輸出電壓可調(diào)與高精度

通過電阻可實現(xiàn)單輸出或雙輸出電壓的調(diào)節(jié)，并且在整個工作范圍內(nèi)調(diào)節(jié)精度小于 ± 1.3%，為不同應(yīng)用提供了靈活的電源解決方案。

低電磁輻射與多重保護

采用擴頻調(diào)制和集成變壓器設(shè)計，有效降低了電磁輻射。同時，具備使能、電源良好、欠壓鎖定（UVLO）、過壓鎖定（OVLO）、軟啟動、短路、功率限制、欠壓、過壓和過溫保護等功能，共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）大于150 kV / μs，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

汽車級認證與功能安全

該模塊符合AEC-Q100汽車應(yīng)用標準，溫度等級為1（(-40^{circ} C ≤T{J} ≤150^{circ} C) ，(-40^{circ} C ≤T{A} ≤125^{circ} C) ），并且具備功能安全能力，提供相關(guān)文檔以支持功能安全系統(tǒng)設(shè)計，還計劃獲得多項安全相關(guān)認證。

二、應(yīng)用場景

UCC14130-Q1的應(yīng)用場景廣泛，主要集中在對電源要求較高的汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

汽車領(lǐng)域

• 混合動力、電動和動力總成系統(tǒng)（EV/HEV）：為逆變器和電機控制提供穩(wěn)定的隔離電源，確保系統(tǒng)的高效運行。
• 車載充電器（OBC）和無線充電器：滿足高功率充電需求，同時保證電源隔離和安全。
• 汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器：實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和隔離，提高電源系統(tǒng)的可靠性。
• 電動汽車充電站電源模塊：為充電設(shè)施提供穩(wěn)定、可靠的電源。

工業(yè)領(lǐng)域

• 電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施：在高壓環(huán)境下提供隔離電源，保障設(shè)備的安全運行。
• 工業(yè)運輸：如電動車輛的動力系統(tǒng)，對電源的穩(wěn)定性和隔離性要求較高。
• 商用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）：為服務(wù)器提供高效、穩(wěn)定的電源支持。

三、詳細特性與工作原理

功能框圖

UCC14130-Q1的功能框圖展示了其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括初級側(cè)控制器、振蕩器、擴頻調(diào)制（SSM）、次級側(cè)反饋調(diào)節(jié)和故障監(jiān)測等部分。初級側(cè)控制器接收輸入電壓，通過開關(guān)控制將能量傳遞給集成變壓器，再由變壓器將能量傳輸?shù)酱渭墏?cè)，經(jīng)過整流和調(diào)節(jié)后輸出穩(wěn)定的電壓。

功率級操作

• 全橋逆變器與整流器：采用有源全橋逆變器在初級側(cè)，無源全橋整流器在次級側(cè)，實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
• 載波頻率調(diào)節(jié)：集成變壓器的載波頻率在11MHz至18MHz之間，根據(jù)輸入電壓進行前饋控制。當 (V{VIN}) 為12V時，頻率為18MHz；當 (V{VIN}) 為18V時，頻率為11MHz；在12V至18V之間，頻率隨 (V_{VIN}) 升高而逐漸降低。
• 擴頻調(diào)制（SSM）：用于降低電磁輻射，同時保持零電壓開關(guān)（ZVS）操作，減少開關(guān)功率損耗。

輸出電壓調(diào)節(jié)

• VDD - VEE電壓調(diào)節(jié)：通過FBVDD引腳感測VDD - VEE電壓，采用電壓反饋和滯后控制，實現(xiàn)高精度的電壓調(diào)節(jié)。為提高抗噪能力，可在FBVDD和VEE引腳之間添加330pF的陶瓷電容。
• COM - VEE電壓調(diào)節(jié)：以VDD - VEE為輸入，通過內(nèi)部的高側(cè)或低側(cè)FET和外部電流限制電阻（(R_{LIM})）進行調(diào)節(jié)。同樣采用滯后控制，確保COM - VEE電壓的精確調(diào)節(jié)。在COM引腳短路時，通過監(jiān)測RLIM引腳電壓，控制高側(cè)FET的占空比，保護模塊安全。

輸出電壓軟啟動

軟啟動功能通過控制脈沖占空比，使輸出電壓緩慢上升，有效減少了上電時的輸入浪涌電流。在啟動過程中，初級側(cè)控制信號（(DSSPRI)）逐漸增加脈沖占空比，從12.5%到50%。當 (V{VDD - VEE}) 高于 (V_{VDDUVLOS}) 時，次級側(cè)的反饋控制接管，脈沖占空比由比較 (FBVDD) 和 (V{REF}) 決定。整個啟動過程中，(V{REF}) 從0.9V逐步增加到2.5V。如果在軟啟動超時時間（(t{SOFT_START_TIMEOUT})）內(nèi)，(V{VDD - VEE}) 無法達到 (V_{VDD_UVLOS}) ，模塊將進入安全狀態(tài)并關(guān)閉。

ENA和PG引腳功能

• ENA引腳：作為使能引腳，使用5 - V TTL和3.3 - V LVTTL電平邏輯閾值。拉高ENA引腳，模塊開始工作；拉低則關(guān)閉。此外，還可用于在模塊進入保護狀態(tài)后進行復位，即先將ENA引腳拉低超過150μs，再拉高，模塊將退出鎖定狀態(tài)并重新啟動軟啟動過程。
• PG引腳：為低電平有效、開漏輸出引腳，用于指示模塊是否正常工作。當無故障且輸出電壓在設(shè)定值的 ± 10% 范圍內(nèi)時，PG引腳輸出低電平。需連接一個上拉電阻（> 1 kΩ）到5 - V或3.3 - V邏輯電源。

保護功能

UCC14130-Q1具備多種保護功能，確保模塊在各種異常情況下的安全運行。

• 輸入欠壓鎖定（UVLO）：當輸入電壓低于UVLO閾值（(V_{VIN_UVLOPFALLING})）時，模塊停止開關(guān)動作；當輸入電壓高于 (V{VIN_UVLOP_RISING}) 時，重新啟動。
• 輸入過壓鎖定（OVLO）：當輸入電壓高于OVLO閾值（(V_{VIN_OVLORISE})）時，模塊停止開關(guān)，停止向次級側(cè)傳輸能量；當輸入電壓低于恢復閾值（(V{VIN_OVLO_FALLING})）時，根據(jù)ENA引腳狀態(tài)決定是否恢復運行。
• 輸出欠壓保護（UVP）：基于FBVDD和FBVEE引腳電壓，當電壓低于UVP閾值時，模塊停止開關(guān)，PG引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。軟啟動期間，UVP功能禁用。
• 輸出過壓保護（OVP）：通過FBVDD和FBVEE引腳感測輸出電壓，當超過閾值時，模塊立即停止開關(guān)。此外，還有一個故障安全過壓保護，當VDD - VEE電壓高于31V時，模塊將立即關(guān)閉。
• 過功率保護（OPP）：通過輸入電壓前饋控制和調(diào)整脈沖占空比，限制模塊的最大平均輸出功率。當負載超過最大輸出能力時，輸出電壓下降，觸發(fā)輸出欠壓保護，模塊進入鎖定狀態(tài)。
• 過溫保護：監(jiān)測初級側(cè)和次級側(cè)的功率級溫度，當溫度超過閾值時，模塊停止開關(guān)，PG引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)，進入鎖定狀態(tài)。溫度下降后，可通過復位 (V_{VIN}) 或切換ENA引腳來退出鎖定狀態(tài)。

四、設(shè)計要點

輸出電容選擇

在設(shè)計過程中，輸出電容的選擇至關(guān)重要，直接影響到模塊的性能和穩(wěn)定性。

• CIN電容：在VIN引腳附近并聯(lián)一個10μF和一個0.1μF的高頻去耦電容，以減少電壓紋波。當電壓源到VIN引腳的串聯(lián)阻抗較大時，可使用更大容量的電容。
• COUT1電容：在VDD和VEE引腳附近添加一個2.2μF和一個0.1μF的電容，用于VDD - VEE的高頻去耦。為減少輸出電壓紋波，可使用更大容量的電容。
• COUT1B、COUT2和COUT3電容：在雙輸出配置中，這些電容對于優(yōu)化輸出電壓調(diào)節(jié)和降低總電容值非常重要。通過引入 (C{OUT1B}) 電容，可減少 (C{OUT2}) 和 (C{OUT3}) 的容量需求，從而降低總體成本。具體的計算方法可根據(jù)公式進行，目標是找到最小的 (C{OUT1B}) 值，使總?cè)ヱ铍娙?(C_{OUT_Total}) 最小，同時滿足負載瞬態(tài)性能要求。

RLIM電阻選擇

在雙輸出配置中，RLIM電阻用于調(diào)節(jié)COM - VEE電壓。其選擇需要考慮多個因素，包括負載電流、電容失衡和電壓瞬變響應(yīng)等。根據(jù)不同的情況，可使用Single (R{LIM}) 電阻選擇或RDR電路組件選擇方法。Single (R{LIM}) 電阻選擇時，需根據(jù)負載電流和電容失衡情況計算出合適的電阻值；RDR電路組件選擇則通過 (R{LIM1}) 和 (R{LIM2}) 電阻以及二極管 (D_{LIM}) 組成的電路，進一步優(yōu)化充電和放電電流能力，提高模塊效率。

反饋電阻選擇

• VVDD - VEE調(diào)節(jié)：使用反饋電阻分壓器來調(diào)節(jié)VVDD - VEE輸出電壓，使FBVDD引腳電壓為2.5V。為提高精度，建議使用0.1%的電阻，并在FBVDD和VEE引腳之間連接一個330pF的陶瓷電容，用于濾波。
• VVCOM - VEE調(diào)節(jié)：根據(jù)COM - VEE調(diào)節(jié)電壓的不同（大于2.5V、等于2.5V或小于2.5V），采用不同的反饋電阻配置。同樣，在FBVEE和VEE引腳之間連接一個330pF的陶瓷電容進行濾波。

五、PCB布局指南

正確的PCB布局對于UCC14130-Q1的性能至關(guān)重要，以下是一些關(guān)鍵的布局指南：

• 輸入電容布局：將0.1μF的高頻旁路電容盡可能靠近VIN和GNDP引腳，并與IC在同一側(cè)。選擇0402陶瓷SMD或更小尺寸的電容，避免在旁路電容和IC引腳之間放置過孔。同時，將大容量的VIN電容與高頻旁路電容平行放置，且靠近IC。
• 輸出電容布局：對于0.1μF的高頻旁路電容，同樣要盡可能靠近VDD和VEE引腳，并與IC在同一側(cè)。大容量的VDD - VEE電容也應(yīng)與高頻旁路電容平行放置，且靠近IC。
• 柵極驅(qū)動器輸出電容布局：(C{OUT2}) 和 (C{OUT3}) 應(yīng)放置在柵極驅(qū)動器IC附近，以獲得最佳的去耦和開關(guān)性能。在VDD - VEE之間添加 (C{OUT1B}) 電容，并與 (C{OUT2}) 和 (C{OUT3}) 并聯(lián)，可減少總電容需求，降低對電容變化的敏感性，并允許使用更高的 (R{LIM}) 電阻值。
• RLIM電阻布局：將 (R_{LIM}) 電阻靠近32引腳，并連接在輸出電容分壓器的COM中點之間。
• 反饋布局：VEEA引腳應(yīng)在所有PCB層與VEE平面隔離，通過一個過孔直接連接到FBVDD和FBVEE的低側(cè)電阻和電容。反饋電阻和330pF陶瓷電容應(yīng)靠近IC放置，最好在IC的另一側(cè)或靠近36引腳的同一層。
• 熱過孔布局：通過多個過孔將VIN、GNDP、VDD和VEE引腳連接到內(nèi)部接地或電源平面，或使連接這些引腳的多邊形盡可能寬。使用多個熱過孔連接PCB頂層和底層的GNDP和VEE銅層，如有可能，使用2盎司銅的外部頂層和底層。熱過孔也可連接到內(nèi)部銅層，以進一步提高散熱效果。
• 爬電距離和電氣間隙：避免在UCC1413x - Q1下方布線，以保持數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的爬電距離、電氣間隙和加強電壓隔離等級。
• 柵極驅(qū)動器電容和反饋布線：VDD - COM和VEE - COM電容應(yīng)盡可能靠近相關(guān)的柵極驅(qū)動器引腳。為實現(xiàn)最佳的電壓調(diào)節(jié)，反饋走線應(yīng)盡可能直接，以便在靠近柵極驅(qū)動器IC的VDD和COM電容處直接感測電壓反饋。

六、總結(jié)

UCC14130-Q1作為一款高性能的汽車級隔離DC/DC模塊，憑借其高集成度、寬輸入電壓范圍、可調(diào)輸出電壓、低電磁輻射和多重保護功能，為汽車和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了出色的電源解決方案。在實際應(yīng)用中，工程師們需要根據(jù)具體的需求，合理選擇輸出電容、RLIM電阻和反饋電阻，并遵循正確的PCB布局指南，以確保模塊的性能和穩(wěn)定性。同時，該模塊還具備功能安全能力，為系統(tǒng)的安全運行提供了有力保障。希望本文能夠幫助工程師們更好地理解和應(yīng)用UCC14130-Q1，在實際設(shè)計中發(fā)揮出其最大的優(yōu)勢。