AMC131M03：高性能3通道數(shù)據(jù)采集與隔離ADC解決方案

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，數(shù)據(jù)采集與隔離是眾多應(yīng)用中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天要為大家詳細(xì)介紹一款頗具特色的產(chǎn)品——AMC131M03，這是一款3通道、64-kSPS、同時(shí)采樣、24位的增強(qiáng)隔離型Delta - Sigma ADC，還集成了DC/DC轉(zhuǎn)換器，在多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。

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特性亮點(diǎn)剖析

通道與輸入特性

AMC131M03擁有三個(gè)隔離的同時(shí)采樣ΔΣ ADC，支持差分或單端輸入，這為不同類型的信號(hào)采集提供了極大的靈活性。無論是處理復(fù)雜的差分信號(hào)，還是單端信號(hào)，它都能輕松應(yīng)對(duì)。

電源與EMI特性

單電源供電（3.3 V或5 V）并集成DC/DC轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了電源設(shè)計(jì)，降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜度。同時(shí)，它還滿足CISPR - 11和CISPR - 25標(biāo)準(zhǔn)，具有低EMI特性，有效減少了電磁干擾，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

性能可配置特性

可編程的數(shù)據(jù)速率最高可達(dá)64 kSPS，可編程增益最高可達(dá)128，工程師可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求靈活調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)最佳的性能表現(xiàn)。此外，它還具備低漂移的內(nèi)部電壓參考和內(nèi)部溫度傳感器，為系統(tǒng)的精準(zhǔn)測(cè)量提供了有力支持。

接口與安全特性

采用4線SPI接口并帶有循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC），確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。同時(shí)，它還獲得了多項(xiàng)安全相關(guān)認(rèn)證，如7070 - (PEAK) 增強(qiáng)隔離（符合DIN EN IEC 60747 - 17）和5000 - (RMS) 隔離1分鐘（符合UL1577），適用于對(duì)安全性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用場(chǎng)景大揭秘

電力計(jì)量領(lǐng)域

無論是商業(yè)還是住宅用電的電表設(shè)計(jì)，AMC131M03都能發(fā)揮重要作用。它可以精準(zhǔn)采集電流和電壓信號(hào)，為電力計(jì)量提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支持。

電路保護(hù)領(lǐng)域

在斷路器的設(shè)計(jì)中，該芯片能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電路中的電流和電壓變化，及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常情況并觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作，保障電路的安全運(yùn)行。

新能源領(lǐng)域

在電動(dòng)汽車充電站和電池管理系統(tǒng)中，AMC131M03可以對(duì)電池的電壓、電流和溫度等參數(shù)進(jìn)行精確測(cè)量，有助于實(shí)現(xiàn)高效的充電管理和電池保護(hù)。

技術(shù)細(xì)節(jié)深度解讀

功能模塊解析

集成DC/DC轉(zhuǎn)換器

該轉(zhuǎn)換器包含初級(jí)側(cè)的低壓差穩(wěn)壓器（LDO）、初級(jí)全橋逆變器和驅(qū)動(dòng)器、基于層壓材料的空心變壓器、次級(jí)全橋整流器以及次級(jí)LDO。采用擴(kuò)頻時(shí)鐘生成技術(shù)降低電磁輻射的頻譜密度，并且諧振器頻率與ΔΣ調(diào)制器同步，減少了對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)母蓴_，提升了模擬性能。同時(shí)，通過讀取狀態(tài)寄存器中的SEC_FAIL位，可以檢測(cè)DC/DC轉(zhuǎn)換器是否發(fā)生故障。

高側(cè)電流驅(qū)動(dòng)能力

優(yōu)化的架構(gòu)使其能夠?yàn)橥獠侩娐诽峁╊~外的直流電流，如驅(qū)動(dòng)有源濾波器、前置放大器或比較器等。使用HLDO_OUT引腳作為外部電路的電源，其輸出電壓會(huì)受到驅(qū)動(dòng)電流和所選電源模式的影響，因此外部電路組件需能在低電源電壓下工作。

隔離通道信號(hào)傳輸

采用開關(guān)鍵控（OOK）調(diào)制方案在基于(SiO_{2})的電容隔離屏障上傳輸調(diào)制器輸出的位流。傳輸后，使用sinc濾波器對(duì)調(diào)制器輸出進(jìn)行抽取，重構(gòu)ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)并傳輸?shù)綌?shù)字控制部分，通過SPI接口訪問數(shù)據(jù)。這種對(duì)稱設(shè)計(jì)提高了共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）性能，降低了高頻載波引起的輻射發(fā)射。

輸入相關(guān)特性

輸入ESD保護(hù)電路

基本的靜電放電（ESD）電路結(jié)合外部電路和組件，保護(hù)芯片輸入免受ESD和過壓事件的影響。對(duì)于超過VHLDO_OUT的輸入電壓，可將其保護(hù)等效為一個(gè)簡(jiǎn)單的二極管。同時(shí)，集成的負(fù)電荷泵允許在單電源供電情況下測(cè)量低于HGND的輸入電壓。

輸入多路復(fù)用器

每個(gè)通道都有一個(gè)專用的輸入多路復(fù)用器，可通過CHn_CFG寄存器中的MUXn[1:0]位進(jìn)行配置。它可以連接相應(yīng)通道的模擬輸入引腳、HGND（用于偏移校準(zhǔn)）、正直流測(cè)試信號(hào)和負(fù)直流測(cè)試信號(hào)。

可編程增益放大器（PGA）

每個(gè)通道都集成了PGA，增益可設(shè)置為1、2、4、8、16、32、64和128。通過改變PGA增益，可以調(diào)整ADC的差分滿量程輸入電壓范圍（FSR）。同時(shí)，輸入阻抗特性與PGA增益設(shè)置相關(guān)，在增益設(shè)置為8及以上時(shí)，會(huì)使用輸入預(yù)充電緩沖器，輸入阻抗非常高。

其他關(guān)鍵特性

電壓參考

使用內(nèi)部生成的低漂移帶隙電壓作為參考，提供1.2 V的標(biāo)稱電壓，允許差分輸入電壓在 - 1.2 V至1.2 V之間擺動(dòng)。參考電路啟動(dòng)迅速，確保設(shè)備能夠快速開始采集數(shù)據(jù)。

內(nèi)部測(cè)試信號(hào)

具有內(nèi)部模擬測(cè)試信號(hào)，可通過輸入多路復(fù)用器將正或負(fù)直流測(cè)試信號(hào)應(yīng)用于通道輸入，用于故障排除和診斷。測(cè)試信號(hào)會(huì)根據(jù)增益設(shè)置自動(dòng)調(diào)整電壓水平。

時(shí)鐘與電源模式

需要在CLKIN引腳持續(xù)提供LVCMOS時(shí)鐘，時(shí)鐘頻率可根據(jù)電源模式進(jìn)行調(diào)整，以平衡功耗和動(dòng)態(tài)范圍。通過CLOCK寄存器中的PWR[1:0]位可選擇高分辨率（HR）或低功率（LP）模式，同時(shí)可通過CLK_DIV[1:0]位改變時(shí)鐘分頻比。此外，DC/DC轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部時(shí)鐘頻率需與調(diào)制器時(shí)鐘同步，以減少干擾。

ΔΣ調(diào)制器與數(shù)字濾波器

ΔΣ調(diào)制器將模擬輸入電壓轉(zhuǎn)換為一位密度調(diào)制的數(shù)字位流，通過過采樣和反饋機(jī)制，將量化噪聲轉(zhuǎn)移到高頻區(qū)域。數(shù)字濾波器為線性相位、有限脈沖響應(yīng)（FIR）、低通、sinc型濾波器，用于衰減ΔΣ調(diào)制器的帶外量化噪聲。通過調(diào)整OSR[2:0]位可配置過采樣比（OSR），從而實(shí)現(xiàn)不同的數(shù)據(jù)速率設(shè)置。在不同的OSR設(shè)置下，濾波器會(huì)有不同的工作模式和特性。

通道相位校準(zhǔn)

允許對(duì)通道之間的采樣相位進(jìn)行精細(xì)調(diào)整，有助于補(bǔ)償不同傳感器的相位響應(yīng)差異。通過CHn_CFG寄存器中的PHASEn[9:0]位配置相位偏移，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)通道之間的精確相位校準(zhǔn)。

校準(zhǔn)寄存器

包括偏移校準(zhǔn)寄存器和增益校準(zhǔn)寄存器，可自動(dòng)計(jì)算校準(zhǔn)后的ADC轉(zhuǎn)換結(jié)果。偏移校準(zhǔn)寄存器用于校正系統(tǒng)的零誤差，增益校準(zhǔn)寄存器用于校正系統(tǒng)的增益誤差。校準(zhǔn)系數(shù)需要存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中，并在每次設(shè)備上電時(shí)重新編程到相應(yīng)的寄存器中。

寄存器Map CRC

通過設(shè)置MODE寄存器中的REG_CRC_EN位，可啟用寄存器Map CRC功能，對(duì)設(shè)備寄存器圖進(jìn)行CRC校驗(yàn)，以檢測(cè)寄存器是否發(fā)生意外更改。

溫度傳感器

集成的溫度傳感器與電壓通道的AIN2P輸入復(fù)用，可通過CH2_CFG寄存器中的TS_EN位選擇溫度傳感器模式。有內(nèi)部和外部溫度傳感器模式可供選擇，不同模式下的測(cè)量原理和配置方法有所不同。在溫度傳感器模式下，調(diào)制器時(shí)鐘會(huì)進(jìn)一步分頻，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速率降低，但輸入阻抗會(huì)顯著增加。

通用數(shù)字輸出（GPO）

AIN2P/GPO引腳可通過設(shè)置CFG寄存器中的GPO_EN位配置為通用輸出。使用GPO_DAT位可驅(qū)動(dòng)該引腳輸出邏輯高或低電平，輸出為推挽式。

設(shè)備功能模式詳解

上電與復(fù)位

設(shè)備可通過上電復(fù)位（POR）、SYNC/RESET引腳或RESET命令進(jìn)行復(fù)位，復(fù)位后配置寄存器將恢復(fù)為默認(rèn)值，DC/DC轉(zhuǎn)換器將被禁用，需要重新啟用才能開始生成轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。

啟動(dòng)行為

上電后啟動(dòng)

上電后，需要按順序進(jìn)行一系列操作，包括配置時(shí)鐘分頻器、設(shè)置調(diào)制器時(shí)鐘頻率、啟用DC/DC轉(zhuǎn)換器等。通過讀取STATUS寄存器中的SEC_FAIL位，可確認(rèn)次級(jí)電源是否穩(wěn)定，只有在該位為0b時(shí)，ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)才有效。同時(shí)，要注意轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的有效性和數(shù)字濾波器的穩(wěn)定時(shí)間。

引腳復(fù)位或RESET命令后啟動(dòng)

發(fā)送RESET命令或使用SYNC/RESET引腳進(jìn)行引腳復(fù)位后，DC/DC轉(zhuǎn)換器會(huì)被禁用，啟動(dòng)過程與上電后類似，但不需要考慮tPOR_DVDD 。

CLKIN時(shí)鐘暫停后啟動(dòng)

CLKIN時(shí)鐘暫停會(huì)導(dǎo)致次級(jí)電源下降，時(shí)鐘恢復(fù)后，DC/DC轉(zhuǎn)換器會(huì)自動(dòng)重新啟用，但需要等待SEC_FAIL位為0b，確保次級(jí)電源穩(wěn)定后才能獲取有效轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。

同步

通過在SYNC/RESET引腳提供負(fù)脈沖，可實(shí)現(xiàn)ADC轉(zhuǎn)換與外部事件的同步。同步操作會(huì)根據(jù)SYNC/RESET脈沖與內(nèi)部數(shù)據(jù)速率時(shí)鐘的對(duì)齊情況，對(duì)數(shù)字濾波器進(jìn)行復(fù)位。

轉(zhuǎn)換模式

連續(xù)轉(zhuǎn)換模式

ADC持續(xù)以(f_{MOD}) / OSR的速率生成數(shù)據(jù)，新數(shù)據(jù)通過DRDY引腳的下降沿指示。該模式適用于測(cè)量交流信號(hào)，可提供較高的輸出數(shù)據(jù)速率。

全局?jǐn)夭Ｊ?/h5>

通過設(shè)置GLOBAL_CHOP_CFG寄存器中的GC_EN位啟用該模式，可降低設(shè)備內(nèi)部電路失配導(dǎo)致的偏移誤差和偏移漂移。在該模式下，ADC會(huì)周期性地交換輸入極性，通過平均兩次連續(xù)轉(zhuǎn)換結(jié)果來消除偏移電壓。同時(shí)，該模式會(huì)增加轉(zhuǎn)換周期和數(shù)據(jù)穩(wěn)定時(shí)間，并且會(huì)自動(dòng)禁用相位校準(zhǔn)功能。

電源模式

可通過CLOCK寄存器中的PWR[1:0]位選擇高分辨率（HR）或低功率（LP）模式，以平衡功耗和性能。

待機(jī)模式

通過發(fā)送STANDBY命令可進(jìn)入待機(jī)模式，該模式下所有通道被禁用，參考和其他非必要電路被斷電，但設(shè)備會(huì)保留寄存器設(shè)置。進(jìn)入待機(jī)模式前需禁用DC/DC轉(zhuǎn)換器，退出時(shí)發(fā)送WAKEUP命令。

編程與使用要點(diǎn)

串行接口

使用SPI兼容接口進(jìn)行配置和數(shù)據(jù)檢索，工作在SPI模式1（(CPOL = 0)，(CPHA = 1)）。各引腳功能明確，如CS引腳用于選擇設(shè)備、SCLK引腳作為串行時(shí)鐘、DIN引腳用于輸入串行命令、DOUT引腳用于輸出命令響應(yīng)和ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)、DRDY引腳指示新轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)可用、SYNC/RESET引腳用于同步轉(zhuǎn)換或復(fù)位設(shè)備。SPI通信以幀為單位進(jìn)行，每個(gè)幀包含多個(gè)字，字大小可通過MODE寄存器中的WLENGTH[1:0]位配置。同時(shí)，還支持CRC校驗(yàn)和SPI超時(shí)功能，以提高通信的可靠性和穩(wěn)定性。

ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)

轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)以24位二進(jìn)制補(bǔ)碼格式提供，數(shù)據(jù)速率由CLOCK寄存器中的OSR位設(shè)置。數(shù)據(jù)的可用性與DRDY引腳的狀態(tài)相關(guān)，不同模式下的具體情況有所不同。

命令

提供了多種命令，如NULL命令用于讀取轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)、RESET命令用于復(fù)位設(shè)備、STANDBY命令用于進(jìn)入待機(jī)模式、WAKEUP命令用于退出待機(jī)模式、LOCK命令用于鎖定接口、UNLOCK命令用于解鎖接口、RREG命令用于讀取寄存器、WREG命令用于寫入寄存器。每個(gè)命令都有特定的格式和響應(yīng)。

ADC輸出緩沖區(qū)和FIFO緩沖區(qū)

每個(gè)ADC通道有兩個(gè)內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖區(qū)：ADC輸出緩沖區(qū)和FIFO緩沖區(qū)。FIFO緩沖區(qū)的更新取決于主機(jī)對(duì)之前轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的檢索情況，可能會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失的情況，需要注意數(shù)據(jù)讀取的時(shí)機(jī)，以確保數(shù)據(jù)的完整性。

數(shù)據(jù)采集注意事項(xiàng)

在首次采集數(shù)據(jù)或暫停采集后重新開始采集時(shí)，需要采取特殊措施，如通過SYNC/RESET引腳同步轉(zhuǎn)換并清空緩沖區(qū)，或快速讀取兩個(gè)數(shù)據(jù)包，以確保DRDY引腳行為的可預(yù)測(cè)性。

寄存器配置指南

AMC131M03擁有多個(gè)寄存器，每個(gè)寄存器都有特定的功能和位定義。例如，ID寄存器用于標(biāo)識(shí)設(shè)備的通道數(shù)量，STATUS寄存器用于指示設(shè)備的狀態(tài)信息（如SPI接口鎖定狀態(tài)、ADC重新同步狀態(tài)、寄存器Map CRC故障狀態(tài)等），MODE寄存器用于配置設(shè)備的工作模式（如寄存器Map CRC啟用、SPI輸入CRC啟用、數(shù)據(jù)字長度選擇等），CLOCK寄存器用于配置時(shí)鐘和電源模式（如時(shí)鐘分頻比選擇、OSR設(shè)置、電源模式選擇等），GAIN寄存器用于設(shè)置各通道的PGA增益，CFG寄存器用于配置通用數(shù)字輸出和全局?jǐn)夭Ｊ?，CHn_CFG寄存器用于配置各通道的相位延遲和輸入選擇，CHn_OCAL_MSB和CHn_OCAL_LSB寄存器用于存儲(chǔ)各通道的偏移校準(zhǔn)系數(shù)，CHn_GCAL_MSB和CHn_GCAL_LSB寄存器用于存儲(chǔ)各通道的增益校準(zhǔn)系數(shù)，DCDC_CTRL寄存器用于控制DC/DC轉(zhuǎn)換器的啟用和頻率范圍選擇，REGMAP_CRC寄存器用于存儲(chǔ)寄存器Map的CRC值。

應(yīng)用設(shè)計(jì)建議

未使用的輸入和輸出處理

未使用的模擬輸入可浮空或連接到HGND，未使用的數(shù)字輸入應(yīng)連接到適當(dāng)?shù)碾娖剑―VDD或DGND），DRDY引腳若未使用可保持未連接狀態(tài)。

抗混疊設(shè)計(jì)

在每個(gè)通道輸入前需要添加模擬低通濾波器，以防止帶外噪聲和干擾耦合到感興趣的頻段。由于AMC131M03是Delta - Sigma ADC，集成的數(shù)字濾波器可對(duì)帶外頻率提供較大的衰減，因此在大多數(shù)應(yīng)用中，單階RC濾波器即可提供足夠的抗混疊保護(hù)。

最小接口連接

在某些情況下，可通過合理配置接口引腳來減少所需的隔離通道或MCU引腳數(shù)量。例如，CLKIN引腳需要LVCMOS時(shí)鐘，可由MCU或本地LVCMOS輸出設(shè)備生成；SYNC/RESET引腳若未使用可硬件連接到DVDD；DRDY引腳若未使用可浮空；若AMC131M03是SPI總線上的唯一設(shè)備，CS引腳可硬件接地。但需要注意啟用數(shù)據(jù)輸入和輸出CRC，以防止寄存器讀寫錯(cuò)誤。

多設(shè)備配置

多個(gè)AMC131M03設(shè)備可用于擴(kuò)展通道數(shù)量，實(shí)現(xiàn)同時(shí)數(shù)據(jù)采集。所有設(shè)備需使用相同的時(shí)鐘，并至少同步一次SYNC/RESET引腳，以確保設(shè)備內(nèi)部的采樣周期對(duì)齊。各設(shè)備的相位設(shè)置可獨(dú)立更改，但主機(jī)需要記錄哪個(gè)通道代表零相位。設(shè)備可共享SPI總線，通過不同的CS引腳進(jìn)行尋址。

校準(zhǔn)

可通過單室溫校準(zhǔn)來校正某些信號(hào)鏈誤差，如偏移誤差、增益誤差和相位誤差。偏移校準(zhǔn)通過測(cè)量零輸入時(shí)的輸出結(jié)果并存儲(chǔ)在相應(yīng)的寄存器中，在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)自動(dòng)校正；增益校準(zhǔn)通過測(cè)量最大和最小輸入信號(hào)的結(jié)果，計(jì)算增益誤差，并將其倒數(shù)存儲(chǔ)在增益校準(zhǔn)寄存器中；相位校準(zhǔn)通過測(cè)量各通道之間的相位關(guān)系，調(diào)整CHn_CFG寄存器中的PHASEn位來實(shí)現(xiàn)。

故障排除

當(dāng)遇到問題時(shí)，需要根據(jù)具體情況進(jìn)行分析和解決。例如，若DRDY引腳以預(yù)期頻率的一半切換，可能是由于DRDY_FMT位設(shè)置為1b且主機(jī)未讀取轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，此時(shí)應(yīng)按照數(shù)據(jù)采集建議讀取數(shù)據(jù)；若STATUS寄存器中的F_RESYNC位被設(shè)置，可能是SYNC/RESET引腳與CLKIN不同步，需要了解該引腳的正確使用方法；若多次輸出相同的ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，可能是主機(jī)未讀取所有通道的數(shù)據(jù)，應(yīng)確保讀取輸出數(shù)據(jù)幀中的所有數(shù)據(jù)；若STATUS寄存器中的SEC_FAIL位被設(shè)置，即使次級(jí)側(cè)電源看似穩(wěn)定，也需要反復(fù)讀取該位，直到其為0b，再讀取ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。

典型應(yīng)用案例：三相電能計(jì)量前端

設(shè)計(jì)概述

在三相電能計(jì)量前端設(shè)計(jì)中，每個(gè)相使用一個(gè)AMC131M03來測(cè)量電流和電壓，實(shí)現(xiàn)相與相之間的電氣隔離，避免因電壓差異過大損壞設(shè)備。同時(shí)，可選擇使用一個(gè)非隔離的ADC（如ADS131M02）來監(jiān)測(cè)中性線電流，用于防篡改檢測(cè)。

詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟

電壓測(cè)量

使用電壓分壓器網(wǎng)絡(luò)（(R{HI}) 和 (R{LO})）和RC低通濾波器（(R{FILT}) 和 (C{FILT})）將市電電壓降為適合ADC測(cè)量的范圍。通過選擇合適的電阻值，可確保輸入信號(hào)在AMC131M03的輸入電壓范圍內(nèi)，并能測(cè)量高達(dá)四倍市電電壓的過電壓。同時(shí)，為減少ADC通道輸入阻抗引起的增益誤差和偏移誤差，可在反相輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。

電流分流測(cè)量

使用分流電阻 (R{SHUNT}) 和RC低通抗混疊濾波器（(R{FILT}) 和 (C_{FILT})）測(cè)量電流。通過配置AMC131M03的通道0為合適的增益（如32），可測(cè)量分流電阻上的電壓。集成的電荷泵允許在單電源供電情況下測(cè)量低于HGND的電壓。

溫度測(cè)量

可將AMC131M03的通道2配置為測(cè)量溫度，使用內(nèi)部或外部溫度傳感器。若需要對(duì)分流測(cè)量進(jìn)行溫度校準(zhǔn)，可將外部NTC溫度傳感元件靠近電流分流傳感器放置。

電磁干擾測(cè)試

在許多應(yīng)用中，需要對(duì)AMC131M03進(jìn)行電磁干擾（EMI）測(cè)試，以確保其輻射發(fā)射不超過規(guī)定水平。按照CISPR 11標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要在半電波暗室中使用寬帶天線，分別對(duì)水平和垂直極化方向進(jìn)行測(cè)量。

電源供應(yīng)與布局建議

電源供應(yīng)

AMC131M03由低側(cè)電源（DVDD）供電，標(biāo)稱值為3.3 V（或5 V）± 10%。需要在電源引腳附近添加適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙荩詾V除電源噪聲。同時(shí)，DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)和次級(jí)側(cè)也需要進(jìn)行去耦處理，可使用鐵氧體磁珠來改善EMI性能。

布局設(shè)計(jì)

為了獲得最佳的EM