或 B | B 或 A | $C{L}$ = 50 pF，$R{L}$ = 600 Ω，$f_{in}$ = 1 MHz（正弦波） | 0.8 V | -60 | dB |
| 1.1 V | -60 | dB | ||||
| 1.4 V | -60 | dB | ||||
| 1.65 V | -60 | dB | ||||
| 2.3 V | -60 | dB | ||||
| $C{L}$ = 5 pF，$R{L}$ = 50 Ω，$f_{in}$ = 1 MHz（正弦波） | 0.8 V | -55 | dB | |||
| 1.1 V | -55 | dB | ||||
| 1.4 V | -55 | dB | ||||
| 1.65 V | -55 | dB |
正弦波失真
| 參數(shù) | 輸入 | 輸出 | 測(cè)試條件 | $V_{CC}$ | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正弦波失真 | A 或 B | B 或 A | $C{L}$ = 50 pF，$R{L}$ = 10 kΩ，$f_{in}$ = 1 kHz（正弦波） | 0.8 V | 7.5 | % |
| 1.1 V | 0.16 | % | ||||
| 1.4 V | 0.04 | % | ||||
| 1.65 V | 0.03 | % | ||||
| 2.3 V | 0.02 | % | ||||
| $C{L}$ = 50 pF，$R{L}$ = 10 kΩ，$f_{in}$ = 10 kHz（正弦波） | 0.8 V | 4.2 | % | |||
| 1.1 V | 0.2 | % | ||||
| 1.4 V | 0.03 | % | ||||
| 1.65 V | 0.02 | % | ||||
| 2.3 V | 0.02 | % |
這些模擬開(kāi)關(guān)特性參數(shù)反映了SN74AUC1G66在不同頻率、不同負(fù)載條件下的信號(hào)傳輸性能。例如，頻率響應(yīng)參數(shù)告訴我們?cè)撃M開(kāi)關(guān)能夠處理的信號(hào)頻率范圍，串?dāng)_參數(shù)則體現(xiàn)了控制信號(hào)對(duì)輸出信號(hào)的干擾程度。在設(shè)計(jì)對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求較高的電路時(shí)，我們需要重點(diǎn)關(guān)注這些參數(shù)。
應(yīng)用場(chǎng)景
SN74AUC1G66的出色特性使其適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，常見(jiàn)的應(yīng)用包括：
信號(hào)選通與斬波
在需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行選通或斬波的電路中，SN74AUC1G66可以快速、準(zhǔn)確地切換信號(hào)路徑，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的選通和斬波功能。比如在一些測(cè)試測(cè)量設(shè)備中，通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)可以選擇不同的信號(hào)源進(jìn)行測(cè)量。
調(diào)制與解調(diào)
在調(diào)制解調(diào)器等通信設(shè)備中，模擬開(kāi)關(guān)可以用于信號(hào)的調(diào)制和解調(diào)過(guò)程。它能夠在不同的信號(hào)之間進(jìn)行切換，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制和解調(diào)功能，確保通信信號(hào)的準(zhǔn)確傳輸。
信號(hào)復(fù)用
在模擬 - 數(shù)字和數(shù)字 - 模擬轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，SN74AUC1G66可用于信號(hào)的復(fù)用。通過(guò)模擬開(kāi)關(guān)，可以將多個(gè)信號(hào)進(jìn)行選擇和切換，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的復(fù)用功能，提高系統(tǒng)的效率和性能。
總結(jié)
SN74AUC1G66單雙邊模擬開(kāi)關(guān)以其先進(jìn)的封裝技術(shù)、寬電壓范圍、低功耗、高速、低阻抗等出色特性，以及豐富的
-
模擬開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
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SN74AUC1G66 單路雙向模擬開(kāi)關(guān)
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