新品發(fā)布

溝槽型SiC-MOSFET晶圓（左）溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片（右）

三菱電機(jī)集團(tuán)于今日（2026年1月14日）宣布，將于1月21日開始提供4款全新溝槽型1SiC-MOSFET裸芯片（未封裝在封裝材料中的芯片），該芯片專為電動汽車（EV）主驅(qū)逆變器2，車載充電器3以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源的功率系統(tǒng)等中的功率器件而設(shè)計。這些新型功率半導(dǎo)體裸芯片適用于在各種功率器件中進(jìn)行封裝，且在保持性能的同時降低功耗。三菱電機(jī)將于1月21日至23日在東京舉行的第40 屆日本Nepcon研發(fā)與制造展上展出全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸片，并將在北美、歐洲、中國、印度及其他地區(qū)參展。

隨著全球為實現(xiàn)脫碳目標(biāo)而做出的努力，功率器件市場預(yù)計將會擴(kuò)大。作為這一趨勢的一部分，對嵌入高性能功率半導(dǎo)體的需求正在增長。高效的功率芯片使電動汽車主驅(qū)逆變器和可再生能源供系統(tǒng)等在保持高性能和高品質(zhì)的同時降低能耗。

自2010年以來，三菱電機(jī)開始銷售SiC功率半導(dǎo)體模塊，這些模塊能夠顯著降低空調(diào)、工業(yè)設(shè)備和鐵路車輛逆變系統(tǒng)的能耗。為滿足對先進(jìn)功率半導(dǎo)體裸芯片的需求，三菱電機(jī)現(xiàn)推出了4款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片，這些芯片與三菱電機(jī)現(xiàn)有溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片類似4，但是對溝槽柵型SiC-MOSFET結(jié)構(gòu)進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化，與平面柵型5SiC-MOSFET相比，功率損耗降低約50%6。此外，三菱電機(jī)專有的柵極氧化膜制造方法等制造工藝可抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻的變化，能夠確保長期使用中的可靠性。

產(chǎn) 品 特 點

4款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片，滿足功率器件中多樣化的嵌入需求

這4款全新裸芯片擴(kuò)大了三菱電機(jī)SiC-MOSFET裸芯片在功率器件中的應(yīng)用范圍，包括電動汽車牽主驅(qū)逆變器、車載充電器和可再生能源供電系統(tǒng)等。

對現(xiàn)有溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，可降低功耗

溝槽柵型SiC-MOSFET結(jié)構(gòu)利用了在制造Si基功率半導(dǎo)體裸芯片過程中培育的微型化技術(shù)，與傳統(tǒng)的平面柵型SiC-MOSFET相比，有效降低了導(dǎo)通電阻。與傳統(tǒng)的垂直離子注入法相比，三菱電機(jī)特有的傾斜離子注入法可降低芯片開關(guān)損耗。與平面柵型SiC-MOSFET相比，功率損耗降低約50%6，從而有助于降低功率器件的功耗。

特有制造工藝助力功率器件保持品質(zhì)

這些裸芯片采用了針對SiC MOSFET的基于20多年來對平面柵型SiC-MOSFET和SiC-SBD的研究和制造經(jīng)驗7以及包括用于溝槽柵型SiC-MOSFET的獨特柵極氧化膜制造方法在內(nèi)的專有制造工藝。這些技術(shù)有助于抑制因反復(fù)開關(guān)而產(chǎn)生的功率損耗和導(dǎo)通電阻的變化，從而確保功率器件的長期穩(wěn)定質(zhì)量和性能。

主要規(guī)格

網(wǎng)站

有關(guān)功率器件的更多信息，請訪問www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/

1 一種在在晶圓表面蝕刻出溝槽（凹槽）并嵌入柵電極的特殊結(jié)構(gòu)。

2 用于直接驅(qū)動電動汽車和混合動力汽車主驅(qū)電機(jī)的功率變換設(shè)備。

3 電動汽車/插電式混合動力汽車中安裝的一種用于將外部交流電源轉(zhuǎn)換為直流電以進(jìn)行車輛電池的充電的充電設(shè)備。

4 2024 年 11 月 12 日公布：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/

5 一種柵電極置于晶圓的表面之上的結(jié)構(gòu)。

6 將閾值電壓調(diào)整至與現(xiàn)有同電壓等級平面柵型MOSFET相同后，對導(dǎo)通電阻進(jìn)行比較。

7 一種利用半導(dǎo)體材料與金屬材料交界處形成的肖特基勢壘工作的二極管。

8 電氣及電子設(shè)備中某些有害物質(zhì)的使用限制。

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財年，集團(tuán)營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有70年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。