精彩回顧

2026年1月21日，“車載應(yīng)用端的低壓MOSFET和高壓IGBT”在線研討會(huì)得到了大家的支持，再次謝謝大家的熱情參與！錯(cuò)過(guò)本次直播的小伙伴，可以點(diǎn)擊下方查看回放。

1相關(guān)產(chǎn)品頁(yè)面

·安裝可靠性高的10種型號(hào)、3種封裝的車載Nch MOSFET

·實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

·MOSFET產(chǎn)品列表

·IGBT產(chǎn)品列表

2相關(guān)產(chǎn)品頁(yè)面

面向車載應(yīng)用的產(chǎn)品目錄

晶體管的種類和特征

羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

除此以外，羅姆君選取了研討會(huì)中一些有代表性的提問(wèn)在這里與大家分享，供大家回顧。

Q

羅姆低壓MOSFET/碳化硅產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

A

低壓MOSFET車規(guī)級(jí)認(rèn)證齊全，采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻，減少功率損耗，采用新一代制造工藝與高性能封裝技術(shù)，在性能上實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵突破，具備高電流承載能力與卓越的散熱特性，能夠充分滿足各類高端應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)穩(wěn)定性和可靠性的嚴(yán)苛要求。SiC器件全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，第四代溝槽柵結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)通電阻，開(kāi)關(guān)損耗方面領(lǐng)先行業(yè)。

Q

車規(guī)高壓IGBT寬溫域參數(shù)漂移抑制方案

A

從芯片設(shè)計(jì)源頭降低參數(shù)的溫度敏感性，提升穩(wěn)定性。

使用AMB襯底，銅夾片，雙面散熱等封裝技術(shù)，降低熱阻和熱應(yīng)力，保證芯片在寬溫域下工作環(huán)境溫和均勻。

在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上增加主動(dòng)抑制手段，通過(guò)外部電路實(shí)施“校正”參數(shù)漂移，確保系統(tǒng)行為一致。

Q

車規(guī)高壓IGBT保護(hù)響應(yīng)速度與車載安全規(guī)范適配

A

器件本身具備高短路耐受能力，搭配DESAT+電流采樣雙快速檢測(cè)、分級(jí)關(guān)斷策略，過(guò)溫保護(hù)設(shè)三級(jí)機(jī)制且內(nèi)置快響溫感；響應(yīng)時(shí)間滿足ISO 26262/6469標(biāo)準(zhǔn)，配合冗余設(shè)計(jì)、整車系統(tǒng)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)故障快速處置與多層安全防護(hù)。

Q

羅姆車規(guī)封裝認(rèn)證與可潤(rùn)濕側(cè)翼可靠性

A

全系列通過(guò)AEC-Q101、IATF 16949等核心車規(guī)認(rèn)證；可潤(rùn)濕側(cè)翼封裝采用獨(dú)有電鍍工藝，高低溫循環(huán)、振動(dòng)、熱沖擊等嚴(yán)苛測(cè)試中，參數(shù)變化小、零失效或低損耗，還支持AOI檢測(cè)，提升焊接合格率與機(jī)械穩(wěn)定性。

Q

RGP系列替換競(jìng)品點(diǎn)火IGBT系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證要點(diǎn)

A

首先確認(rèn)點(diǎn)火能量和波形，雪崩能量耐受是最重要的參數(shù)之一。

其次確認(rèn)極端工況結(jié)溫，進(jìn)行耐久性測(cè)試等可靠性驗(yàn)證。

同樣還要兼顧EMC測(cè)試，系統(tǒng)安全與診斷驗(yàn)證。

Q

羅姆封裝技術(shù)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

A

羅姆的封裝技術(shù)核心圍繞“高散熱、高密度、高可靠”三大目標(biāo)，尤其針對(duì)汽車和工業(yè)等嚴(yán)苛應(yīng)用。采用雙面散熱封裝技術(shù)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化和材料創(chuàng)新，提高焊接工藝等完美滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，并優(yōu)化封裝內(nèi)部布局和引腳設(shè)計(jì)，有效降低柵極和源極寄生電感。