開(kāi)篇：國(guó)產(chǎn)工藝新進(jìn)展，穩(wěn)先微垂直 BCD 高邊開(kāi)關(guān)量產(chǎn)落地

據(jù)悉，專(zhuān)精特新 “小巨人” 企業(yè)穩(wěn)先微電子近期實(shí)現(xiàn)重要突破 —— 基于100% 國(guó)產(chǎn)化垂直 BCD 工藝的車(chē)規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān) WSD9008 正式量產(chǎn)。這款芯片的Rsp（比導(dǎo)通電阻）性能參數(shù)達(dá)到 11 mΩ·mm2 ，優(yōu)于全球市場(chǎng)多數(shù)同類(lèi)產(chǎn)品。

在國(guó)內(nèi)汽車(chē)電子高邊開(kāi)關(guān)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)、國(guó)產(chǎn)化需求穩(wěn)步攀升的背景下，該產(chǎn)品的量產(chǎn)不僅有助于完善國(guó)產(chǎn)高端車(chē)規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品序列，更保障這一關(guān)鍵器件供應(yīng)鏈的 自主、安全與可靠 。

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核心突破：垂直BCD工藝平臺(tái)的創(chuàng)新性集成

根據(jù)市場(chǎng)反饋，穩(wěn)先微第二代全國(guó)產(chǎn)的平面BCD工藝高邊產(chǎn)品已陸續(xù)上車(chē)，本次我們了解到的垂直BCD工藝高邊產(chǎn)品被定義為“穩(wěn)先微第三代高邊產(chǎn)品”，歷經(jīng)工藝突破和穩(wěn)先微在該領(lǐng)域的技術(shù)積累，當(dāng)前樣品的性能參數(shù)可對(duì)標(biāo)海外頭部企業(yè)。

它將平面BCD工藝的高精度控制與垂直SGT工藝的大功率處理能力，融合于同一片N型硅襯底之上，這實(shí)現(xiàn)了功率開(kāi)關(guān)與智能控制電路在單晶圓層面的高度集成。

技術(shù)解構(gòu)：該工藝在N型硅襯底上，同步構(gòu)建并互聯(lián)了SGT（屏蔽柵溝槽）結(jié)構(gòu)、雙極性晶體管、CMOS邏輯電路和高壓LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）器件。

這種單晶圓融合技術(shù)，使WSD9008得以在同一顆芯片上，同時(shí)獲得SGT結(jié)構(gòu)的優(yōu)異功率密度和高魯棒性，以及平面BCD的精密信號(hào)處理和高穩(wěn)定性。

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性能驗(yàn)證：用實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)體現(xiàn)工藝價(jià)值

工藝創(chuàng)新的價(jià)值，需要通過(guò)性能數(shù)據(jù)來(lái)兌現(xiàn)。對(duì)于功率開(kāi)關(guān)芯片而言，比導(dǎo)通電阻（Rsp） 是衡量其能效水平的關(guān)鍵指標(biāo)之一，數(shù)值越低代表導(dǎo)通損耗越小、效率越高。

第三代WSD9008樣品測(cè)試數(shù)據(jù)

WSD9008的Rsp典型值低至11 mΩ·mm2 。這一數(shù)據(jù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。作為對(duì)比，采用CMT8工藝的同類(lèi)產(chǎn)品Rsp約為17 mΩ·mm2， SMART7工藝的標(biāo)桿產(chǎn)品Rsp也在12 mΩ·mm2左右。

這組數(shù)據(jù)表明，穩(wěn)先微的自主工藝平臺(tái)已具備相當(dāng)?shù)南冗M(jìn)性，國(guó)產(chǎn)芯片在核心性能參數(shù)上已達(dá)到國(guó)際主流產(chǎn)品水平。更低的導(dǎo)通損耗有助于提升系統(tǒng)能效并減少熱累積，從而支持終端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的可靠性與更長(zhǎng)的使用壽命。

阻性、感性、容性 相關(guān)測(cè)試波形

阻性負(fù)載

VS=13V，IN=5V@1KHz，Duty=50%，R ~LOAD~ =4ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

容性負(fù)載

VS=13V，IN=5V@1s，C ~LOAD~ =1mF，R ~LOAD~ =1.3ohm

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

鹵素?zé)糌?fù)載

VS=16V，IN=5V@1s，LOAD：H9（12V/65W）

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

感性負(fù)載

VS=13V，IN=5V@1.5ms，L ~LOAD~ =6mH

CH1:IN CH2:OUT CH3:VS CH4:IOUT

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應(yīng)用落地：滿(mǎn)足高可靠性場(chǎng)景要求

基于先進(jìn)的底層工藝，WSD9008具備了滿(mǎn)足嚴(yán)苛應(yīng)用要求的特性。該芯片支持 4V至28V的寬范圍輸入電壓 ，并能承受高達(dá)40V的拋負(fù)載瞬態(tài)電壓沖擊。能夠適應(yīng)汽車(chē)環(huán)境中常見(jiàn)的冷啟動(dòng)、負(fù)載突降等極端電源工況，符合車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用要求。

在安全性方面，WSD9008集成了過(guò)流保護(hù)、短路自關(guān)斷、過(guò)熱關(guān)斷及** [可選：欠壓鎖定]** 等全套診斷保護(hù)功能。通過(guò) 多路復(fù)用模擬信號(hào)反饋 機(jī)制，可實(shí)時(shí)將負(fù)載電流、芯片溫度等關(guān)鍵狀態(tài)轉(zhuǎn)化為模擬電壓信號(hào)輸出。

這一設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)主控制器無(wú)需復(fù)雜的外圍電路，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)功率狀態(tài)的監(jiān)控與故障診斷，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并有助于提升整體可靠性。

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產(chǎn)業(yè)意義：助力產(chǎn)業(yè)鏈自主化進(jìn)程

穩(wěn)先微垂直BCD工藝產(chǎn)品的量產(chǎn)，其意義超越單一芯片的上市。它標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)垂直BCD工藝平臺(tái)已從技術(shù)研發(fā)階段走向成熟商用，初步實(shí)現(xiàn)了從芯片設(shè)計(jì)、工藝制造到封裝測(cè)試的全鏈條本土化貫通。

對(duì)于整車(chē)廠(chǎng)商及零部件供應(yīng)商，尤其是正處于快速發(fā)展的國(guó)產(chǎn)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)而言，這意味著在一顆關(guān)鍵的車(chē)規(guī)級(jí)核心功率器件上，多了一個(gè)從“有”到“優(yōu)”、且供應(yīng)安全自主的可選項(xiàng)。這為提升國(guó)內(nèi)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈在該領(lǐng)域的自主性與韌性，提供了實(shí)質(zhì)性的技術(shù)支撐。

產(chǎn)品選型表

據(jù)穩(wěn)先微品牌部透露，目前穩(wěn)先微第二代和第三代高邊產(chǎn)品同步開(kāi)啟全型號(hào)的量產(chǎn)計(jì)劃，全新的自主可控可靠的國(guó)產(chǎn)高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品將于本年Q2季度陸續(xù)上市。

未來(lái)，穩(wěn)先微計(jì)劃基于這一自主工藝平臺(tái)，進(jìn)一步拓展智能熔斷器、固態(tài)繼電器等亟待突破的產(chǎn)品市場(chǎng)。