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ISO5852S-Q1:高CMTI隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動器的全面解析

lhl545545 ? 2026-01-23 09:50 ? 次閱讀
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ISO5852S-Q1:高CMTI隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動器的全面解析

電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器對于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的可靠運行起著至關(guān)重要的作用。今天,我們要深入探討的是德州儀器(TI)推出的ISO5852S-Q1,這是一款專為汽車應(yīng)用而設(shè)計的高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)的強化隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動器。

文件下載:iso5852s-q1.pdf

1. 產(chǎn)品特性亮點

1.1 汽車應(yīng)用資質(zhì)

ISO5852S-Q1通過了AEC - Q100認(rèn)證,適用于汽車應(yīng)用。其工作溫度范圍為 - 40°C至 + 125°C,同時具有HBM 3A類和CDM C6類的靜電放電保護能力,這為其在汽車復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運行提供了有力保障。

1.2 高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)

在 (V_{CM}=1500 V) 時,其最小CMTI可達(dá)100 kV/μs,這意味著在高共模電壓瞬變的情況下,它能夠有效抵抗干擾,確保信號的準(zhǔn)確傳輸和電路的穩(wěn)定運行。

1.3 分離式輸出和高驅(qū)動能力

采用分離式輸出設(shè)計,能夠提供2.5 A的峰值源電流和5 A的峰值灌電流,可滿足不同的驅(qū)動需求。此外,它還具有短傳播延遲(典型值76 ns,最大值110 ns),能實現(xiàn)快速響應(yīng)和精確控制。

1.4 豐富的保護功能

  • 有源米勒鉗位:配備2 A的有源米勒鉗位功能,可有效防止IGBT在高壓瞬態(tài)條件下的動態(tài)導(dǎo)通。
  • 輸出短路鉗位:在短路情況下,能夠?qū)敵鲞M行鉗位保護,避免損壞器件。
  • 軟關(guān)斷(STO):當(dāng)檢測到短路故障時,會啟動軟關(guān)斷程序,在2 μs內(nèi)逐步關(guān)閉輸出,減少對電路的沖擊。
  • 欠壓鎖定(UVLO):具有輸入和輸出欠壓鎖定功能,并通過RDY引腳進行狀態(tài)指示,確保在電源電壓不足時,IGBT不會意外開啟。

1.5 寬電壓范圍和兼容性

輸入電源電壓范圍為2.25 V至5.5 V,輸出驅(qū)動器電源電壓范圍為15 V至30 V,并且支持CMOS兼容輸入。同時,它能夠拒絕短于20 ns的輸入脈沖和噪聲瞬變,提高了系統(tǒng)的抗干擾能力。

1.6 安全認(rèn)證

ISO5852S-Q1獲得了多項安全認(rèn)證,如DIN V VDE V 0884-10的強化隔離認(rèn)證、UL 1577的隔離認(rèn)證、CSA、IEC、TUV和GB4943.1 - 2011 CQC等認(rèn)證,為其在安全相關(guān)應(yīng)用中提供了堅實的保障。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

ISO5852S-Q1的高可靠性和高性能使其適用于多種應(yīng)用場景,主要包括:

  • 混合動力電動汽車(HEV)和電動汽車(EV)電源模塊:在電動汽車的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,需要精確控制IGBT和MOSFET的開關(guān),以實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。ISO5852S-Q1的高CMTI和快速響應(yīng)能力能夠滿足電動汽車高功率、高頻率開關(guān)的要求。
  • 工業(yè)電機控制驅(qū)動器:工業(yè)電機的調(diào)速和控制需要穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動信號。該驅(qū)動器的保護功能和寬電壓范圍能夠適應(yīng)工業(yè)環(huán)境的復(fù)雜性,確保電機的穩(wěn)定運行。
  • 工業(yè)電源:在工業(yè)電源的設(shè)計中,需要隔離式柵極驅(qū)動器來提高電源的效率和安全性。ISO5852S-Q1的強化隔離特性和高驅(qū)動能力能夠為工業(yè)電源提供可靠的支持。
  • 太陽能逆變器:太陽能逆變器需要將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,對IGBT和MOSFET的驅(qū)動要求較高。該驅(qū)動器的快速響應(yīng)和抗干擾能力有助于提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
  • 感應(yīng)加熱:感應(yīng)加熱系統(tǒng)需要精確控制IGBT的開關(guān)頻率和時間,以實現(xiàn)高效的加熱效果。ISO5852S-Q1的短傳播延遲和高驅(qū)動能力能夠滿足感應(yīng)加熱系統(tǒng)的要求。

3. 產(chǎn)品詳細(xì)描述

3.1 概述

ISO5852S-Q1采用二氧化硅(SiO?)電容式隔離技術(shù),將輸入CMOS邏輯和輸出功率級分開。輸入側(cè)的IO電路與微控制器接口,包含柵極驅(qū)動控制和復(fù)位(RST)輸入、就緒(RDY)和故障(FLT)報警輸出。輸出功率級由功率晶體管組成,能夠提供2.5 A的上拉電流和5 A的下拉電流,以驅(qū)動外部功率晶體管的電容負(fù)載。同時,它還具備去飽和(DESAT)檢測電路,用于監(jiān)測IGBT在短路事件中的集電極 - 發(fā)射極過電壓。

3.2 功能框圖

其功能框圖展示了各個模塊的組成和連接方式。輸入側(cè)通過UVLO1監(jiān)測輸入電源電壓,輸出側(cè)通過UVLO2監(jiān)測輸出電源電壓。DESAT檢測電路用于檢測IGBT的過流情況,當(dāng)檢測到過流時,會觸發(fā)軟關(guān)斷程序,并通過隔離屏障將故障信號傳輸?shù)捷斎雮?cè)的FLT輸出。

3.3 特性描述

  • 電源和有源米勒鉗位:支持雙極性和單極性電源供電。在雙極性電源供電時,IGBT通過負(fù)電壓關(guān)斷,可防止因米勒效應(yīng)導(dǎo)致的意外導(dǎo)通;在單極性電源供電時,通過CLAMP引腳連接到IGBT柵極,將米勒電流通過低阻抗的CLAMP晶體管吸收,防止IGBT導(dǎo)通。
  • 有源輸出下拉:當(dāng)輸出側(cè)未連接電源時,該功能確保IGBT柵極OUTH/L被鉗位到 (V_{EE 2}) ,保證IGBT處于安全的關(guān)斷狀態(tài)。
  • 欠壓鎖定(UVLO)與就緒(RDY)引腳指示輸出:UVLO功能確保在輸入或輸出電源電壓不足時,IGBT能夠可靠關(guān)斷。RDY引腳用于指示輸入和輸出側(cè)的UVLO狀態(tài),當(dāng)兩側(cè)電源正常時,RDY輸出高電平,否則輸出低電平。
  • 軟關(guān)斷、故障(FLT)和復(fù)位(RST):在IGBT過流情況下,啟動軟關(guān)斷程序,在2 μs內(nèi)逐步關(guān)閉輸出。同時,將故障信號通過隔離屏障傳輸?shù)捷斎雮?cè),使FLT輸出低電平。故障狀態(tài)被鎖定,只有在RDY變?yōu)楦唠娖胶?,通過RST輸入的低電平脈沖才能復(fù)位FLT。
  • 短路鉗位:在短路事件中,由于IGBT集電極和柵極之間的寄生米勒電容,可能會有電流反饋到柵極驅(qū)動器的OUTH/L和CLAMP引腳。內(nèi)部保護二極管用于吸收這些電流,并將這些引腳的電壓鉗位到略高于輸出側(cè)電源的數(shù)值。

3.4 設(shè)備功能模式

在正常功能模式下,OUTH/L跟隨IN+的狀態(tài),但FLT引腳必須處于高電平。通過不同的電源狀態(tài)和輸入信號組合,可以實現(xiàn)不同的設(shè)備功能,具體可參考功能表。

4. 應(yīng)用與實現(xiàn)

4.1 應(yīng)用信息

ISO5852S-Q1主要用于將微控制器輸出的低電壓控制信號(如2.5 V、3.3 V或5 V)轉(zhuǎn)換為功率晶體管所需的高電壓驅(qū)動信號(30 V單極性輸出電源或15 V雙極性輸出電源),同時確保驅(qū)動器側(cè)和微控制器側(cè)之間的高電壓隔離。

4.2 典型應(yīng)用

以三相逆變器為例,通常使用六個ISO5852S-Q1隔離式柵極驅(qū)動器來驅(qū)動六個功率開關(guān)。這些開關(guān)通過特定的開關(guān)模式將直流母線電壓轉(zhuǎn)換為三相交流電壓,用于控制交流電機的運行速度和轉(zhuǎn)矩,以及高壓直流(HVDC)功率傳輸?shù)葢?yīng)用。

4.3 設(shè)計要求

  • 電源去耦:在輸入電源引腳 (V{CC 1}) 和輸出電源引腳 (V{CC 2}) 分別推薦使用0.1 μF和1 μF的旁路電容,以提供開關(guān)過渡期間所需的大瞬態(tài)電流。
  • FLT和RDY引腳:FLT和RDY引腳為開漏輸出,內(nèi)部有50 kΩ的上拉電阻,可外接10 kΩ的上拉電阻以加快上升速度。在需要時,可在這些引腳上添加100 pF至300 pF的電容以減少噪聲干擾。
  • 控制輸入驅(qū)動:為了獲得最大的CMTI性能,數(shù)字控制輸入IN+和IN–必須由標(biāo)準(zhǔn)CMOS推挽驅(qū)動電路主動驅(qū)動,避免使用開漏配置和上拉電阻的無源驅(qū)動電路。
  • DESAT引腳保護:在DESAT引腳串聯(lián)100 Ω至1 kΩ的電阻,以限制因開關(guān)電感負(fù)載產(chǎn)生的大電流。同時,可使用肖特基二極管將DESAT輸入鉗位到GND2電位,提供進一步的保護。

4.4 詳細(xì)設(shè)計步驟

  • 推薦應(yīng)用電路:根據(jù)單極性或雙極性輸出電源的不同,設(shè)計相應(yīng)的應(yīng)用電路。在電路中,還需要注意旁路電容、去飽和電容、保護二極管和柵極電阻的選擇和布局。
  • 確定最大可用動態(tài)輸出功率:根據(jù)公式計算最大允許的總功率消耗、總輸入功率、總輸出功率和負(fù)載下的輸出功率,以確保設(shè)計的合理性。
  • 使用外部電流緩沖器提高輸出電流:對于需要更高IGBT柵極驅(qū)動電流的應(yīng)用,可以使用非反相電流緩沖器,如npn/pnp緩沖器。

5. 電源供應(yīng)建議

為了確保在所有數(shù)據(jù)速率和電源電壓下的可靠運行,建議在 (V{CC 1}) 輸入電源引腳和 (V{CC 2}) 輸出電源引腳分別使用0.1 μF和1 μF的旁路電容,并將它們盡可能靠近電源引腳放置,推薦距離為2 mm(最大)。

6. PCB布局

6.1 布局指南

  • 層疊結(jié)構(gòu):為了實現(xiàn)低電磁干擾(EMI)的PCB設(shè)計,建議使用至少四層的PCB,層疊順序為高速信號層、接地層、電源層和低頻信號層。
  • 信號布線:將高電流或敏感信號布線在頂層,避免使用過孔,以減少電感的影響。同時,將柵極驅(qū)動器控制輸入、輸出OUTH/L和DESAT等信號布線在頂層。
  • 接地和電源平面:在敏感信號層旁邊放置接地層,為回流電流提供低電感路徑。在驅(qū)動器側(cè),使用GND2作為接地層。將電源層放置在接地層旁邊,可產(chǎn)生約 (100 pF / inch ^{2}) 的高頻旁路電容。

6.2 PCB材料

對于工作頻率低于150 Mbps(或上升和下降時間大于1 ns)且走線長度不超過10英寸的數(shù)字電路板,建議使用標(biāo)準(zhǔn)FR - 4 UL94V - 0印刷電路板,因為它具有較低的高頻介電損耗、較少的水分吸收、較高的強度和剛度,以及自熄性等特點。

7. 設(shè)備與文檔支持

7.1 文檔支持

TI提供了相關(guān)的文檔,如數(shù)字隔離器設(shè)計指南、ISO5852S評估模塊(EVM)用戶指南和隔離術(shù)語表等,可幫助工程師更好地了解和使用該產(chǎn)品。

7.2 文檔更新通知

工程師可以在ti.com上的設(shè)備產(chǎn)品文件夾中注冊“Alert me”,以接收產(chǎn)品文檔更新的每周摘要。

7.3 社區(qū)資源

TI的E2E?在線社區(qū)為工程師提供了一個交流和分享的平臺,工程師可以在這里提問、分享知識、探索想法并解決問題。同時,TI的設(shè)計支持頁面提供了相關(guān)的E2E論壇、設(shè)計支持工具和技術(shù)支持聯(lián)系信息。

綜上所述,ISO5852S-Q1是一款功能強大、可靠性高的隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動器,適用于多種汽車和工業(yè)應(yīng)用。在設(shè)計過程中,工程師需要充分考慮其特性和要求,合理進行電路設(shè)計和PCB布局,以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。大家在實際應(yīng)用中遇到過哪些具體的問題呢?不妨在評論區(qū)交流分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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